單多晶矽(gui)太陽能電(dian)池片(pian)

單(dan)多(duo)晶矽(gui)太陽能電(dian)池片(pian)概(gai)述：
電池(chi)片(pian)壹(yi)般(ban)分(fen)為(wei)單(dan)晶矽(gui)、多晶矽(gui)、和非(fei)晶矽(gui)。單晶矽(gui)太陽能電(dian)池是(shi)當(dang)前開發(fa)得(de)zui快(kuai)的(de)壹(yi)種(zhong)太陽能電(dian)池，它(ta)的(de)構造和生產工(gong)藝(yi)已(yi)定(ding)型，產品(pin)已(yi)廣(guang)泛用於空(kong)間和地面(mian)。這(zhe)種(zhong)太陽能電(dian)池以(yi)高純的(de)單(dan)晶矽(gui)棒為原料(liao)。為了(le)降低生產成本(ben)，現在地面(mian)應(ying)用(yong)的(de)太陽能電(dian)池等采用太陽能級的單(dan)晶矽(gui)棒，材料(liao)性能指標有(you)所放(fang)寬。有的(de)也(ye)可(ke)使用(yong)半導體器件加工(gong)的頭尾(wei)料(liao)和廢次單(dan)晶矽(gui)材料(liao)，經(jing)過(guo)復(fu)拉(la)制(zhi)成太陽能電(dian)池的(de)單(dan)晶矽(gui)棒。

　　在現在的太陽能電(dian)池產(chan)品(pin)中(zhong)，以矽(gui)半導(dao)體(ti)材料(liao)為主(zhu)，其中(zhong)又以(yi)單晶矽(gui)和多(duo)晶矽(gui)為代(dai)表。由於其(qi)原材(cai)料(liao)的廣(guang)泛性，較(jiao)高的轉換效率(lv)和(he)可(ke)靠性(xing)，被市場(chang)廣(guang)泛接受。非晶矽(gui)在民用(yong)產(chan)品(pin)上也有(you)廣(guang)泛的應(ying)用(yong)（如(ru)電(dian)子手(shou)表，計算器(qi)等），但是(shi)它(ta)的(de)穩定(ding)性和轉換效率(lv)劣(lie)於結(jie)晶類半(ban)導體(ti)材料(liao)。化(hua)合(he)物(wu)太陽能電(dian)池由(you)於其(qi)材(cai)料(liao)的稀有性和(he)部(bu)分(fen)材(cai)料(liao)具有公害，現階(jie)段(duan)未被市場(chang)廣(guang)泛采用(yong).現在太陽能電(dian)池的(de)主(zhu)流(liu)產品(pin)的材料(liao)是(shi)半(ban)導(dao)體(ti)矽(gui)，是(shi)現代(dai)電子工(gong)業的(de)*的材(cai)料(liao)，同時以(yi)氧(yang)化(hua)狀(zhuang)態的矽(gui)原料(liao)是(shi)*二(er)大(da)的(de)儲(chu)藏物(wu)質(zhi)。

單(dan)多(duo)晶矽(gui)太陽能電(dian)池片(pian)制(zhi)作(zuo)工藝(yi)：
　　將單(dan)晶矽(gui)棒切成片(pian)，壹(yi)般(ban)片(pian)厚(hou)約0.3毫米。矽(gui)片(pian)經(jing)過(guo)拋磨、清洗(xi)等工序，制(zhi)成待(dai)加工(gong)的原料(liao)矽(gui)片(pian)。加工(gong)太陽能電(dian)池片(pian)，首先(xian)要(yao)在矽(gui)片(pian)上摻(chan)雜和擴散，壹(yi)般(ban)摻(chan)雜物為(wei)微(wei)量(liang)的硼(peng)、磷(lin)、銻(ti)等。擴散是(shi)在石英(ying)管制(zhi)成的(de)高溫擴散爐(lu)中(zhong)進(jin)行(xing)。這(zhe)樣(yang)就矽(gui)片(pian)上形(xing)成P>N結(jie)。然後(hou)采用(yong)絲(si)網印(yin)刷(shua)法(fa)，精(jing)配(pei)好的(de)銀(yin)漿印(yin)在矽(gui)片(pian)上做(zuo)成柵(zha)線，經(jing)過(guo)燒結(jie)，同時制(zhi)成背電極(ji)，並(bing)在有柵(zha)線的(de)面(mian)塗覆減(jian)反(fan)射(she)源，以防大(da)量(liang)的(de)光子被光滑(hua)的(de)矽(gui)片(pian)表面(mian)反(fan)射(she)掉。因此(ci)，單晶矽(gui)太陽能電(dian)池的(de)單(dan)體(ti)片(pian)就制(zhi)成了(le)。單體(ti)片(pian)經(jing)過(guo)抽查檢驗(yan)，即可(ke)按所(suo)需要(yao)的規格組裝成太陽能電(dian)池組(zu)件(jian)（太陽能電(dian)池板(ban)），用串聯(lian)和(he)並(bing)聯的(de)方(fang)法(fa)構成壹(yi)定(ding)的(de)輸(shu)出(chu)電壓(ya)和(he)電(dian)流(liu)。zui後(hou)用框(kuang)架和材料(liao)進(jin)行(xing)封(feng)裝。用(yong)戶(hu)根據系(xi)統(tong)設計(ji)，可(ke)將太陽能電(dian)池組(zu)件(jian)組(zu)成各(ge)種(zhong)大(da)小不(bu)同的太陽能電(dian)池方(fang)陣(zhen)，亦稱(cheng)太陽能電(dian)池陣(zhen)列。目(mu)前單晶矽(gui)太陽能電(dian)池的(de)光電(dian)轉換效率(lv)為(wei)15%左右，實驗(yan)室成果也有20%以(yi)上的(de)。

單多晶矽(gui)太陽能電(dian)池片(pian)及相關(guan)組(zu)件(jian)：
太陽能單(dan)晶電池(chi)片(pian)
　　單晶125*125
　　單晶156*156
　　多晶156*156
　　單晶150*150
　　單晶103*103
　　多晶125*125

125*125單晶
　　電池(chi)片(pian)
　　晶體矽(gui)太陽電池(chi)的優良性能簡(jian)介：
　　•率(lv)，低衰減(jian)，可(ke)靠性(xing)強(qiang)；
　　•先進(jin)的(de)擴散技(ji)術(shu)，保證了(le)片(pian)間片(pian)內的(de)良好均(jun)勻(yun)性(xing)，降(jiang)低了(le)電池(chi)片(pian)之間的匹(pi)配(pei)損失(shi)；
　　•運(yun)用先(xian)進(jin)的(de)管式PECVD成膜技(ji)術(shu)，使得(de)覆(fu)蓋(gai)在電池(chi)表面(mian)的(de)深藍色(se)氮(dan)化(hua)矽(gui)減反(fan)射(she)膜致(zhi)密、均勻(yun)、美觀；
　　•應(ying)用(yong)高品(pin)質的金(jin)屬漿料(liao)制(zhi)作(zuo)電極(ji)和背場(chang)。確保了(le)電極(ji)良好的(de)導(dao)電(dian)性、可(ke)焊(han)性以及背場(chang)的平(ping)整(zheng)性(xing)；
　　•高精度(du)的(de)絲(si)網印(yin)刷(shua)圖(tu)形(xing)，使(shi)得(de)電(dian)池(chi)片(pian)易(yi)於自(zi)動(dong)焊(han)接。

156*156多(duo)晶
　　電池(chi)片(pian)
　　晶體矽(gui)太陽電池(chi)的優良性能簡(jian)介：
　　•率(lv)，低衰減(jian)，可(ke)靠性(xing)強(qiang)；
　　•先進(jin)的(de)擴散技(ji)術(shu)，保證了(le)片(pian)間片(pian)內的(de)良好均(jun)勻(yun)性(xing)，降(jiang)低了(le)電池(chi)片(pian)之間的匹(pi)配(pei)損失(shi)；
　　•運(yun)用先(xian)進(jin)的(de)管式PECVD成膜技(ji)術(shu)，使得(de)覆(fu)蓋(gai)在電池(chi)表面(mian)的(de)深藍色(se)氮(dan)化(hua)矽(gui)減反(fan)射(she)膜致(zhi)密、均勻(yun)、美觀；
　　•應(ying)用(yong)高品(pin)質的金(jin)屬漿料(liao)制(zhi)作(zuo)電極(ji)和背場(chang)。確保了(le)電極(ji)良好的(de)導(dao)電(dian)性、可(ke)焊(han)性以及背場(chang)的平(ping)整(zheng)性(xing)；
　　•高精度(du)的(de)絲(si)網印(yin)刷(shua)圖(tu)形(xing)，使(shi)得(de)電(dian)池(chi)片(pian)易(yi)於自(zi)動(dong)焊(han)接。

125單(dan)晶電池(chi)組件(jian)
　　晶體矽(gui)太陽能電(dian)池組(zu)件(jian)的(de)優良性能簡(jian)介：
　　•SF-PV的組(zu)件可(ke)以滿(man)足(zu)不(bu)同的消費層次
　　•使(shi)用(yong)率(lv)的(de)矽(gui)太陽能電(dian)池
　　•組(zu)件(jian)標(biao)稱(cheng)電(dian)壓(ya)24/12V DC
　　•3.2mm厚(hou)的鋼(gang)化(hua)玻璃(li)
　　•為提(ti)高抗風能(neng)力(li)和抗積雪(xue)壓(ya)力(li)，使用(yong)耐用的鋁(lv)合(he)金(jin)框(kuang)架以方便裝配(pei)，
　　•組件(jian)邊框設(she)計有(you)用(yong)於排(pai)水(shui)的漏(lou)水孔(kong)消除(chu)了(le)在冬(dong)天(tian)雨(yu)或雪(xue)水(shui)長(chang)期積累在框架內造成結(jie)冰(bing)甚(shen)至(zhi)使(shi)框(kuang)架變(bian)形(xing)
　　•電纜線使(shi)用快(kuai)速(su)連(lian)接頭(tou)來(lai)裝配(pei)
　　•滿足(zu)顧(gu)客要(yao)求(qiu)的(de)包(bao)裝
　　•保證25年(nian)的(de)使(shi)用年(nian)限

156多(duo)晶電池(chi)組件(jian)
　　晶體矽(gui)太陽能電(dian)池組(zu)件(jian)的(de)優良性能簡(jian)介：
　　•SF-PV的組(zu)件可(ke)以滿(man)足(zu)不(bu)同的消費層次
　　•使(shi)用(yong)率(lv)的(de)矽(gui)太陽能電(dian)池
　　•組(zu)件(jian)標(biao)稱(cheng)電(dian)壓(ya)24/12V DC
　　•3.2mm厚(hou)的鋼(gang)化(hua)玻璃(li)
　　•為提(ti)高風的(de)壓(ya)力(li)和雪(xue)的(de)負(fu)載，使用耐用(yong)的(de)鋁(lv)框(kuang)架以方便裝配(pei)，
　　•組件(jian)邊框設(she)計有(you)用(yong)於排(pai)水(shui)的漏(lou)水孔(kong)消除(chu)了(le)在冬(dong)天(tian)雨(yu)或雪(xue)水(shui)長(chang)期積累在框架內造成結(jie)冰(bing)甚(shen)至(zhi)使(shi)框(kuang)架變(bian)形(xing)
　　•電纜線使(shi)用快(kuai)速(su)連(lian)接頭(tou)來(lai)裝配(pei)
　　•滿足(zu)顧(gu)客要(yao)求(qiu)的(de)包(bao)裝
　　•保證25年(nian)的(de)使(shi)用年(nian)

技(ji)術(shu)參數　　
125S晶體矽(gui)太陽電池(chi)技(ji)術(shu)參數 

檔(dang)次 轉換效率(lv) zui大(da)功(gong)率(lv) zui大(da)功(gong)率(lv)點(dian)電流(liu) zui小功(gong)率(lv)點(dian)電流(liu) zui大(da)功(gong)率(lv)點(dian)電壓(ya) 短路電(dian)流(liu) 開路(lu)電壓(ya)
Pm（Wp） Im（A）max Im（A）min Vm（V） Isc（A） Voc（V）
A 18.00% 2.674-2.696 5.135 5.093 0.525 5.440 0.630
B 17.80% 2.645-2.673 5.111 5.057 0.523 5.410 0.628
C 17.60% 2.615-2.644 5.075 5.019 0.521 5.380 0.627
D 17.45% 2.593-2.614 5.027 4.987 0.520 5.350 0.627
E 17.30% 2.570-2.592 5.004 4.961 0.518 5.330 0.626
F 17.15% 2.548-2.569 4.988 4.948 0.515 5.320 0.620
G 17.00% 2.526-2.547 4.975 4.933 0.512 5.300 0.620
H 16.85% 2.504-2.525 4.949 4.910 0.510 5.280 0.615
I 16.70% 2.481-2.503 4.956 4.913 0.505 5.260 0.615
J 16.50% 2.452-2.480 4.911 4.850 0.505 5.240 0.615
K 16.25% 2.414-2.451 4.853 4.780 0.505 5.200 0.615
L 16.00% 2.377-2.413 4.778 4.707 0.505 5.160 0.610
M 15.75% 2.340-2.376 4.752 4.680 0.500 5.000 0.610
N 15.50% 2.303-2.339 4.678 4.606 0.500 4.980 0.605
O 15.25% 2.266-2.302 4.604 4.578 0.495 4.960 0.605
P 15.00% 2.229-2.265 4.576 4.503 0.495 4.940 0.600

SF156M多晶體矽(gui)太陽電池(chi)技(ji)術(shu)參數 

檔(dang)次 轉換效率(lv) zui大(da)功(gong)率(lv) zui大(da)功(gong)率(lv)點(dian)電流(liu) zui大(da)功(gong)率(lv)點(dian)電壓(ya) 短路電(dian)流(liu) 開路(lu)電壓(ya)
Pm（Wp） Im（A） Vm（mV） Isc（A） Voc（mV）
A 17.50% 4.258  8.189  520 9.30±5% 625±5%
B 17.25% 4.198  8.072  520 9.22±5% 625±5%
C 17.00% 4.137  7.955  520 9.11±5% 625±5%
D 16.75% 4.076  7.914  515 9.01±5% 620±5%
E 16.50% 4.015  7.796  515 8.89±5% 620±5%
F 16.25% 3.954  7.678  515 8.78±5% 620±5%
G 16.00% 3.893  7.560  515 8.67±5% 620±5%
H 15.75% 3.833  7.515  510 8.56±5% 615±5%
I 15.50% 3.772  7.396  510 8.45±5% 615±5%
J 15.25% 3.711  7.348  505 8.30±5% 615±5%
K 15.00% 3.650  7.228  505 8.16±5% 615±5%
L 14.75% 3.589  7.107  505 8.01±5% 615±5%
M 14.50% 3.528  6.987  505 7.87±5% 615±5%
N 14.25% 3.468  6.935  500 7.75±5% 610±5%
O 14.00% 3.407  6.814  500 7.61±5% 610±5%
P 13.50% 3.285  6.637  495 7.38±5% 610±5%
Q 13.00% 3.163  6.456  490 7.12±5% 610±5%
R 12.50% 3.042  6.272  485 7.86±5% 610±5%
S 12.00% 2.920  6.084  480 6.56±5% 605±5%
T 11.50% 2.798  5.891  475 6.34±5% 600±5%
U 11.00% 2.677  5.695  470 6.08±5% 590±5%
V 10.50% 2.555  5.495  465 5.82±5% 580±5%
W <10.5% 

發展狀(zhuang)況(kuang)
　　目(mu)前太陽能電(dian)池使(shi)用(yong)的(de)多晶矽(gui)材料(liao)，多半是(shi)含(han)有(you)大(da)量(liang)單(dan)晶顆(ke)粒(li)的(de)集(ji)合(he)體(ti)，或用廢次單(dan)晶矽(gui)料(liao)和冶金(jin)級矽(gui)材料(liao)熔化(hua)澆鑄而成。其(qi)工(gong)藝(yi)過(guo)程是(shi)選擇(ze)電阻率(lv)為(wei)100～300歐姆(mu)•厘米的(de)多(duo)晶塊料(liao)或單晶矽(gui)頭尾(wei)料(liao)，經(jing)破碎，用1：5的(de)氫(qing)氟酸(suan)和(he)硝酸(suan)混(hun)合(he)液進(jin)行(xing)適(shi)當(dang)的腐蝕，然後(hou)用去(qu)離(li)子水(shui)沖(chong)洗(xi)呈(cheng)中(zhong)性，並(bing)烘(hong)幹(gan)。用石英(ying)坩堝(guo)裝好多(duo)晶矽(gui)料(liao)，加入(ru)適(shi)量(liang)硼(peng)矽(gui)，放(fang)人澆鑄爐(lu)，在真空狀(zhuang)態中(zhong)加熱(re)熔(rong)化(hua)。熔化(hua)後(hou)應(ying)保溫約20分(fen)鐘(zhong)，然(ran)後(hou)註(zhu)入(ru)石(shi)墨(mo)鑄模中(zhong)，待(dai)慢慢(man)凝(ning)固(gu)冷卻(que)後(hou)，即得(de)多(duo)晶矽(gui)錠。這(zhe)種(zhong)矽(gui)錠可(ke)鑄成立(li)方(fang)體(ti)，以(yi)便切片(pian)加工(gong)成方(fang)形(xing)太陽電池(chi)片(pian)，可(ke)提高材制(zhi)利用率(lv)和(he)方便(bian)組裝。多(duo)晶矽(gui)太陽能電(dian)池的(de)制(zhi)作(zuo)工藝(yi)與單晶矽(gui)太陽能電(dian)池差不(bu)多(duo)，其光電(dian)轉換效率(lv)約(yue)12%左右，稍(shao)低於單(dan)晶矽(gui)太陽能電(dian)池，但是(shi)材(cai)料(liao)制(zhi)造簡便(bian)，節約(yue)電(dian)耗(hao)，總的(de)生產成本(ben)較(jiao)低，因此(ci)得(de)到(dao)大(da)量(liang)發(fa)展。

中(zhong)國(guo)太陽能電(dian)池行(xing)業(ye)的(de)發展
　　中(zhong)國(guo)對太陽能電(dian)池的(de)研(yan)究(jiu)起步於1958年(nian)，20世(shi)紀(ji)80年(nian)代(dai)末期，國(guo)內(nei)先(xian)後(hou)引(yin)進(jin)了(le)多條太陽能電(dian)池生產線，使(shi)中(zhong)國(guo)太陽能電(dian)池生產能(neng)力(li)由原來(lai)的(de)3個(ge)小廠(chang)的幾百(bai)kW壹(yi)下(xia)子提(ti)升到(dao)4個(ge)廠(chang)的4.5MW，這(zhe)種(zhong)產(chan)能(neng)壹(yi)直(zhi)持(chi)續(xu)到(dao)2002年(nian)，產(chan)量(liang)則只有2MW左右。2002年(nian)後(hou)，歐洲(zhou)市場(chang)特(te)別(bie)是(shi)德(de)國(guo)市場(chang)的急(ji)劇(ju)放(fang)大(da)和(he)無(wu)錫(xi)尚德太陽能電(dian)力(li)有限公司的(de)橫(heng)空(kong)出(chu)世及超常(chang)規發展給中(zhong)國(guo)光伏(fu)產業帶(dai)來了(le)的發(fa)展機遇和示(shi)範(fan)效應(ying)。

　　目(mu)前，中(zhong)國(guo)已(yi)成為(wei)主(zhu)要(yao)的太陽能電(dian)池生產國(guo)。2006年(nian)全(quan)國(guo)太陽能電(dian)池的(de)產(chan)量(liang)為438MW，2007年(nian)全(quan)國(guo)太陽能電(dian)池產(chan)量(liang)為(wei)1188MW。中(zhong)國(guo)已(yi)經(jing)成超(chao)越(yue)歐洲(zhou)、日(ri)本為(wei)世界(jie)太陽能電(dian)池生產*大(da)國(guo)。2008年(nian)的(de)產(chan)量繼(ji)續(xu)提高，達(da)到(dao)了(le)200萬千(qian)瓦(wa)。

　　近(jin)5年(nian)來(lai)，中(zhong)國(guo)光伏(fu)電池產(chan)量(liang)年(nian)增長速(su)度(du)為(wei)1-3倍，光伏(fu)電池產(chan)量(liang)占產量(liang)的比(bi)例(li)也(ye)由(you)2002年(nian)1.07%增長到(dao)2008年(nian)的(de)近(jin)15%。商業(ye)化(hua)晶體矽(gui)太陽能電(dian)池的(de)效(xiao)率(lv)也(ye)從(cong)3年(nian)前的13%-14%提(ti)高到(dao)16%-17%。總體(ti)來看，中(zhong)國(guo)太陽能電(dian)池的(de)*和(he)技(ji)術(shu)競爭(zheng)力(li)大(da)幅提高。在產業(ye)布局(ju)上(shang)，中(zhong)國(guo)太陽能電(dian)池產(chan)業(ye)已(yi)經(jing)形(xing)成了(le)壹(yi)定(ding)的(de)集(ji)聚態(tai)勢(shi)。在長三(san)角(jiao)、環(huan)渤(bo)海、珠三(san)角(jiao)、中(zhong)西(xi)部(bu)地區(qu)，已(yi)經(jing)形(xing)成了(le)各具(ju)特(te)色(se)的(de)太陽能產(chan)業集(ji)群(qun)。

　　太陽能光伏(fu)發電在不(bu)遠(yuan)的將(jiang)來(lai)會(hui)占據世(shi)界能源消費的重要(yao)席位(wei)，不(bu)但要(yao)替代(dai)部(bu)分(fen)常(chang)規能源，而且將(jiang)成為(wei)世(shi)界(jie)能(neng)源供應(ying)的(de)主(zhu)體。預(yu)計(ji)到(dao)2030年(nian)，可(ke)再生能源在總能(neng)源結(jie)構中(zhong)將占到(dao)30%以(yi)上，而太陽能光伏(fu)發電在世界(jie)總電(dian)力(li)供應(ying)中(zhong)的占比也(ye)將達(da)到(dao)10%以(yi)上；到(dao)2040年(nian)，可(ke)再生能源將占總能(neng)耗(hao)的50%以(yi)上(shang)，太陽能光伏(fu)發電將(jiang)占總電(dian)力(li)的20%以(yi)上；到(dao)21世(shi)紀(ji)末，可(ke)再生能源在能源結(jie)構中(zhong)將占到(dao)80%以(yi)上，太陽能發(fa)電將(jiang)占到(dao)60%以(yi)上。這些數字足(zu)以(yi)顯示(shi)出(chu)太陽能光伏(fu)產業的(de)發(fa)展前景及其在能源領域(yu)重要(yao)的戰略(lve)地位(wei)。由此(ci)可(ke)以看(kan)出(chu)，太陽能電(dian)池市場(chang)前景廣(guang)闊(kuo)。

展望(wang)未來
　　目(mu)前太陽能電(dian)池主(zhu)要(yao)包(bao)括晶體矽(gui)電池(chi)和(he)薄膜電(dian)池兩種(zhong)，它(ta)們(men)各自的(de)特(te)點(dian)決定(ding)了(le)它(ta)們(men)在不(bu)同應(ying)用(yong)中(zhong)擁(yong)有不(bu)可(ke)替代(dai)的地位(wei)。但是(shi)，未來10年(nian)晶體矽(gui)太陽能電(dian)池所(suo)占份額(e)盡管會(hui)因薄膜太陽能電(dian)池的(de)發(fa)展等原因而下(xia)降(jiang)，但其(qi)主(zhu)導地位(wei)仍(reng)不(bu)會(hui)根本(ben)改變(bian)；而(er)薄膜電(dian)池如(ru)果能夠解決轉換效率(lv)不(bu)高、制(zhi)備(bei)薄(bo)膜電(dian)池所用(yong)設(she)備(bei)價(jia)格昂(ang)貴(gui)等問題(ti)，會有(you)巨(ju)大(da)的(de)發(fa)展空間。