晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)板(ban)Crystalline silicon Solar panel
　　分(fen)類(lei)　　
1、矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)；
　　2、以(yi)無(wu)機鹽如砷化(hua)鎵III-V化(hua)合(he)物(wu)、硫化(hua)鎘、銅(tong)銦(yin)硒(xi)等多(duo)元化(hua)合(he)物(wu)為(wei)材料的電池(chi)；
　　3、功能(neng)高分(fen)子(zi)材料制(zhi)備的大(da)陽(yang)能(neng)電池(chi)；
4、納米(mi)晶(jing)太陽能(neng)電池(chi)等。
　　分(fen)類(lei)：晶(jing)體矽(gui)電池(chi)板(ban)：多(duo)晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)、單晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)。
　　非(fei)晶(jing)矽(gui)電池(chi)板(ban)：薄(bo)膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)、有(you)機(ji)太陽能(neng)電池(chi)。
　　化(hua)學(xue)染(ran)料(liao)電池(chi)板(ban)：染(ran)料(liao)敏(min)化(hua)太陽能(neng)電池(chi)。

　　對太陽能(neng)電池(chi)材料壹般(ban)的要求
　　1、半導體材料的禁帶(dai)不能(neng)太寬；
　　2、要有(you)較(jiao)高的光電轉(zhuan)換(huan)效率(lv)：
　　3、材料本(ben)身(shen)對環境不造(zao)成汙(wu)染(ran)；
　　4、材料便於(yu)工業(ye)化(hua)生產且(qie)材料性(xing)能(neng)穩定(ding)。

　　太陽能(neng)發(fa)電系統由太陽能(neng)電池(chi)組(zu)、太陽能(neng)控制(zhi)器(qi)、蓄電池(chi)（組(zu)）組成(cheng)。如輸(shu)出電源為(wei)交(jiao)流220V或(huo) 110V，還需要(yao)配置逆(ni)變器(qi)。各(ge)部分(fen)的作用(yong)為(wei)：
　　（壹(yi)）太陽能(neng)電池(chi)板(ban)：太陽能(neng)電池(chi)板(ban)是太陽能(neng)發(fa)電系統中的核(he)心部分(fen)，也(ye)是太陽能(neng)發(fa)電系統中價值zui高的部分(fen)。其(qi)作用是將太陽能(neng)轉(zhuan)化(hua)為(wei)電能(neng)，或(huo)送(song)往蓄電池(chi)中存(cun)儲(chu)起(qi)來(lai)，或(huo)推動(dong)負(fu)載工作(zuo)。太陽能(neng)電池(chi)板(ban)的質(zhi)量(liang)和(he)成(cheng)本(ben)將(jiang)直(zhi)接決定整(zheng)個系統的質(zhi)量(liang)和(he)成(cheng)本(ben)。
　　（二）太陽能(neng)控制(zhi)器(qi)：太陽能(neng)控制(zhi)器(qi)的作用(yong)是控制(zhi)整(zheng)個系統的工作(zuo)狀態，並(bing)對蓄電池(chi)起(qi)到過充電保(bao)護、過放電保(bao)護的作用(yong)。在溫(wen)差(cha)較(jiao)大(da)的地(di)方(fang)，合(he)格的控制(zhi)器(qi)還應(ying)具備(bei)溫(wen)度(du)補償的功能(neng)。其(qi)他附(fu)加(jia)功能(neng)如光控開(kai)關(guan)、時(shi)控開(kai)關(guan)都應當是控制(zhi)器(qi)的可選(xuan)項(xiang)。
　　（三(san)）蓄電池(chi)：壹(yi)般為(wei)鉛(qian)酸電池(chi)，壹(yi)般有(you)12V和(he)24V這(zhe)兩種(zhong)，小(xiao)微(wei)型系統中，也(ye)可(ke)用(yong)鎳(nie)氫(qing)電池(chi)、鎳(nie)鎘電池(chi)或(huo)鋰電池(chi)。其(qi)作用是在有(you)光(guang)照時將太陽能(neng)電池(chi)板(ban)所發(fa)出的電能(neng)儲存(cun)起(qi)來(lai)，到(dao)需要(yao)的時候(hou)再釋放出來(lai)。
　　（四(si)）逆(ni)變器(qi)：在很(hen)多(duo)場(chang)合(he)，都需要(yao)提(ti)供(gong)AC220V、AC110V的交(jiao)流電源。由於太陽能(neng)的直(zhi)接輸(shu)出壹(yi)般(ban)都是DC12V、DC24V、DC48V。為(wei)能(neng)向(xiang)AC220V的電器(qi)提(ti)供(gong)電能(neng)，需要(yao)將(jiang)太陽能(neng)發(fa)電系統所發(fa)出的直(zhi)流電能(neng)轉(zhuan)換(huan)成(cheng)交(jiao)流電能(neng)，因(yin)此需要(yao)使(shi)用DC-AC逆(ni)變器(qi)。在某(mou)些場(chang)合(he)，需要(yao)使(shi)用多(duo)種電壓(ya)的負(fu)載時(shi)，也(ye)要(yao)用(yong)到(dao)DC-AC逆(ni)變器(qi)，如將24VDC的電能(neng)轉(zhuan)換(huan)成(cheng)5VDC的電能(neng)（註意，不是簡單的降(jiang)壓）。

晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)板(ban)材料
　　當前(qian)，晶(jing)體矽(gui)材料（包括多(duo)晶(jing)矽(gui)和(he)單晶(jing)矽(gui)）是zui主要(yao)的光伏(fu)材料，其(qi)*在90%以上(shang),而且(qie)在(zai)今後相當長的壹段(duan)時期(qi)也(ye)依(yi)然是太陽能(neng)電池(chi)的主流材料。多(duo)晶(jing)矽(gui)材料的生產技(ji)術長期(qi)以(yi)來掌握在(zai)美、日(ri)、德等3個國(guo)家7個(ge)公司(si)的10家工廠(chang)手中，形(xing)成技(ji)術(shu)封(feng)鎖、市場(chang)壟(long)斷(duan)的狀況。多(duo)晶(jing)矽(gui)的需求主(zhu)要(yao)來自於半導體和太陽能(neng)電池(chi)。按(an)純度(du)要求不同(tong)，分(fen)為(wei)電子(zi)級(ji)和太陽能(neng)級。其(qi)中，用於電子(zi)級(ji)多(duo)晶(jing)矽(gui)占(zhan)55%左(zuo)右，太陽能(neng)級多(duo)晶(jing)矽(gui)占(zhan)45%，隨著(zhe)光伏(fu)產(chan)業(ye)的迅猛發(fa)展(zhan)，太陽能(neng)電池(chi)對多(duo)晶(jing)矽(gui)需求量(liang)的增長速度(du)高於(yu)半導體多(duo)晶(jing)矽(gui)的發(fa)展(zhan)，預(yu)計(ji)到2008年(nian)太陽能(neng)多(duo)晶(jing)矽(gui)的需求量(liang)將(jiang)超(chao)過電子(zi)級(ji)多(duo)晶(jing)矽(gui)。 1994年(nian)*太陽能(neng)電池(chi)的總產(chan)量(liang)只(zhi)有(you)69MW，而(er)2004年(nian)就接近1200MW，在短(duan)短(duan)的10年(nian)裏(li)就增長了(le)17倍。太陽能(neng)光伏(fu)產(chan)業(ye)在(zai)二十壹世紀(ji)前(qian)半期將(jiang)超(chao)過核(he)電成(cheng)為(wei)zui重要(yao)的基(ji)礎能(neng)源之(zhi)壹。

新(xin)型塗層(ceng)研發(fa)成(cheng)功
　　美國(guo)倫斯勒理(li)工學(xue)院(yuan)研究人員(yuan)2008年(nian)開(kai)發(fa)出壹(yi)種(zhong)新(xin)型塗層(ceng)，將(jiang)其(qi)覆蓋(gai)在太陽能(neng)電池(chi)板(ban)上(shang)能(neng)使後者(zhe)的陽光(guang)吸收率(lv)提(ti)高到(dao)96.2%，而(er)普(pu)通太陽能(neng)電池(chi)板(ban)的陽光(guang)吸收率(lv)僅為(wei)70%左(zuo)右。
　　新(xin)塗層(ceng)主(zhu)要(yao)解(jie)決了(le)兩個(ge)技術難題(ti)，壹(yi)是幫助太陽能(neng)電池(chi)板(ban)吸收幾(ji)乎(hu)全(quan)部的太陽光譜(pu)，二是使太陽能(neng)電池(chi)板(ban)吸收來(lai)自更大(da)角(jiao)度的太陽光，從(cong)而(er)提(ti)高了(le)太陽能(neng)電池(chi)板(ban)吸收太陽光的效率(lv)。
　　普(pu)通太陽能(neng)電池(chi)板(ban)通(tong)常(chang)只(zhi)能(neng)吸收部分(fen)太陽光譜(pu)，而(er)且(qie)通(tong)常(chang)只(zhi)在(zai)吸收直(zhi)射的太陽光時(shi)工作(zuo)效率(lv)較(jiao)高，因(yin)此很(hen)多(duo)太陽能(neng)裝(zhuang)置(zhi)都配備自動(dong)調(tiao)整(zheng)系統，以(yi)保(bao)證太陽能(neng)電池(chi)板(ban)始(shi)終與太陽保持zui有(you)利於吸收能(neng)量(liang)的角(jiao)度。

分(fen)類(lei)

　　（1）單晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)
　　單晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)的光電轉(zhuan)換(huan)效率(lv)為(wei)15%左(zuo)右，zui高(gao)的達到(dao)24%，這(zhe)是目(mu)前(qian)所有(you)種(zhong)類的太陽能(neng)電池(chi)中光電轉(zhuan)換(huan)效率(lv)zui高的，但制(zhi)作成本(ben)很(hen)大(da)，以(yi)致(zhi)於(yu)它(ta)還不能(neng)被(bei)大(da)量(liang)廣(guang)泛(fan)和普(pu)遍(bian)地(di)使(shi)用(yong)。由於單晶(jing)矽(gui)壹(yi)般采用鋼化(hua)玻璃以及(ji)防水樹(shu)脂(zhi)進(jin)行封(feng)裝(zhuang)，因(yin)此其(qi)堅(jian)固耐(nai)用(yong)，使用(yong)壽(shou)命(ming)壹般可(ke)達15年(nian)，zui高(gao)可達25年(nian)。
　　（2）多(duo)晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)
　　多(duo)晶(jing)矽(gui)太陽電池(chi)的制(zhi)作工藝與(yu)單晶(jing)矽(gui)太陽電池(chi)差(cha)不多(duo)，但是多(duo)晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)的光電轉(zhuan)換(huan)效率(lv)則要(yao)降(jiang)低不少(shao)，其(qi)光電轉(zhuan)換(huan)效率(lv)約12%左(zuo)右 （2026年(nian)01月(yue)02日(ri)日(ri)本(ben)夏(xia)普(pu)上(shang)市效率(lv)為(wei)14.8%的世界(jie)zui率(lv)多(duo)晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)）。 從(cong)制(zhi)作成本(ben)上(shang)來講，比(bi)單晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)要(yao)便宜(yi)壹(yi)些(xie)，材料制(zhi)造簡便，節(jie)約電耗(hao)，總(zong)的生產成(cheng)本(ben)較(jiao)低，因(yin)此得到(dao)大(da)量(liang)發(fa)展(zhan)。此(ci)外，多(duo)晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)的使用(yong)壽命(ming)也(ye)要(yao)比(bi)單晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)短(duan)。從性(xing)能(neng)價格(ge)比(bi)來(lai)講，單晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)還(hai)略好。
　　（3）非晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)
　　非(fei)晶(jing)矽(gui)太陽電池(chi)是1976年(nian)出現(xian)的新(xin)型薄(bo)膜(mo)式太陽電池(chi)，它(ta)與單晶(jing)矽(gui)和(he)多(duo)晶(jing)矽(gui)太陽電池(chi)的制(zhi)作方法(fa)*不同(tong)，工藝過程大(da)大(da)簡(jian)化(hua)，矽(gui)材料消(xiao)耗(hao)很少(shao)，電耗(hao)更(geng)低，它(ta)的主要(yao)優(you)點是在弱光(guang)條件(jian)也(ye)能(neng)發(fa)電。但非晶(jing)矽(gui)太陽電池(chi)存(cun)在(zai)的主要(yao)問題(ti)是光電轉(zhuan)換(huan)效率(lv)偏(pian)低，目(mu)前(qian)先(xian)進(jin)水(shui)平(ping)為(wei)10%左(zuo)右，且(qie)不夠(gou)穩定，隨著(zhe)時間(jian)的延長(chang)，其(qi)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)衰減(jian)。
　　（4）多(duo)元化(hua)合(he)物(wu)太陽電池(chi)
　　多(duo)元化(hua)合(he)物(wu)太陽電池(chi)指(zhi)不是用單壹(yi)元(yuan)素半導體材料制(zhi)成的太陽電池(chi)。現(xian)在各(ge)國(guo)研究的品種(zhong)繁多(duo)，大(da)多(duo)數(shu)尚未工業(ye)化(hua)生產，主(zhu)要有(you)以(yi)下(xia)幾種(zhong)：a） 硫(liu)化(hua)鎘太陽能(neng)電池(chi)b） 砷(shen)化(hua)鎵太陽能(neng)電池(chi)c） 銅(tong)銦(yin)硒(xi)太陽能(neng)電池(chi)（新(xin)型多(duo)元帶(dai)隙(xi)梯(ti)度Cu（In, Ga）Se2薄(bo)膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)）
Cu（In, Ga）Se2是壹種(zhong)性(xing)能(neng)優(you)良太陽光吸收材料，具有(you)梯(ti)度能(neng)帶間(jian)隙(xi)（導帶(dai)與價(jia)帶之(zhi)間(jian)的能(neng)級差(cha)）多(duo)元的半導體材料，可以(yi)擴(kuo)大(da)太陽能(neng)吸收光(guang)譜(pu)範圍(wei)，進(jin)而(er)提(ti)高光(guang)電轉(zhuan)化(hua)效率(lv)。以它(ta)為(wei)基(ji)礎可(ke)以(yi)設計出光(guang)電轉(zhuan)換(huan)效率(lv)比(bi)矽(gui)薄(bo)膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)明顯(xian)提(ti)高的薄膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)。可(ke)以達到(dao)的光電轉(zhuan)化(hua)率(lv)為(wei)18%，而(er)且(qie)，此(ci)類薄膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)到(dao)目(mu)前(qian)為(wei)止，未發(fa)現(xian)有(you)光(guang)輻射引致(zhi)性(xing)能(neng)衰退(tui)效應（SWE），其(qi)光電轉(zhuan)化(hua)效率(lv)比(bi)目(mu)前(qian)商(shang)用(yong)的薄膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)板(ban)提(ti)高約(yue)50~75%，在(zai)薄膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)中屬於世界(jie)的zui高水(shui)平(ping)的光電轉(zhuan)化(hua)效率(lv)。

矽(gui)系太陽能(neng)電池(chi)
　　單晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)
　　矽(gui)系列太陽能(neng)電池(chi)中，單晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)zui高， 技(ji)術(shu)也(ye)zui為(wei)成(cheng)熟。高(gao)性(xing)能(neng)單晶(jing)矽(gui)電池(chi)是建(jian)立在(zai)高質(zhi)量(liang)單晶(jing)矽(gui)材料和相(xiang)關(guan)的成熱的加(jia)工處理(li)工藝基(ji)礎上(shang)的。現在(zai)單晶(jing)矽(gui)的電池(chi)工藝己近成(cheng)熟，在(zai)電池(chi)制(zhi)作中，壹般都采用表(biao)面(mian)織(zhi)構(gou)化(hua)、發(fa)射(she)區鈍化(hua)、分(fen)區(qu)摻雜(za)等技術(shu)，開發(fa)的電池(chi)主(zhu)要有(you)平(ping)面(mian)單晶(jing)矽(gui)電池(chi)和(he)刻(ke)槽(cao)埋柵(zha)電極(ji)單晶(jing)矽(gui)電池(chi)。提(ti)高轉(zhuan)化(hua)效率(lv)主要(yao)是靠單晶(jing)矽(gui)表(biao)面(mian)微(wei)結構(gou)處理(li)和分(fen)區(qu)摻雜(za)工藝。在(zai)此(ci)方(fang)面(mian)，德(de)國(guo)夫朗(lang)霍(huo)費(fei)費(fei)萊堡太陽能(neng)系統研究所保持著(zhe)世界(jie)水(shui)平(ping)。該研究所采用光(guang)刻(ke)照相(xiang)技術(shu)將(jiang)電池(chi)表(biao)面(mian)織(zhi)構(gou)化(hua)，制(zhi)成倒金字(zi)塔結構(gou)。並在(zai)表(biao)面(mian)把(ba)壹(yi)13nm。厚(hou)的氧化(hua)物(wu)鈍化(hua)層(ceng)與(yu)兩層(ceng)減(jian)反射塗層(ceng)相(xiang)結合(he)．通過改進(jin)了(le)的電鍍(du)過程增加(jia)柵(zha)極(ji)的寬度(du)和高(gao)度(du)的比(bi)率(lv)：通過以上(shang)制(zhi)得的電池(chi)轉(zhuan)化(hua)效率(lv)超(chao)過23%，zui大(da)值(zhi)可(ke)達23．3%。Kyocera公(gong)司(si)制(zhi)備的大(da)面(mian)積(ji)（225cm2）單電晶(jing)太陽能(neng)電池(chi)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)為(wei)19．44%，國(guo)內北(bei)京(jing)太陽能(neng)研究所也(ye)積(ji)極進(jin)行晶(jing)體矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)的研究和開(kai)發(fa)，研制(zhi)的平(ping)面(mian)單晶(jing)矽(gui)電池(chi)（2cm X 2cm）轉(zhuan)換(huan)效率(lv)達到(dao)19.79%，刻(ke)槽(cao)埋柵(zha)電極(ji)晶(jing)體矽(gui)電池(chi)（5cm X 5cm）轉(zhuan)換(huan)效率(lv)達8.6%。
　　單晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)無(wu)疑是zui高的，在大(da)規模應(ying)用(yong)和工業(ye)生產中仍(reng)占(zhan)據主導地(di)位(wei)，但由於受(shou)單晶(jing)矽(gui)材料價格(ge)及(ji)相應(ying)的繁瑣(suo)的電池(chi)工藝影(ying)響(xiang)，致(zhi)使(shi)單晶(jing)矽(gui)成(cheng)本(ben)價(jia)格(ge)居高(gao)不下(xia)，要想大(da)幅度降(jiang)低其(qi)成本(ben)是非常(chang)困(kun)難的。為(wei)了(le)節(jie)省(sheng)高質(zhi)量(liang)材料，尋找(zhao)單晶(jing)矽(gui)電池(chi)的替代(dai)產品(pin)，現(xian)在(zai)發(fa)展(zhan)了(le)薄膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)，其(qi)中多(duo)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)和(he)非晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)就是典型代(dai)表(biao)。

多(duo)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)
　　通(tong)常(chang)的晶(jing)體矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)是在厚(hou)度350－450μm的高質(zhi)量(liang)矽(gui)片(pian)上(shang)制(zhi)成的，這(zhe)種(zhong)矽(gui)片(pian)從(cong)提(ti)拉(la)或(huo)澆(jiao)鑄的矽(gui)錠(ding)上(shang)鋸(ju)割而(er)成。因(yin)此實(shi)際消(xiao)耗(hao)的矽(gui)材料更多(duo)。為(wei)了(le)節(jie)省(sheng)材料，人們(men)從70年(nian)代(dai)中期就開始在(zai)廉價襯底(di)上(shang)沈積(ji)多(duo)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)，但由於生長的矽(gui)膜(mo)晶(jing)粒大(da)小(xiao)，未能(neng)制(zhi)成有(you)價(jia)值的太陽能(neng)電池(chi)。為(wei)了(le)獲(huo)得大(da)尺(chi)寸(cun)晶(jing)粒的薄膜(mo)，人們(men)壹直(zhi)沒有(you)停(ting)止過研究，並提(ti)出了(le)很多(duo)方法(fa)。目(mu)前(qian)制(zhi)備多(duo)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)電池(chi)多(duo)采用化(hua)學(xue)氣相沈(chen)積(ji)法(fa)，包括低(di)壓化(hua)學(xue)氣相沈(chen)積(ji)（LPCVD）和等離子增強化(hua)學(xue)氣相沈(chen)積(ji)（PECVD）工藝。此(ci)外，液(ye)相(xiang)外延法(fa)（LPPE）和(he)濺(jian)射(she)沈積(ji)法(fa)也(ye)可(ke)用(yong)來(lai)制(zhi)備多(duo)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)電池(chi)。
　　化(hua)學(xue)氣相沈(chen)積(ji)主要(yao)是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或(huo)SiH4,為(wei)反應氣體,在壹定的保護氣氛下(xia)反應生成矽(gui)原(yuan)子並(bing)沈(chen)積(ji)在加(jia)熱的襯底(di)上(shang)，襯底(di)材料壹般(ban)選(xuan)用(yong)Si、SiO2、Si3N4等。但研究發(fa)現(xian)，在非矽(gui)襯底(di)上(shang)很難形(xing)成較(jiao)大(da)的晶(jing)粒,並(bing)且(qie)容(rong)易(yi)在(zai)晶(jing)粒間(jian)形(xing)成空隙(xi)。解(jie)決這(zhe)壹(yi)問題(ti)辦(ban)法(fa)是先用(yong) LPCVD在襯底(di)上(shang)沈熾壹層(ceng)較(jiao)薄的非晶(jing)矽(gui)層(ceng)，再將(jiang)這(zhe)層(ceng)非(fei)晶(jing)矽(gui)層(ceng)退(tui)火(huo)，得到(dao)較(jiao)大(da)的晶(jing)粒，然後再在(zai)這(zhe)層(ceng)籽(zi)晶(jing)上(shang)沈積(ji)厚的多(duo)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)，因(yin)此，再結晶(jing)技(ji)術(shu)無(wu)疑是很重要(yao)的壹個(ge)環節(jie)，目(mu)前(qian)采用的技術(shu)主要(yao)有(you)固相(xiang)結晶(jing)法(fa)和(he)中區熔(rong)再結晶(jing)法(fa)。多(duo)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)電池(chi)除(chu)采用了(le)再結晶(jing)工藝外，另(ling)外采用了(le)幾乎所有(you)制(zhi)備單晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)的技術(shu)，這(zhe)樣制(zhi)得的太陽能(neng)電池(chi)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)明顯(xian)提(ti)高。德(de)國(guo)費(fei)萊堡太陽能(neng)研究所采用區(qu)館再結晶(jing)技(ji)術(shu)在(zai)FZ Si襯底(di)上(shang)制(zhi)得的多(duo)晶(jing)矽(gui)電池(chi)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)為(wei)19%，日(ri)本(ben)三(san)菱公司(si)用該法(fa)制(zhi)備電池(chi)，效率(lv)達16.42%。
　　液(ye)相(xiang)外延（LPE）法(fa)的原(yuan)理(li)是通過將矽(gui)熔(rong)融(rong)在母(mu)體裏，降(jiang)低溫(wen)度(du)析出矽(gui)膜(mo)。美國(guo)Astropower公司(si)采用LPE制(zhi)備的電池(chi)效率(lv)達12．2%。中國(guo)光電發(fa)展(zhan)技(ji)術(shu)中心的陳哲良采用液(ye)相(xiang)外延法(fa)在(zai)冶金(jin)級(ji)矽(gui)片(pian)上(shang)生長出矽(gui)晶(jing)粒，並(bing)設計了(le)壹種類(lei)似(si)於(yu)晶(jing)體矽(gui)薄(bo)膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)的新(xin)型太陽能(neng)電池(chi)，稱(cheng)之(zhi)為(wei)“矽(gui)粒”太陽能(neng)電池(chi)，但有(you)關(guan)性(xing)能(neng)方面(mian)的報道(dao)還(hai)未見到(dao)。
　　多(duo)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)電池(chi)由於所使用(yong)的矽(gui)遠較(jiao)單晶(jing)矽(gui)少(shao)，又無(wu)效率(lv)衰退(tui)問題(ti)，並(bing)且(qie)有(you)可(ke)能(neng)在廉價襯底(di)材料上(shang)制(zhi)備，其(qi)成本(ben)遠低(di)於(yu)單晶(jing)矽(gui)電池(chi)，而(er)效率(lv)高於(yu)非(fei)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)電池(chi)，因(yin)此，多(duo)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)電池(chi)不久(jiu)將會(hui)在太陽能(neng)電地(di)市場(chang)上(shang)占據(ju)主(zhu)導地(di)位(wei)。

非(fei)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)
　　開(kai)發(fa)太陽能(neng)電池(chi)的兩個(ge)關(guan)鍵(jian)問題(ti)就是：提(ti)高轉(zhuan)換(huan)效率(lv)和　降(jiang)低成(cheng)本(ben)。由於非(fei)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)的成本(ben)低(di)，便於(yu)大(da)規模生產，普(pu)遍(bian)受(shou)到(dao)人(ren)們(men)的重視並(bing)得到(dao)迅速發(fa)展(zhan)，其(qi)實早在70年(nian)代(dai)初，Carlson等就已(yi)經(jing)開始了(le)對非(fei)晶(jing)矽(gui)電池(chi)的研制(zhi)工作(zuo),近(jin)幾年(nian)它(ta)的研制(zhi)工作(zuo)得到(dao)了(le)迅速發(fa)展(zhan),目(mu)前(qian)世(shi)界(jie)上(shang)己有(you)許(xu)多(duo)家公(gong)司(si)在生產該種電池(chi)產(chan)品。
　　非(fei)晶(jing)矽(gui)作(zuo)為(wei)太陽能(neng)材料盡管(guan)是壹種(zhong)很好的電池(chi)材料，但由於其(qi)光學(xue)帶隙(xi)為(wei)1.7eV, 使(shi)得材料本(ben)身(shen)對太陽輻射(she)光(guang)譜(pu)的長波(bo)區域(yu)不敏(min)感(gan)，這(zhe)樣壹來(lai)就限制(zhi)了(le)非晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)的轉(zhuan)換(huan)效率(lv)。此外，其(qi)光電效率(lv)會隨(sui)著(zhe)光(guang)照時間(jian)的延續(xu)而衰減(jian)，即所謂的光致(zhi)衰退(tui)S壹W效應，使(shi)得電池(chi)性(xing)能(neng)不穩(wen)定。解(jie)決這(zhe)些(xie)問題(ti)的這(zhe)徑(jing)就是制(zhi)備疊層(ceng)太陽能(neng)電池(chi)，疊層(ceng)太陽能(neng)電池(chi)是由在制(zhi)備的p、i、n層(ceng)單結太陽能(neng)電池(chi)上(shang)再沈(chen)積(ji)壹個(ge)或(huo)多(duo)個P-i-n子(zi)電池(chi)制(zhi)得的。疊層(ceng)太陽能(neng)電池(chi)提(ti)高轉(zhuan)換(huan)效率(lv)、解(jie)決單結電池(chi)不穩(wen)定性(xing)的關(guan)鍵(jian)問題(ti)在(zai)於：①它(ta)把(ba)不同(tong)禁帶寬度(du)的材科組臺(tai)在(zai)壹(yi)起，提(ti)高了(le)光譜的響應(ying)範圍(wei)；②頂(ding)電池(chi)的i層(ceng)較(jiao)薄，光(guang)照(zhao)產(chan)生的電場(chang)強(qiang)度變化(hua)不大(da)，保(bao)證i層(ceng)中的光生載流子抽出；③底(di)電池(chi)產(chan)生的載流子約為(wei)單電池(chi)的壹半，光致(zhi)衰退(tui)效應減(jian)小(xiao)；④疊層(ceng)太陽能(neng)電池(chi)各(ge)子(zi)電池(chi)是串(chuan)聯在(zai)壹(yi)起的。
　　非晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)的制(zhi)備方法(fa)有(you)很(hen)多(duo)，其(qi)中包括反應濺(jian)射(she)法(fa)、PECVD法(fa)、LPCVD法(fa)等，反應原(yuan)料氣體為(wei)H2稀(xi)釋的SiH4，襯底(di)主(zhu)要(yao)為(wei)玻(bo)璃及(ji)不銹鋼片(pian)，制(zhi)成的非晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)經過不同(tong)的電池(chi)工藝過程可(ke)分(fen)別(bie)制(zhi)得單結電池(chi)和(he)疊層(ceng)太陽能(neng)電池(chi)。目(mu)前(qian)非(fei)晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)的研究取得兩大(da)進(jin)展(zhan)：*、三(san)疊層(ceng)結構(gou)非晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)達到(dao)13%，創(chuang)下(xia)新(xin)的記(ji)錄；第二.三(san)疊層(ceng)太陽能(neng)電池(chi)年(nian)生產能(neng)力達5MW。美國(guo)聯合(he)太陽能(neng)公司(si)（VSSC）制(zhi)得的單結太陽能(neng)電池(chi)zui高(gao)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)為(wei)9．3%，三(san)帶(dai)隙(xi)三(san)疊層(ceng)電池(chi)zui高(gao)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)為(wei)13%，見表(biao)1
　　上(shang)述(shu)zui高轉(zhuan)換(huan)效率(lv)是在小(xiao)面(mian)積(ji)（0．25cm2）電池(chi)上(shang)取得的。曾有(you)文(wen)獻報道(dao)單結非(fei)晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)超(chao)過12．5%，日(ri)本(ben)中央研究院(yuan)采用壹(yi)系列新(xin)措(cuo)施(shi)，制(zhi)得的非晶(jing)矽(gui)電池(chi)的轉(zhuan)換(huan)效率(lv)為(wei)13．2%。國(guo)內關(guan)於(yu)非(fei)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)電池(chi)特(te)別(bie)是疊層(ceng)太陽能(neng)電池(chi)的研究並不多(duo)，南開(kai)大(da)學(xue)的耿新(xin)華等采用工業(ye)用(yong)材料，以鋁(lv)背電極(ji)制(zhi)備出面(mian)積(ji)為(wei)20X20cm2、轉(zhuan)換(huan)效率(lv)為(wei)8．28%的a－Si/a－Si疊層(ceng)太陽能(neng)電池(chi)。
　　非(fei)晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)由於具(ju)有(you)較(jiao)高的轉(zhuan)換(huan)效率(lv)和較(jiao)低的成本(ben)及(ji)重量(liang)輕(qing)等特點，有(you)著(zhe)極大(da)的潛(qian)力。但同時(shi)由於它(ta)的穩定(ding)性(xing)不高(gao)，直(zhi)接影響了(le)它的實際(ji)應用(yong)。如果能(neng)進(jin)壹(yi)步(bu)解(jie)決穩(wen)定性(xing)問(wen)題(ti)及(ji)提(ti)高轉(zhuan)換(huan)率(lv)問題(ti)，那(na)麽，非晶(jing)矽(gui)大(da)陽(yang)能(neng)電池(chi)無(wu)疑是太陽能(neng)電池(chi)的主要(yao)發(fa)展(zhan)產(chan)品(pin)之(zhi)壹。

多(duo)元化(hua)合(he)物(wu)薄膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)
　　為(wei)了(le)尋找單晶(jing)矽(gui)電池(chi)的替代(dai)品,人(ren)們(men)除開發(fa)了(le)多(duo)晶(jing)矽(gui)、非(fei)晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)外，又不斷(duan)研制(zhi)其(qi)它材料的太陽能(neng)電池(chi)。其(qi)中主要包括砷(shen)化(hua)鎵III-V族化(hua)合(he)物(wu)、硫化(hua)鎘、硫(liu)化(hua)鎘及(ji)銅(tong)錮(gu)硒(xi)薄(bo)膜(mo)電池(chi)等。上(shang)述(shu)電池(chi)中，盡管硫化(hua)鎘、碲(di)化(hua)鎘多(duo)晶(jing)薄(bo)膜(mo)電池(chi)的效率(lv)較(jiao)非晶(jing)矽(gui)薄(bo)膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)效率(lv)高，成(cheng)本(ben)較(jiao)單晶(jing)矽(gui)電池(chi)低(di)，並且(qie)也(ye)易(yi)於(yu)大(da)規模生產，但由於鎘有(you)劇(ju)毒，會對環境造成(cheng)嚴重的汙(wu)染(ran)，因(yin)此，並(bing)不是晶(jing)體矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)的替代(dai)。
　　砷化(hua)鎵III-V化(hua)合(he)物(wu)及(ji)銅(tong)銦(yin)硒(xi)薄(bo)膜(mo)電池(chi)由於具(ju)有(you)較(jiao)高的轉(zhuan)換(huan)效率(lv)受到(dao)人(ren)們(men)的普(pu)遍(bian)重視。GaAs屬(shu)於(yu)III-V族化(hua)合(he)物(wu)半導體材料，其(qi)能(neng)隙(xi)為(wei)1．4eV，正(zheng)好為(wei)高(gao)吸收率(lv)太陽光的值，因(yin)此，是很理(li)想的電池(chi)材料。GaAs等III-V化(hua)合(he)物(wu)薄膜(mo)電池(chi)的制(zhi)備主要采用 MOVPE和(he)LPE技術，其(qi)中MOVPE方法(fa)制(zhi)備GaAs薄膜(mo)電池(chi)受(shou)襯底(di)位(wei)錯(cuo)、反應壓(ya)力、III-V比(bi)率(lv)、總流量(liang)等諸(zhu)多(duo)參數(shu)的影響(xiang)。
　　除GaAs外，其(qi)它III-V化(hua)合(he)物(wu)如Gasb、GaInP等電池(chi)材料也(ye)得到(dao)了(le)開發(fa)。1998年(nian)德(de)國(guo)費(fei)萊堡太陽能(neng)系統研究所制(zhi)得的GaAs太陽能(neng)電池(chi)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)為(wei)24．2%，為(wei)歐(ou)洲(zhou)記(ji)錄。制(zhi)備的GaInP電池(chi)轉(zhuan)換(huan)效率(lv)為(wei)14．7%．見表(biao)2。另(ling)外，該研究所還采用堆(dui)疊結構(gou)制(zhi)備GaAs，Gasb電池(chi)，該電池(chi)是將兩個(ge)獨立的電池(chi)堆(dui)疊在壹(yi)起，GaAs作(zuo)為(wei)上(shang)電池(chi)，下(xia)電池(chi)用(yong)的是Gasb,所得到(dao)的電池(chi)效率(lv)達到(dao)31．1%。
　　銅(tong)銦(yin)硒(xi)CuInSe2簡(jian)稱(cheng)CIC。CIS材料的能(neng)降(jiang)為(wei)1．leV，適(shi)於太陽光的光電轉(zhuan)換(huan),另(ling)外，CIS薄膜(mo)太陽電池(chi)不存(cun)在(zai)光(guang)致(zhi)衰退(tui)問題(ti)。因(yin)此，CIS用(yong)作高轉(zhuan)換(huan)效率(lv)薄膜(mo)太陽能(neng)電池(chi)材料也(ye)引(yin)起(qi)了(le)人們(men)的註目(mu)。
　　CIS電池(chi)薄(bo)膜(mo)的制(zhi)備主要有(you)真(zhen)空蒸(zheng)鍍(du)法(fa)和(he)硒(xi)化(hua)法(fa)。真(zhen)空蒸(zheng)鍍(du)法(fa)是采用各(ge)自的蒸(zheng)發(fa)源蒸(zheng)鍍(du)銅(tong)、銦(yin)和硒(xi)，硒(xi)化(hua)法(fa)是使用(yong)H2Se疊層(ceng)膜(mo)硒(xi)化(hua)，但該法(fa)難以(yi)得到(dao)組成(cheng)均(jun)勻(yun)的CIS。CIS薄膜(mo)電池(chi)從(cong)80年(nian)代(dai)zui初8%的轉(zhuan)換(huan)效率(lv)發(fa)展(zhan)到(dao)目(mu)前(qian)的15%左(zuo)右。日(ri)本(ben)松(song)下(xia)電氣工業(ye)公(gong)司(si)開發(fa)的摻鎵的CIS電池(chi)，其(qi)光電轉(zhuan)換(huan)效率(lv)為(wei)15．3%（面(mian)積(ji)1cm2）。1995年(nian)美國(guo)可再生能(neng)源研究室研制(zhi)出轉(zhuan)換(huan)效率(lv)為(wei)17．l%的CIS太陽能(neng)電池(chi)，這(zhe)是迄今為(wei)止世(shi)界(jie)上(shang)該電池(chi)的zui高轉(zhuan)換(huan)效率(lv)。預(yu)計(ji)到2000年(nian)CIS電池(chi)的轉(zhuan)換(huan)效率(lv)將達到(dao)20%，相(xiang)當於多(duo)晶(jing)矽(gui)太陽能(neng)電池(chi)。
　　CIS作(zuo)為(wei)太陽能(neng)電池(chi)的半導體材料，具有(you)價(jia)格低廉、性(xing)能(neng)良好和工藝簡(jian)單等優(you)點，將(jiang)成(cheng)為(wei)今後發(fa)展(zhan)太陽能(neng)電池(chi)的壹個(ge)重要(yao)方(fang)向(xiang)。*的問題(ti)是材料的來源，由於銦(yin)和硒(xi)都是比(bi)較(jiao)稀有(you)的元素，因(yin)此，這(zhe)類(lei)電池(chi)的發(fa)展(zhan)又必然受到(dao)限制(zhi)。

聚(ju)合(he)物(wu)多(duo)層(ceng)修(xiu)飾電極(ji)型太陽能(neng)電池(chi)
　　在(zai)太陽能(neng)電池(chi)中以聚(ju)合(he)物(wu)代替(ti)無(wu)機材料是剛(gang)剛(gang)開始(shi)的壹個(ge)太陽能(neng)電池(chi)制(zhi)備的研究方向(xiang)。其(qi)原(yuan)理(li)是利用不同(tong)氧化(hua)還原(yuan)型聚(ju)合(he)物(wu)的不同(tong)氧化(hua)還原(yuan)電勢(shi)，在(zai)導電材料（電極(ji)）表(biao)面(mian)進(jin)行多(duo)層(ceng)復(fu)合(he)，制(zhi)成類似(si)無(wu)機P－N結的單向(xiang)導電裝(zhuang)置(zhi)。其(qi)中壹個電極(ji)的內層(ceng)由還原(yuan)電位(wei)較(jiao)低的聚(ju)合(he)物(wu)修飾，外層(ceng)聚(ju)合(he)物(wu)的還原(yuan)電位(wei)較(jiao)高，電子(zi)轉(zhuan)移(yi)方向(xiang)只能(neng)由內層(ceng)向(xiang)外層(ceng)轉(zhuan)移(yi)；另(ling)壹(yi)個(ge)電極(ji)的修飾正好相反，並且(qie)*個(ge)電極(ji)上(shang)兩種(zhong)聚(ju)合(he)物(wu)的還原(yuan)電位(wei)均(jun)高(gao)於後者(zhe)的兩種(zhong)聚(ju)合(he)物(wu)的還原(yuan)電位(wei)。當兩個(ge)修飾電極(ji)放(fang)入含(han)有(you)光(guang)敏(min)化(hua)劑的電解(jie)波(bo)中時．光敏(min)化(hua)劑吸光(guang)後產生的電子(zi)轉(zhuan)移(yi)到還原(yuan)電位(wei)較(jiao)低的電極(ji)上(shang)，還原(yuan)電位(wei)較(jiao)低電極(ji)上(shang)積(ji)累(lei)的電子(zi)不能(neng)向(xiang)外層(ceng)聚(ju)合(he)物(wu)轉(zhuan)移(yi)，只能(neng)通過外電路(lu)通(tong)過還原(yuan)電位(wei)較(jiao)高的電極(ji)回(hui)到電解(jie)液(ye)，因(yin)此外電路(lu)中有(you)光(guang)電流產生。
　　由於有(you)機(ji)材料柔性(xing)好，制(zhi)作容易(yi)，材料來源廣(guang)泛(fan)，成本(ben)底(di)等優(you)勢(shi)，從(cong)而(er)對大(da)規模利用太陽能(neng)，提(ti)供(gong)廉價電能(neng)具有(you)重要(yao)意義(yi)。但以有(you)機(ji)材料制(zhi)備太陽能(neng)電池(chi)的研究僅僅剛(gang)開始(shi)，不論(lun)是使用(yong)壽命(ming)，還是電池(chi)效率(lv)都不能(neng)和無(wu)機材料特別(bie)是矽(gui)電池(chi)相(xiang)比(bi)。能(neng)否(fou)發(fa)展(zhan)成(cheng)為(wei)具(ju)有(you)實(shi)用意義(yi)的產品(pin)，還有(you)待於(yu)進(jin)壹(yi)步(bu)研究探索(suo)。

納米(mi)晶(jing)化(hua)學(xue)太陽能(neng)電池(chi)
　　在(zai)太陽能(neng)電池(chi)中矽(gui)系太陽能(neng)電池(chi)無(wu)疑是發(fa)展(zhan)zui成(cheng)熟的，但由於成(cheng)本(ben)居(ju)高(gao)不下(xia)，遠不能(neng)滿足大(da)規模推(tui)廣(guang)應(ying)用的要求。為(wei)此(ci)，人(ren)們(men)壹直(zhi)不斷(duan)在工藝、新(xin)材料、電池(chi)薄(bo)膜(mo)化(hua)等方面(mian)進(jin)行探(tan)索(suo)，而這(zhe)當中新(xin)近(jin)發(fa)展(zhan)的納米(mi)TiO2晶(jing)體化(hua)學(xue)能(neng)太陽能(neng)電池(chi)受(shou)到國(guo)內外科學(xue)家的重視。
　　自瑞(rui)士Gratzel教授(shou)研制(zhi)成功納米(mi)TiO2化(hua)學(xue)大(da)陽(yang)能(neng)電池(chi)以(yi)來，國(guo)內壹(yi)些(xie)單位(wei)也(ye)正(zheng)在(zai)進(jin)行這(zhe)方(fang)面(mian)的研究。納米(mi)晶(jing)化(hua)學(xue)太陽能(neng)電池(chi)（簡(jian)稱(cheng)NPC電池(chi)）是由壹種(zhong)在禁帶(dai)半導體材料修飾、組裝(zhuang)到(dao)另(ling)壹(yi)種(zhong)大(da)能(neng)隙(xi)半導體材料上(shang)形(xing)成的，窄禁帶(dai)半導體材料采用過渡(du)金屬(shu)Ru以及(ji)Os等的有(you)機(ji)化(hua)合(he)物(wu)敏(min)化(hua)染(ran)料(liao)，大(da)能(neng)隙(xi)半導體材料為(wei)納米(mi)多(duo)晶(jing)TiO2並(bing)制(zhi)成電極(ji)，此(ci)外NPC電池(chi)還(hai)選用(yong)適(shi)當的氧化(hua)壹還(hai)原(yuan)電解(jie)質(zhi)。納米(mi)晶(jing)TiO2工作(zuo)原(yuan)理(li)：染(ran)料(liao)分(fen)子(zi)吸收太陽光能(neng)躍遷(qian)到激(ji)發(fa)態，激(ji)發(fa)態不穩(wen)定，電子(zi)快速註(zhu)入到(dao)緊(jin)鄰(lin)的TiO2導帶(dai)，染(ran)料(liao)中失(shi)去(qu)的電子(zi)則(ze)很快從電解(jie)質(zhi)中得到(dao)補償，進(jin)入TiO2導帶(dai)中的電於(yu)zui終(zhong)進(jin)入導電膜(mo),然後通過外回路(lu)產(chan)生光電流。
納米(mi)晶(jing)TiO2太陽能(neng)電池(chi)的優(you)點在(zai)於(yu)它廉價的成本(ben)和(he)簡(jian)單的工藝及(ji)穩定(ding)的性(xing)能(neng)。其(qi)光電效率(lv)穩定(ding)在(zai)10%以(yi)上(shang)，制(zhi)作成本(ben)僅為(wei)矽(gui)太陽電池(chi)的1/5－1/10．壽命(ming)能(neng)達到(dao)2O年(nian)以(yi)上(shang)。但由於此(ci)類電池(chi)的研究和開(kai)發(fa)剛(gang)剛(gang)起步(bu)，估(gu)計不久(jiu)的將來(lai)會逐(zhu)步(bu)走(zou)上(shang)市場(chang)。　

組(zu)件(jian)測試條件(jian)
　　（1）由於太陽能(neng)組件(jian)的輸(shu)出功率(lv)取決(jue)於(yu)太陽輻照(zhao)度(du)和(he)太陽能(neng)電池(chi)溫(wen)度(du)等因(yin)素，因(yin)此太陽能(neng)電池(chi)組(zu)件(jian)的測量(liang)在(zai)標準(zhun)條件(jian)下(xia)（STC）進(jin)行，標準(zhun)條件(jian)定(ding)義(yi)為(wei)：
　　大(da)氣質(zhi)量(liang)AM1.5， 光(guang)照(zhao)強(qiang)度(du)1000W/m2，溫(wen)度(du)25℃。
　　（2）在該條件(jian)下(xia)，太陽能(neng)電池(chi)組(zu)件(jian)所輸(shu)出的zui大(da)功率(lv)稱(cheng)為(wei)峰(feng)值(zhi)功率(lv)，在很(hen)多(duo)情況下(xia)，組件(jian)的峰(feng)值(zhi)功率(lv)通常(chang)用(yong)太陽能(neng)模擬(ni)儀測定。影(ying)響太陽能(neng)電池(chi)組(zu)件(jian)輸(shu)出性(xing)能(neng)的主要(yao)因(yin)素有(you)以(yi)下(xia)幾點：
　　1）負(fu)載阻(zu)抗(kang)
　　2）日(ri)照強(qiang)度
　　3）溫(wen)度(du)
　　4）陰(yin)影(ying) [2]

應(ying)用(yong)領域(yu)
　　1.用(yong)戶(hu)太陽能(neng)電源：（1）小(xiao)型電源10-100W不等，用於(yu)邊(bian)遠無(wu)電地(di)區(qu)如高原(yuan)、海(hai)島(dao)、牧區、邊(bian)防哨所等軍(jun)民(min)生活用(yong)電，如照明、電視、收錄機等；（2）3-5KW家庭(ting)屋頂並(bing)網發(fa)電系統；（3）光(guang)伏(fu)水(shui)泵：解(jie)決無(wu)電地(di)區(qu)的深水(shui)井(jing)飲用、灌(guan)溉。
　　2. 交(jiao)通(tong)領(ling)域(yu)：如航標燈(deng)、交(jiao)通(tong)/鐵(tie)路(lu)信(xin)號燈、交(jiao)通(tong)警(jing)示(shi)/標誌燈(deng)、宇翔(xiang)路(lu)燈(deng)、高(gao)空障(zhang)礙燈(deng)、高速(su)公路(lu)/鐵(tie)路(lu)無(wu)線亭(ting)、無(wu)人值(zhi)守(shou)道(dao)班(ban)供(gong)電等。
　　3. 通訊(xun)/通信領(ling)域(yu)：太陽能(neng)無(wu)人值(zhi)守(shou)微(wei)波(bo)中繼站(zhan)、光纜(lan)維(wei)護站(zhan)、廣(guang)播(bo)/通訊/尋呼(hu)電源系統；農(nong)村(cun)載(zai)波(bo)光伏(fu)系統、小(xiao)型通(tong)信(xin)機、士兵(bing)GPS供(gong)電等。
　　4. 石油、海(hai)洋、氣象領(ling)域(yu)：石油管(guan)道(dao)和(he)水庫閘門(men)陰(yin)極(ji)保(bao)護太陽能(neng)電源系統、石油鉆(zuan)井(jing)平(ping)臺生活及(ji)應急(ji)電源、海(hai)洋檢測設備、氣象/水(shui)文觀(guan)測設備等。
　　5.家庭(ting)燈具電源：如庭院(yuan)燈、路(lu)燈(deng)、手(shou)提(ti)燈、野(ye)營(ying)燈、登山(shan)燈、垂(chui)釣(diao)燈(deng)、黑光燈(deng)、割(ge)膠(jiao)燈、節(jie)能(neng)燈等。
　　6.光伏(fu)電站(zhan)：10KW-50MW獨立光(guang)伏(fu)電站(zhan)、風光(guang)（柴(chai)）互補電站(zhan)、各(ge)種(zhong)大(da)型停(ting)車(che)廠(chang)充電站(zhan)等。
　　7.太陽能(neng)建(jian)築：將(jiang)太陽能(neng)發(fa)電與(yu)建(jian)築材料相結合(he)，使得未來的大(da)型建(jian)築實(shi)現電力自給(gei)，是未來壹大(da)發(fa)展(zhan)方(fang)向(xiang)。
　　8.其(qi)他領域(yu)包括：（1）與(yu)汽車(che)配套：太陽能(neng)汽車(che)/電動(dong)車(che)、電池(chi)充(chong)電設備、汽(qi)車(che)空調(tiao)、換(huan)氣扇、冷飲箱等；（2）太陽能(neng)制(zhi)氫加(jia)燃(ran)料電池(chi)的再生發(fa)電系統；（3）海(hai)水淡化(hua)設備供(gong)電；（4）衛星(xing)、航天器(qi)、空間(jian)太陽能(neng)電站(zhan)等。

　目(mu)前(qian)美國(guo)、歐洲(zhou)各(ge)國(guo)特別(bie)是德國(guo)及(ji)日(ri)本(ben)、印(yin)度等都在大(da)力發(fa)展(zhan)太陽電池(chi)應(ying)用，開(kai)始(shi)實(shi)施(shi)的"十萬(wan)屋頂"計(ji)劃、"百(bai)萬(wan)屋頂"計(ji)劃等，極大(da)地(di)推(tui)動(dong)了(le)光伏(fu)市場(chang)的發(fa)展(zhan)，前(qian)途(tu)十(shi)分(fen)光(guang)明。