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美國吉(ji)時利keithley半(ban)導體器(qi)件實(shi)驗(yan)

日期：2012-11-30瀏(liu)覽(lan)：4032次(ci)

美國吉(ji)時利keithley半(ban)導體器(qi)件實(shi)驗(yan)

•概(gai)述(shu)

•測(ce)量範例(li)

•介紹(shao) ACS 基礎版(ban)

•測(ce)試方(fang)案(an)

•常(chang)用(yong)產(chan)品

•相(xiang)關資料

•其(qi)它(ta)應(ying)用(yong)領域

美國吉(ji)時利keithley半(ban)導體器(qi)件實(shi)驗(yan)概(gai)述(shu)

半(ban)導體器(qi)件 / 微電(dian)子實(shi)驗(yan)室是(shi)現(xian)代電(dian)子工程(cheng)教育(yu)課(ke)程(cheng)的(de)壹(yi)個(ge)主要部分。它允(yun)許大學生應用他們在(zai)器(qi)件物理(li)學和(he) VLSI 課(ke)程(cheng)學到的(de)內容(rong)。在(zai)半導體器(qi)件實(shi)驗(yan)課程(cheng)中，學生通過(guo)“自己(ji)動(dong)手”學習(xi)半(ban)導體微米 / 納(na)米制(zhi)造技術(shu)、工藝(yi)和電(dian)特性(xing)分析。教育(yu)經(jing)驗包括熟(shu)悉(xi)工藝(yi)設計、仿真和(he)集成(cheng)。當(dang)理(li)解(jie)了(le)這(zhe)些概(gai)念(nian)後，學生將(jiang)制(zhi)造、分析和評(ping)估各(ge)種半導體器(qi)件，例(li)如二(er)極管(guan)、雙極晶體(ti)管(guan)和場(chang)效(xiao)應(ying)晶體(ti)管(guan)、無(wu)源元件乃(nai)至集(ji)成(cheng)電(dian)路器(qi)件。

對(dui)於(yu)實(shi)驗(yan)室研(yan)究(jiu)的(de)所(suo)有(you)半導體器(qi)件，zui常(chang)見(jian)的(de)電(dian)特性(xing)分析方(fang)法(fa)是(shi)：

MOSFET 的(de)典型(xing) I-V 圖

典(dian)型 C-V 測線(xian)圖

1.電(dian)流與電(dian)壓（I-V）測(ce)試(shi)顯(xian)示(shi)了(le)流過(guo)的(de)直(zhi)流電(dian)流和電(dian)子器(qi)件以及(ji)器(qi)件兩(liang)端直(zhi)流電(dian)壓之(zhi)間(jian)的(de)關系(xi)。

2.電(dian)容(rong)與電(dian)壓（C-V）測(ce)試(shi)用(yong)於(yu)分析半導體材(cai)料和(he)結(jie)構(gou)參(can)數(shu)，例(li)如表面俘獲電(dian)荷密度(du)、固(gu)定電(dian)荷和(he)氧化層電(dian)荷。

美國吉(ji)時利keithley半(ban)導體器(qi)件實(shi)驗(yan)測量範例(li)

半導體器(qi)件 / 微電(dian)子教學實(shi)驗(yan)室典型的(de)主題(ti)包括制(zhi)造和(he)分析各種器(qi)件：

1. MOS 電(dian)容(rong)器(qi)

主題(ti)

C-V 曲線(xian) （高頻：100kHz）：

摻雜(za)類型 – 氧化層厚度 – 平(ping)帶(dai)電(dian)壓 – 閾(yu)值電(dian)壓 – 襯(chen)底摻雜(za) – zui大耗(hao)盡(jin)層寬(kuan)度 – 反型層到平(ping)衡的(de)靈(ling)敏度(du)：電(dian)壓掃描率(lv)和方(fang)向(xiang) – 光效(xiao)應(ying)和溫度(du)效(xiao)應(ying)。

I-V 曲線(xian)分析：

電(dian)荷建(jian)立(li) （測(ce)量電(dian)壓 - 時(shi)間(jian)圖(tu)，用低電(dian)流源）；氧化層電(dian)容(rong)測定(ding)；與 C-V 曲(qu)線(xian)比較。

C-V 曲線(xian) （準(zhun)靜(jing)態）結合 C-V 曲(qu)線(xian)：

表面(mian)電(dian)位 Ψs 與施(shi)加(jia)電(dian)壓的(de)關系(xi) – Si （100）的(de)表面(mian)態密度(du) Dit = f （Ψs）與 Si （111）的(de)相(xiang)比(bi)：方(fang)向(xiang)和後(hou)處(chu)理(li)退(tui)火(huo)的(de)影(ying)響(xiang)。

C-V 曲(qu)線(xian) （高頻：100kHz）：

移動氧化層電(dian)荷密度(du) （偏壓溫度(du)應(ying)力(li)：200°C，10 分鐘，±10V）

2. 雙極結型(xing)晶(jing)體管(guan)

主題(ti)

正(zheng)向(xiang)共發(fa)射(she)極輸(shu)出(chu)特性(xing)：Ic = f （Vce>0,Ib）, Iceo （f）測(ce)量。

正(zheng)向(xiang) CE 輸(shu)入(ru)特性(xing)：Ib = f （Vbe）對(dui)於(yu)幾個(ge) Vce 正(zheng)值。

正(zheng)向(xiang) Gummel 曲線(xian)： log Ic, log Ib = f（Vbe >0）.

確(que)定(ding)增益(yi) βf = Ic/Ib 和 af。

Βf 與 log（Ic）的(de)關系(xi)：低(di)註入(ru)和(he)高註入(ru)的(de)效(xiao)果(guo)。

非(fei)理(li)想特性(xing)：爾利電(dian)壓。

反向(xiang) CE 輸(shu)出(chu)特性(xing)： Ic=f（Vce<0,Ib）, Iceo（r）.

反向(xiang) CE 傳輸(shu)特性(xing)：Ib=f（Vbe）對(dui)於(yu)幾個(ge)Vce負(fu)值。

反向(xiang) Gummel 曲線(xian)： logIe, logIb=f（Vbc>0）.

確(que)定(ding)增益(yi) βr = Ie/Ib 和 ar。

Βr 與 log（Ie）的(de)關系(xi)：低(di)註入(ru)和(he)高註入(ru)的(de)效(xiao)果(guo)。

Vce（sat） = Vbe（on） – Vbc（on）確(que)定(ding)，對(dui)於(yu)給(gei)定的(de) Ib 電(dian)流。

Ebers Moll 模型構(gou)建(jian)並且(qie)與實(shi)驗(yan)做(zuo)比(bi)較。

BE 和 CE 結(jie)的(de) C-V 特性(xing)分析。基區(qu)摻雜(za)濃(nong)縮。

3. 亞(ya)微米集(ji)成 MOSFET

主題(ti)

輸(shu)出(chu)特性(xing)：IDS = f（VDS,VGS）:

p型(xing) MOSFET （增強或(huo)耗盡(jin)），溝道(dao)長(chang)度調制(zhi)參(can)數(shu)（λ）在(zai)飽(bao)和區(qu)域（VDS<–3V）有(you)效(xiao)溝道(dao)長(chang)度與 VDS 的(de)關系(xi)。

傳(chuan)輸(shu)特性(xing)：

IDS = f（VGS） and Transconductance gm = f（VGS） in the linear region （VDS = –0.1V）: Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k. Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.

襯(chen)底偏壓特性(xing)：

IDS = f（VGS,VBS>0）, determination of the γ factor in the linear region （VDS = –0.1V）. Doping concentration substrate.

亞(ya)閾(yu)值特性(xing)：

log （IDS） = f（VGS） for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering （VT shift） effect.

襯(chen)底電(dian)流特性(xing)：

log （Ibs） = f（VGS） for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.

使(shi)用長(chang)溝道(dao)和短溝道(dao)公(gong)式(shi)的(de)輸(shu)出(chu)特性(xing)模型：

比(bi)較實(shi)驗(yan)結果(guo)。

美國吉(ji)時利keithley半(ban)導體器(qi)件實(shi)驗(yan)介紹 ACS 基礎版(ban)

ACS 基礎版(ban)能(neng)讓工程(cheng)專(zhuan)業學生在(zai)學習(xi)基礎電(dian)子器(qi)件過(guo)程(cheng)中獲得的(de)學習(xi)效(xiao)果(guo)並且(qie)幫助(zhu)研(yan)究(jiu)生加(jia)快(kuai)下壹(yi)代半(ban)導體或(huo)納(na)米(mi)級(ji)器(qi)件的(de)特性(xing)分析研(yan)究(jiu)。當(dang)配(pei)合(he)壹(yi)臺或(huo)多(duo)臺 2600A 系(xi)列數(shu)字(zi)源表(biao)使(shi)用時，ACS 基礎版(ban)成(cheng)為壹(yi)款(kuan)強大(da)但簡(jian)單易用(yong)的(de)元件特性(xing)分析和曲(qu)線(xian)追(zhui)蹤(zong)工具。它(ta)具有(you)全面的(de)參數(shu)分析套件，因(yin)此(ci)能快(kuai)捷(jie)地(di)提(ti)供理(li)解(jie)基本電(dian)子器(qi)件如(ru)何工作或(huo)者(zhe)理(li)解(jie)新(xin)型器(qi)件或(huo)材料氣(qi)的(de)電(dian)特性(xing)所(suo)需(xu)的(de)測試(shi)結果(guo)。

當您需(xu)要快速獲取電(dian)子器(qi)件或(huo)封(feng)裝(zhuang)產品的(de)某些數據時(shi)，為(wei) ACS 基礎版(ban)開發(fa)並基於(yu)向(xiang)導的(de)用戶(hu)接口能像常(chang)見(jian)的(de) FET 曲線(xian)跟(gen)蹤測(ce)試(shi)那樣容(rong)易地(di)查(zha)找和(he)運(yun)行(xing)您需(xu)要的(de)測試(shi)。與傳(chuan)統模擬(ni)曲(qu)線(xian)跟(gen)蹤軟(ruan)件非(fei)常(chang)類似，ACS 基礎版(ban)能(neng)快速產(chan)生電(dian)子器(qi)件或(huo)封(feng)裝(zhuang)產品的(de)壹(yi)系(xi)列曲(qu)線(xian)，而(er)且能(neng)靈(ling)活、容(rong)易地(di)對(dui)結(jie)果(guo)進(jin)行(xing)保存、比較和關聯。

主要特性(xing)和(he)優點：

測量時間(jian)短 – 安裝(zhuang)簡單(dan)、直(zhi)觀(guan)的(de)測試(shi)選擇(ze)向(xiang)導並且(qie)內(nei)建測試(shi)；

無(wu)需(xu)編寫(xie)代碼(ma) - ACS 具有(you)直(zhi)觀(guan)的(de) GUI 能快(kuai)速簡(jian)化 I-V 測試、分析和結(jie)果(guo)；

優化器(qi)件測(ce)試、驗(yan)證(zheng)和分析應用(yong)；

硬(ying)件靈(ling)活性(xing) – 動(dong)態地(di)加(jia)入(ru)或(huo)移(yi)除設備(bei)以滿(man)足(zu)獨立(li)測(ce)試的(de)需(xu)要；

預(yu)裝(zhuang)應用(yong)庫 – 壹(yi)組極豐(feng)富(fu)的(de)超快(kuai)、易於(yu)訪(fang)問的(de)測試(shi)庫；

模塊(kuai)化的(de)靈(ling)活軟(ruan)件架構(gou)便(bian)於(yu)擴(kuo)展(zhan)系(xi)統(tong)並使(shi)系(xi)統(tong)應用能滿(man)足(zu)的(de)測試(shi)需(xu)要；

免費(fei)可(ke)選(xuan)後臺軟(ruan)件許可(ke)，能(neng)容(rong)易地(di)在(zai)另(ling)壹(yi)臺PC上(shang)開發(fa)新(xin)的(de)測試(shi)序列，無(wu)需(xu)掛起(qi)正(zheng)在(zai)執(zhi)行(xing)工作的(de)系(xi)統(tong)。

測試方(fang)案(an)

半導體器(qi)件實(shi)驗(yan)室的(de)核心是(shi)參(can)數(shu)分析儀。簡(jian)單(dan)易(yi)用的(de) Model 4200-SCS半導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)能進(jin)行(xing)實(shi)驗(yan)室級的(de)直(zhi)流和脈(mai)沖(chong)器(qi)件特性(xing)分析、實(shi)時(shi)繪制(zhi)以及(ji)高精密和(he)亞(ya)飛(fei)安分辨率(lv)的(de)分析。4200-SCS 結合(he)了(le) 4200-CVU 的(de)集成(cheng)選件，現(xian)能讓半導體測(ce)試(shi)用(yong)戶(hu)靈(ling)活地(di)創(chuang)建集(ji)成了 DC、脈沖(chong)和(he) C-V 測試功能(neng)的(de)方(fang)案(an)，所(suo)有(you)功能(neng)都(dou)囊(nang)括在(zai)節省(sheng)空間的(de)機殼中和集(ji)成的(de)測試(shi)環(huan)境(jing)中。

為了(le)簡單(dan)、快(kuai)速地(di)測(ce)量二(er)極管(guan)、晶體(ti)管(guan)、運(yun)放等(deng)有(you)源器(qi)件和(he)的(de)半導體器(qi)件結(jie)構(gou)，吉(ji)時利的(de) 2400 系(xi)列 SourceMeter®儀器(qi)和 2600 系(xi)列數(shu)字(zi)源表(biao)在(zai)壹(yi)臺儀器(qi)中集成(cheng)了精(jing)密電(dian)源、真(zhen)電(dian)流源和(he) DMM 等(deng)多(duo)種測試功(gong)能。2600 系(xi)列還(hai)包含任(ren)意(yi)波形(xing)發(fa)生器(qi)、帶(dai)測量功能(neng)的(de)電(dian)壓或(huo)電(dian)流脈沖(chong)發(fa)生器(qi)、電(dian)子負(fu)載(zai)和(he)觸(chu)發(fa)控制(zhi)器(qi)。

當設計和試(shi)驗(yan)低電(dian)阻、低功耗半(ban)導體器(qi)時，管(guan)理(li)電(dian)源對(dui)於(yu)防(fang)止器(qi)件損壞而(er)言至(zhi)關重要。分析現代材(cai)料、半(ban)導體和(he)納(na)米(mi)電(dian)子元件的(de)電(dian)阻需(xu)要輸(shu)出(chu)極低電(dian)流和測(ce)量極低電(dian)壓的(de)能力(li)。吉(ji)時利的(de) delta 模式（電(dian)流反轉極性）電(dian)阻測量功能(neng)結合(he)了 6220 或 6221 的(de)低電(dian)流 DC 源能(neng)力(li)以及(ji)2182A 的(de)低壓(ya)測量精度(du)，從(cong)而(er)非(fei)常(chang)適(shi)合(he)於(yu)低(di)阻測量（低至(zhi) 10 nΩ）適於(yu)分析導通電(dian)阻參數、互連(lian)和低(di)功(gong)率(lv)半導體。

可(ke)免(mian)費(fei)下載(zai)的(de) LabTracer® 2.0 軟件允(yun)許用戶快(kuai)速、簡(jian)單(dan)地(di)配(pei)置(zhi)和(he)控制(zhi)多(duo)達8條(tiao)2600系(xi)列或(huo)2400系(xi)列源表(biao)的(de)通道(dao)用於(yu)曲(qu)線(xian)追(zhui)蹤(zong)或(huo)器(qi)件特性(xing)分析。它具(ju)有(you)簡單(dan)的(de)圖形(xing)用戶接口用於(yu)設置(zhi)、控制(zhi)、數(shu)據采(cai)集(ji)和繪(hui)制(zhi)數(shu)字(zi)源表(biao)的(de) DUT 數據。當(dang)LabTracer與數(shu)字源表(biao)結(jie)合使(shi)用時，就(jiu)能(neng)為實(shi)驗(yan)室的(de)用戶(hu)提(ti)供強大(da)、易用(yong)和經濟的(de)機箱方(fang)案(an)。3400 系(xi)列脈(mai)沖(chong)/碼(ma)型發(fa)生器(qi)具有(you)碼(ma)型發(fa)生和全面控制(zhi)脈(mai)沖(chong)幅(fu)度、上(shang)升時間、下降時間(jian)、寬(kuan)度和占空比(bi)等(deng)各種脈沖(chong)參(can)數能力(li)，因(yin)而(er)非(fei)常(chang)適(shi)合(he)納米電(dian)子研(yan)究(jiu)人(ren)員、半(ban)導體器(qi)件研(yan)究(jiu)人(ren)員、射(she)頻器(qi)件設計工程(cheng)師(shi)和教育(yu)工作者(zhe)等(deng)用(yong)戶(hu)的(de)需(xu)要。

常(chang)用(yong)產(chan)品

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美國吉(ji)時利keithley4200半(ban)導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)

美國吉(ji)時利keithley4200-SCS型(xing)半導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)

美國吉(ji)時利keithley4200-CVU型(xing)集成C-V選(xuan)件用(yong)於(yu)4200-SCS

美國吉(ji)時利keithley4200- PIV-A型(xing)脈沖(chong)C-V選(xuan)件用(yong)於(yu)4200-SCS

數(shu)字源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2400型(xing)通用數字(zi)源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2410型(xing)高壓源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2420型(xing)3A源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2425型(xing)高功率(lv)源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2430型(xing)脈沖(chong)源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2440型(xing) 源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2601型(xing)高吞吐量源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2602型(xing)雙通道(dao)高吞吐量源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2611型(xing)高壓和(he)脈沖(chong)輸(shu)出(chu)源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2612型(xing)雙通道(dao)高壓(ya)和脈(mai)沖(chong)輸(shu)出(chu)源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2635型(xing)低電(dian)流和脈(mai)沖(chong)輸(shu)出(chu)源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2636型(xing)雙通道(dao)低電(dian)流和脈(mai)沖(chong)輸(shu)出(chu)源表(biao)

脈(mai)沖(chong)發(fa)生器(qi)

美國吉(ji)時利keithley3401型(xing)單通道(dao)脈沖(chong) / 碼(ma)型發(fa)生器(qi)

美國吉(ji)時利keithley3402型(xing)雙通道(dao)脈沖(chong) / 碼(ma)型發(fa)生器(qi)

電(dian)流源 / 納(na)伏表

美國吉(ji)時利keithley6220型(xing)直(zhi)流電(dian)流源

美國吉(ji)時利keithley6221型(xing)交流和直(zhi)流電(dian)流源

美國吉(ji)時利keithley2182A納(na)伏表

小冊(ce)子

美國吉(ji)時利keithley4200-SCS型(xing)半導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)

美國吉(ji)時利keithley4200-CVU集(ji)成 C-V 選件用(yong)於(yu) 4200-SCS

美國吉(ji)時利keithley2600系(xi)列數(shu)字(zi)源表(biao)多(duo)通道(dao)IV測試(shi)儀 – 用(yong)於(yu)快(kuai)速研(yan)發(fa)和功(gong)能測(ce)試的(de)可(ke)擴(kuo)縮方(fang)案(an)

美國吉(ji)時利keithley2400系(xi)列數(shu)字(zi)源表(biao)系(xi)列

美國吉(ji)時利keithley吉(ji)時利脈(mai)沖(chong)方(fang)案(an)

美國吉(ji)時利keithley精(jing)密、低(di)電(dian)流源用(yong)於(yu)器(qi)件測(ce)試和(he)分析

半導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)

美國吉(ji)時利keithley4200-SCS型(xing)半導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)產品介紹(shao)

美國吉(ji)時利keithley4200-CVU型(xing)集成 C-V 選(xuan)件用(yong)於(yu)4200-SCS產(chan)品瀏(liu)覽(lan)

美國吉(ji)時利keithley4200-PIV-A型(xing)脈沖(chong)I-V 包用(yong)於(yu)4200-SCS半(ban)導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)產品瀏(liu)覽(lan)

數(shu)字(zi)源表(biao)產(chan)品介紹(shao)

美國吉(ji)時利keithley SourceMeter®儀器(qi)（電(dian)流源 / 電(dian)壓源和(he)測(ce)量產品）

美國吉(ji)時利keithley2400型(xing)數字源表(biao)

美國吉(ji)時利keithley2601型(xing)和2602型 SourceMeter®儀器(qi)

美國吉(ji)時利keithley2611型(xing)和2612型 SourceMeter®儀器(qi)（200V）

美國吉(ji)時利keithley2635型(xing)和 2636型 SourceMeter®儀器(qi)（低電(dian)流）

美國吉(ji)時利keithley產(chan)品數據

美國吉(ji)時利keithley4200-SCS半(ban)導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)技術(shu)數(shu)據手冊(ce)

美國吉(ji)時利keithley4200-SCS型(xing)半導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)

美國吉(ji)時利keithley4200-CVU型(xing)集成C-V選(xuan)件用(yong)於(yu)4200-SCS

美國吉(ji)時利keithley3400系(xi)列脈(mai)沖(chong) / 碼(ma)型發(fa)生器(qi)

美國吉(ji)時利keithley2182A型(xing)納伏表

美國吉(ji)時利keithley6220型(xing)直(zhi)流電(dian)流源和(he) 6221型(xing)交流和直(zhi)流電(dian)流源

白皮書4200-SCS

基於(yu)吉(ji)時利4200-SCS 的(de)局(ju)域網(wang)實(shi)驗(yan)室用於(yu)微電(dian)子工程(cheng)教育(yu)

縮短HCI測試(shi)時間的(de)白皮書

用(yong)於(yu)先(xian)進(jin)CMOS技術(shu)的(de)脈沖(chong)可(ke)靠(kao)性測試

高(gao)K柵(zha)極電(dian)介質(zhi)電(dian)荷俘(fu)獲行(xing)為的(de)脈沖(chong)特性(xing)分析

數字(zi)源表(biao)

為(wei)大學生半導體制(zhi)造實(shi)驗(yan)室設計特性(xing)分析系(xi)統(tong)

用6線(xian)歐姆測(ce)量技術(shu)進(jin)行(xing)更高準(zhun)確(que)度(du)的(de)電(dian)阻測量

FPD技術(shu)演(yan)進(jin)帶(dai)來新(xin)的(de)測試(shi)現實(shi)

新(xin)的(de)測試(shi)定序(xu)儀器(qi)降低器(qi)件制(zhi)造商(shang)的(de)測試(shi)成本

電(dian)流源 / 納(na)伏表

新(xin)型儀器(qi)能穩住鎖(suo)定狀(zhuang)態

在(zai)低功(gong)率(lv)和低(di)壓應(ying)用中實(shi)現(xian)準(zhun)確(que)、可(ke)靠(kao)的(de)電(dian)阻測量

壹(yi)種微分電(dian)導測量的(de)改進(jin)方(fang)法(fa)

應用筆記

4200-SCS

#2361創(chuang)建用(yong)於(yu) 4200-SCS 的(de)寫(xie)探頭驅動程(cheng)序(xu)

#2240評(ping)估氧化層的(de)可(ke)靠(kao)性

#2241用低噪(zao)聲 4200-SCS 進(jin)行(xing)超低電(dian)流測量

#2197熱載(zai)流子導致(zhi) MOSFET 器(qi)件性(xing)能退(tui)化的(de)評(ping)估

#2239用(yong)4200進(jin)行(xing)柵極電(dian)介質(zhi)電(dian)容(rong) - 電(dian)壓特性(xing)分析

在(zai)集成(cheng)電(dian)路的(de)觸(chu)點級探測(ce)晶(jing)體管(guan)

使(shi)用吉(ji)時利4200-SCS監測(ce)MOSFET器(qi)件溝道(dao)熱載(zai)流子（CHC）退(tui)化

利用(yong)4200-SCS和 Zyvex S100型納(na)米控制(zhi)器(qi)實(shi)現(xian)納米線(xian)和納(na)米(mi)管(guan)的(de) I-V 測量

#2475用4200-SCS實(shi)現(xian)4探針(zhen)電(dian)阻率(lv)和霍爾電(dian)壓測(ce)量

基於(yu)4200-SCS半(ban)導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)的(de)MOS電(dian)容(rong)C-V特性(xing)分析

面向(xiang)CMOS晶體(ti)管(guan)的(de)4200 脈沖(chong)IV測(ce)量

#2876使(shi)用4200-SCS半導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)對(dui)太(tai)陽(yang)能(neng) / 光伏電(dian)池(chi)進(jin)行(xing) I-V 和 C-V 測量

#2851用4200-SCS半(ban)導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)和3400系(xi)列脈(mai)沖(chong) / 碼(ma)型發(fa)生器(qi)進(jin)行(xing)電(dian)荷泵(beng)測(ce)量

#2311RF功率(lv)晶體(ti)管(guan)的(de)直(zhi)流電(dian)氣(qi)特性(xing)分析

脈沖(chong)發(fa)生器(qi)

#2851 用 4200-SCS 半導體特性(xing)分析系(xi)統(tong)和 3400 系(xi)列脈(mai)沖(chong) / 碼(ma)型發(fa)生器(qi)進(jin)行(xing)電(dian)荷泵(beng)測(ce)量

電(dian)流源 / 納(na)伏表

#2611 基於(yu) 6221 / 2182A 組(zu)合的(de)低電(dian)平(ping)脈(mai)沖(chong)電(dian)氣(qi)特性(xing)分析

#2615 使(shi)用四點共線(xian)探針(zhen)和(he) 6221 電(dian)流源確(que)定(ding)電(dian)阻率(lv)和電(dian)導率(lv)類型

其(qi)它應用(yong)領域

電(dian)路基礎電(dian)子實(shi)驗(yan)室

納米科(ke)學研(yan)究(jiu)實(shi)驗(yan)室

上(shang)壹(yi)篇：美國吉(ji)時利keithley納(na)米科學研(yan)究(jiu)實(shi)驗(yan)

下壹(yi)篇：吉(ji)時利keithley電(dian)路基礎電(dian)子實(shi)驗(yan)

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