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美國(guo)吉(ji)時利keithley納(na)米科學(xue)研究實(shi)驗(yan)

日期：2012-11-30瀏(liu)覽(lan)：4150次(ci)

美(mei)國(guo)吉(ji)時利keithley納(na)米科學(xue)研究實(shi)驗(yan)

•概述•測(ce)量(liang)範例•測(ce)試方(fang)案

•帶(dai)給納米(mi)科學(xue)研究人(ren)員的主要(yao)好(hao)處•納(na)米(mi)聯(lian)盟(meng)合作夥伴資源•常用產品

•相關(guan)資料•其它(ta)應用領(ling)域

美(mei)國(guo)吉(ji)時利keithley納(na)米科學(xue)研究實(shi)驗(yan)概述

正如數字(zi)革命和現代生(sheng)物(wu)學，納米技(ji)術日益成為(wei)科學(xue)技(ji)術向前發展趨(qu)勢的主導(dao)技(ji)術。納米級(ji)科學(xue)和(he)工程(cheng)將(jiang)基礎(chu)研究和(he)教(jiao)育(yu)的進(jin)步，電子(zi)和光(guang)電器(qi)件的進(jin)步以(yi)及半導(dao)體(ti)制造、生(sheng)物(wu)技術、替(ti)代能(neng)源(yuan)和工業(ye)制造的顯(xian)著(zhu)變(bian)化(hua)。

3 端(duan)納(na)米(mi)線晶體管

（圖片(pian)由(you)美國(guo)德(de)州大(da)學達(da)拉(la)斯(si)分(fen)校提供(gong)）

美國(guo)吉(ji)時利keithley6430 型(xing)亞(ya) fA 程(cheng)控(kong)源表(biao)® Measures currents with 400aA （400X10-18A） Sensitivity

納(na)米(mi)級(ji)材(cai)料和器(qi)件的制(zhi)造通(tong)常始(shi)於(yu)化學(xue)、生物(wu)學或半導(dao)體(ti)器件(jian) / 微(wei)電子(zi)實驗(yan)室。納米(mi)級(ji)材(cai)料和器(qi)件的電氣(qi)測(ce)量(liang)不僅(jin)揭(jie)示了(le)電特(te)性，還(hai)揭(jie)示了(le)納(na)米微粒(li)的狀態密度等壹般特性。這(zhe)些基本特(te)性可用於(yu)預測(ce)和控(kong)制物(wu)理特性，例(li)如抗拉(la)強度、顏(yan)色(se)以及電導(dao)性和(he)導(dao)熱(re)性。然(ran)而，進(jin)行有(you)意義(yi)的測(ce)量(liang)需(xu)要(yao)高(gao)靈敏度的儀(yi)器(qi)以(yi)及復雜(za)的探(tan)頭技(ji)術。於(yu)納米(mi)技術研究的儀(yi)器(qi)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia)，但是用戶必須(xu)了(le)解(jie)所需(xu)的測(ce)量(liang)類型，以(yi)及哪種測(ce)試系(xi)統特點將(jiang)增加(jia)速(su)度和準確度。

對於(yu)實驗(yan)室中研究的許(xu)多(duo)納(na)米級(ji)材(cai)料和器(qi)件，zui常見的電氣(qi)特性分(fen)析方法是(shi)電流與(yu)電壓(ya) （I-V）測(ce)試。電流-電壓(ya)特性是(shi)顯(xian)示(shi)電子(zi)器件(jian)上(shang)的直流電流與(yu)其兩(liang)端(duan)的直流電壓(ya)之間(jian)關(guan)系(xi)的壹(yi)幅(fu)圖(tu)。電氣(qi)工程(cheng)師使(shi)用這(zhe)些圖確定(ding)器(qi)件(jian)的基(ji)本(ben)參(can)數並(bing)對電子(zi)電路的行為(wei)建模(mo)。通常，工程(cheng)師將(jiang)特性分(fen)析圖稱為(wei) I-V曲(qu)線，從(cong)而指(zhi)用於(yu)電流和電壓(ya)的標(biao)準(zhun)符(fu)號(hao)。典(dian)型的碳(tan)納(na)米(mi)管MOSFET 的漏(lou)電壓(ya)與(yu)漏(lou)電流 I-V 曲線看起(qi)來像(xiang)左邊的曲(qu)線。

美國(guo)吉(ji)時利keithley納(na)米科學(xue)研究實(shi)驗(yan)測(ce)量(liang)範例

新材(cai)料研究

4 線連接至(zhi)碳納(na)米管(guan)

（圖片重新(xin)制(zhi)作以(yi)示對 Zyvex 公司的尊(zun)重）

在(zai)器件(jian)開發(fa)過程中，類似納米(mi)線、碳納米(mi)管和(he)納米(mi)晶體的結構常常表(biao)現出與(yu)眾(zhong)不同的特(te)點。分(fen)析這(zhe)些特點而不(bu)損(sun)壞(huai)*的結構需(xu)要(yao)能(neng)對(dui)源(yuan)進(jin)行嚴(yan)格控(kong)制的系(xi)統，以防(fang)止(zhi)器(qi)件自發(fa)熱(re)。吉(ji)時利測(ce)量(liang)儀器將(jiang)這(zhe)種(zhong)嚴(yan)格(ge)控(kong)制與(yu)超(chao)快測(ce)量(liang)速(su)度和靈敏度結合在(zai)靈活、模(mo)塊化(hua)的結構中(zhong)從(cong)而很(hen)容(rong)易(yi)適應(ying)不(bu)斷(duan)變(bian)化(hua)的測(ce)試要(yao)求(qiu)。

測(ce)量(liang)這(zhe)些材(cai)料的壹(yi)種(zhong)zui常用的測(ce)量(liang)技術是使用 4 線或 “Kelvin” 測(ce)量(liang)。采用 Kelvin 測(ce)量(liang)技術時，需(xu)要(yao)第(di)二(er)組(zu)探(tan)頭用於(yu)感(gan)測(ce)。因(yin)為(wei)這(zhe)些探(tan)頭中(zhong)的電流可忽(hu)略(lve)不計(ji)，所以(yi)只(zhi)用測(ce)量(liang) DUT 兩(liang)端(duan)的壓(ya)降，如下圖(tu)所示(shi)。因(yin)此，電阻(zu)測(ce)量(liang)或 I-V 曲線發生就(jiu)更準確了(le)。

美(mei)國(guo)吉(ji)時利keithley4200-SCS 型(xing)半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統中的吉(ji)時利交(jiao)互(hu)式(shi)測(ce)試環境(jing) （KITE）允許(xu)任(ren)何(he)納米(mi)科學(xue)領(ling)域的研究人(ren)員培養輕(qing)松、快捷(jie)地配置(zhi)測(ce)量(liang)測(ce)試的能(neng)力(li)。KITE 是(shi)壹款(kuan)用於(yu)納米(mi)材(cai)料和器(qi)件以及半導(dao)體(ti)器件(jian)特(te)性分(fen)析的應(ying)用程序。測(ce)試中(zhong)的源(yuan)和(he)測(ce)量(liang)功能由(you)源測(ce)量(liang)單(dan)元(yuan)（輸(shu)出(chu)並(bing)測(ce)量(liang)直流電壓(ya)和電流的電子(zi)儀器(qi)）提供(gong)。測(ce)試能(neng)力(li)的擴(kuo)展(zhan)可以(yi)通(tong)過(guo)各種(zhong)外部組(zu)件(jian)的支持(chi)實現。這(zhe)是(shi)碳(tan)納(na)米管 I-V 測(ce)試的設(she)置範(fan)例(li)以(yi)及單(dan)壁碳納米管(guan)的 I-V 掃(sao)描結果：

這(zhe)幅(fu)圖(tu)說(shuo)明(ming)了(le)采(cai)用吉時利 4200-SCS 和(he) KITE 獲(huo)得的碳(tan)納(na)米(mi)管 I-V 曲(qu)線

（感(gan)謝 Zyvex 公司）

實(shi)驗(yan)器件(jian)的開(kai)發(fa)

由(you)壹系(xi)列(lie)金(jin)納米粒(li)子(zi)形(xing)成的器(qi)件(jian)。照(zhao)片由(you)芝加(jia)哥(ge)大(da)學的 K. Elteto 和(he) X.M. Lin 提供(gong)。

低(di)電平(ping)脈沖(chong)測(ce)量(liang)涉及輸(shu)出電流脈沖(chong)並(bing)測(ce)量(liang)所產生的電壓(ya)。因(yin)為(wei)美(mei)國(guo)吉(ji)時利keithley6221 / 2812A 的組(zu)合用於(yu)解決在(zai)低信(xin)號(hao)電平(ping)、低電平(ping)噪聲條件(jian)下(xia)的脈(mai)沖(chong)特(te)性分(fen)析問題(ti)。然(ran)而，6221 / 2182A 組(zu)合與(yu)以(yi)往所有(you)的測(ce)試配(pei)置(zhi)在(zai)壹些重要(yao)方(fang)面(mian)不(bu)相(xiang)同。壹(yi)個區別(bie)是(shi)所有(you)脈(mai)沖(chong)測(ce)量(liang)都(dou)是(shi)差分(fen) （或相對(dui)）測(ce)量(liang)。這(zhe)意(yi)味(wei)著(zhe)會(hui)給(gei)測(ce)量(liang)信號(hao)增(zeng)加(jia)誤差（例(li)如偏(pian)移(yi)、漂移(yi)、噪聲和熱(re)電的 EMF）的背景(jing)電壓(ya)被消(xiao)除(chu)了(le)。

由(you)於(yu)熱電壓(ya)和儀(yi)表(biao)偏(pian)移(yi)產生的直流偏(pian)移(yi)會(hui)給(gei)測(ce)量(liang)的電壓(ya)帶(dai)來嚴重誤(wu)差。

使(shi)用 delta 模式測(ce)量(liang)技術消除偏(pian)移(yi)。

進(jin)行相(xiang)對測(ce)量(liang)消除偏(pian)移(yi)誤(wu)差。

測(ce)量(liang)的 delta 電壓(ya)對電流脈沖(chong)產生正確的電壓(ya)響應。

兩(liang)點 delta 模式(shi)測(ce)量(liang)的操(cao)作(zuo)是(shi)輸出(chu)電流脈沖(chong)並(bing)且(qie)在(zai)每次(ci)脈(mai)沖(chong)之(zhi)前和脈沖(chong)期間(jian)各(ge)進(jin)行壹(yi)次(ci)測(ce)量(liang)。得到這(zhe)兩(liang)次(ci)測(ce)量(liang)的差值就消(xiao)除了(le)任(ren)何(he)恒定(ding)的熱(re)電偏(pian)移(yi)，保留(liu)了(le)真實的電壓(ya)值。然(ran)而，兩(liang)點測(ce)量(liang)法不(bu)能消除(chu)隨時間漂移(yi)的熱(re)電偏(pian)移(yi)。使(shi)用 delta 方法中(zhong)的第(di)三個測(ce)量(liang)點就能(neng)消除(chu)漂移(yi)的偏(pian)移(yi)量(liang)。

壹種可選(xuan)的第(di)三個測(ce)量(liang)點能幫助消除移(yi)動的偏(pian)移(yi)量(liang)。

第三個測(ce)量(liang)點是可選(xuan)的，但是並不可取(qu)。例(li)如，取決於(yu)器件(jian)的定(ding)時特性，如果輸(shu)出的電流脈沖(chong)對(dui)器(qi)件(jian)有(you)長期效(xiao)應(ying)，那(na)麽(me)由(you)於(yu) DUT 脈沖(chong)帶(dai)來的熱(re)量(liang)，用於(yu)取消(xiao)移(yi)動偏(pian)移(yi)的第(di)三測(ce)量(liang)點可能(neng)包(bao)含(han)誤(wu)差，因(yin)此弊(bi)大(da)於(yu)利。

測(ce)試方(fang)案

吉時利測(ce)量(liang)儀器在(zai)納米(mi)技術研究和(he)開(kai)發環境(jing)中(zhong)的應(ying)用不斷(duan)擴(kuo)大(da)。這(zhe)裏(li)示出的應(ying)用僅(jin)是(shi)吉時利測(ce)量(liang)儀器和系統適合的納(na)米(mi)技(ji)術測(ce)試和(he)測(ce)量(liang)任務節選(xuan)。如果您(nin)的測(ce)試需(xu)要(yao)輸(shu)出(chu)或(huo)測(ce)量(liang)低電平(ping)信號(hao)，那(na)麽(me)吉時利測(ce)量(liang)儀器能幫助您更準確、更經(jing)濟(ji)有(you)效(xiao)地執(zhi)行這(zhe)些操作。

4200-SCS 半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統

特點：

符(fu)合 IEEE P1650-2005 標(biao)準(zhun)；

易(yi)於(yu)使用，基於(yu) Windows 操作(zuo)；

完整(zheng)、集(ji)成方案；

無以倫比的靈活性和(he)適(shi)應性。

吉(ji)時利zui初(chu)開發(fa) 4200-SCS 是(shi)用於(yu)半導(dao)體(ti)工業(ye)，但是納米技(ji)術研究人(ren)員很快就發(fa)現 4200-SCS 對於(yu)納米(mi)級(ji)材(cai)料和器(qi)件的開(kai)發(fa)和(he)研究非(fei)常有(you)效(xiao)。今天，4200-SCS 強大(da)的特(te)性分(fen)析系統是用於(yu)*納米(mi)技術研究和(he)教(jiao)育(yu)實(shi)驗(yan)室的行業(ye)標(biao)準(zhun)工具(ju)，其應(ying)用領(ling)域從(cong)材(cai)料研究和(he)納(na)米結構開(kai)發(fa)到納(na)米(mi)電子(zi)器件(jian)的I-V特(te)性分(fen)析。4200-SCS 系統深受歡迎的部分(fen)原(yuan)因(yin)是吉(ji)時利不(bu)斷(duan)致(zhi)力(li)於(yu)增強(qiang)其硬(ying)件(jian)和軟件(jian)性能(neng)以(yi)滿(man)足(zu)新興(xing)測(ce)試需(xu)求。吉(ji)時利不(bu)斷(duan)致(zhi)力(li)於(yu)提高(gao) 4200-SCS 的性能(neng)確(que)保不(bu)斷(duan)為(wei)您(nin)提供(gong)經(jing)濟(ji)有(you)效(xiao)的系(xi)統升(sheng)級(ji)途(tu)徑(jing)到的測(ce)量(liang)性能(neng)。

帶(dai)給納米(mi)科學(xue)研究人(ren)員的主要(yao)好(hao)處

1.精(jing)密、有(you)把(ba)握(wo)地分(fen)析納米(mi)材(cai)料和實(shi)驗(yan)器件(jian)的能(neng)力(li)；

2.直流、脈沖(chong)、射頻(pin)測(ce)試：擴(kuo)展(zhan)您(nin)的能(neng)力(li)，拓(tuo)展發(fa)現的潛力(li)；

3.可配(pei)置(zhi)、可擴(kuo)縮(suo)、可升(sheng)級(ji)：現在(zai)能工作(zuo)，以後(hou)能成長；

4.脈(mai)沖(chong)測(ce)試zui小(xiao)化(hua)焦(jiao)耳熱(re)效(xiao)應(ying)；

5.4200-SCS 符(fu)合並且支持(chi)世(shi)界(jie)*項用於(yu)碳納(na)米管的電測(ce)量(liang)標(biao)準(zhun) —— IEEE P1650-2005 標(biao)準(zhun)：“測(ce)量(liang)碳納米管電氣(qi)特性的 IEEE 標(biao)準(zhun)測(ce)試方(fang)法”。

6.吉(ji)時利高(gao)速(su)和簡(jian)潔的測(ce)試方(fang)案能讓(rang)生(sheng)物(wu)學家、化學家、物(wu)理學家或其他(ta)研究人(ren)員簡(jian)便地進(jin)行復雜(za)測(ce)量(liang)。

7.吉時利產品被您(nin)的同行在(zai)久(jiu)負盛(sheng)名(ming)的納(na)米(mi)科學(xue)研究期刊(kan)中(zhong)廣(guang)泛(fan)使用和引用，例如：

- 《納米(mi)快報(bao)》（Nano Letters）- 《納(na)米(mi)技(ji)術》（Nanotechnology）- 《IEEE 納米技術匯刊(kan)》（IEEE Transactions on Nanotechnology）

- 《先(xian)進(jin)材(cai)料》（Advanced Materials）- 《自然(ran)》（Nature）- 《應用物(wu)理快報(bao)》（Applied Physics Letters）

納(na)米(mi)聯(lian)盟(meng)合作夥伴資源

納(na)米(mi)工程(cheng)功能(neng)材(cai)料研究中(zhong)心(xin) （FENA）西部納(na)米(mi)電子(zi)研究所（WIN）加(jia)州納(na)米(mi)系統研究院(yuan) （合作夥伴）

常用產品

此部分(fen)的鏈(lian)接(jie)將(jiang)您帶(dai)到每(mei)款(kuan)儀器(qi)的產品網(wang)頁，其中(zhong)包(bao)含(han)手(shou)冊(ce)、軟件(jian)和(he)驅動的快速(su)鏈接(jie)。

美國(guo)吉(ji)時利keithley4200 型(xing)半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統

4200-SCS 型半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統

4200-CVU 型集成 C-V 選(xuan)件(jian)用於(yu) 4200-SCS

4200- PIV-A 型脈(mai)沖(chong) C-V 選(xuan)件(jian)用於(yu)4200-SCS

數字(zi)源表

2400 型通用數字源(yuan)表

2410 型高(gao)壓源表

2420 型(xing) 3A 源表(biao)

2425 型高(gao)功率源表(biao)

2430 型脈(mai)沖(chong)源(yuan)表(biao)

2440 型(xing) 源(yuan)表

2601 型高(gao)吞(tun)吐量(liang)源表

2602 型雙通(tong)道高(gao)吞(tun)吐量(liang)源表

美國(guo)吉(ji)時利keithley2611 型(xing)高(gao)壓和脈沖(chong)輸(shu)出(chu)源(yuan)表(biao)

美國(guo)吉(ji)時利keithley2612 型(xing)雙通(tong)道(dao)高(gao)壓和脈沖(chong)輸(shu)出(chu)源(yuan)表(biao)

美國(guo)吉(ji)時利keithley2635 型(xing)低電流和脈沖(chong)輸(shu)出(chu)源(yuan)表(biao)

美國(guo)吉(ji)時利keithley2636 型(xing)雙通(tong)道(dao)低(di)電流和脈沖(chong)輸(shu)出(chu)源(yuan)表(biao)

美國(guo)吉(ji)時利keithley6430 型(xing)亞(ya) fA 程(cheng)控(kong)源表(biao)

電流源 / 納伏(fu)表(biao)

美國(guo)吉(ji)時利keithley6220 型(xing)直流電流源

美國(guo)吉(ji)時利keithley6221 型(xing)交流和直流電流源

美國(guo)吉(ji)時利keithley2182A 型(xing)納伏(fu)表(biao)

靜電計(ji) / 皮安表

美(mei)國(guo)吉(ji)時利keithley6514 型(xing)靜電計(ji)

美國(guo)吉(ji)時利keithley6517A 型(xing)靜電計(ji) / 高(gao)阻(zu)表

美(mei)國(guo)吉(ji)時利keithley6485 型(xing)皮安表

美(mei)國(guo)吉(ji)時利keithley6487 型(xing)皮安表 / 電壓(ya)源

電流放(fang)大(da)器

美(mei)國(guo)吉(ji)時利keithley428 型(xing)可編(bian)程(cheng)電流放(fang)大(da)器

脈(mai)沖(chong)發(fa)生(sheng)器(qi)

美(mei)國(guo)吉(ji)時利keithley3401 型(xing)單(dan)通(tong)道(dao)脈(mai)沖(chong) / 碼(ma)型(xing)發(fa)生(sheng)器

3402 型雙通(tong)道脈沖(chong) / 碼(ma)型(xing)發(fa)生(sheng)器

小冊子(zi)

探(tan)索(suo)應(ying)對未來(lai)納(na)米(mi)特(te)性分(fen)析挑戰的方(fang)案

4200-SCS 半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統

4200-CVU 集成 C-V 選(xuan)件(jian)用於(yu) 4200-SCS

美國(guo)吉(ji)時利keithley2600 系(xi)列數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)多通(tong)道 IV 測(ce)試儀(yi)器(qi) – 用於(yu)快速(su)研發和功(gong)能(neng)測(ce)試的可擴(kuo)縮(suo)方(fang)案

美國(guo)吉(ji)時利keithley2400 系(xi)列數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)系列(lie) 探(tan)索(suo)應(ying)對未來(lai)納(na)米(mi)特(te)性分(fen)析挑戰的方(fang)案

吉時利脈(mai)沖(chong)方(fang)案

精(jing)密、低(di)電流源用於(yu)器件(jian)測(ce)試和(he)分(fen)析

高(gao)準確度皮安表適(shi)於(yu)低電流 / 高(gao)阻(zu)應用

高(gao)準確度靜電計(ji)適於(yu)低電流 / 高(gao)阻(zu)應用

用、的無線測(ce)試創(chuang)新(xin)測(ce)試您(nin)的信(xin)號(hao)

半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統 – 產品瀏(liu)覽(lan)

4200-SCS 半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統

4200-CVU 集成 C-V 選(xuan)件(jian)用於(yu) 4200-SCS

4200- PIV-A 脈沖(chong) C-V 包(bao)用於(yu) 4200-SCS 半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統

數字源表(biao) – 產品瀏(liu)覽(lan)

SourceMeter® 儀(yi)器(qi) （電流源 / 電壓(ya)源和(he)測(ce)量(liang)產品）

2400 型數字(zi)源表

2601 型和(he) 2602 型 SourceMeter® 儀器(qi)

2611 型和(he) 261 2型 SourceMeter® 儀(yi)器（200V）

2635 型和(he) 2636 型(xing) SourceMeter® 儀器（低(di)電流）

脈沖(chong) / 碼(ma)型(xing)發(fa)生(sheng)

3400 系列脈沖(chong) / 碼(ma)型(xing)發(fa)生(sheng)器

電流源 / 納伏(fu)表(biao)

美國(guo)吉(ji)時利keithley6220 / 6221 和(he) 2182A 精(jing)密電流源和納(na)伏(fu)表(biao)

靜電計(ji) / 皮安表

低(di)電流高(gao)電阻(zu)產品

產品數據

4200-SCS 半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統技術數據手冊(ce)

44200-SCS 型(xing)半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統

4200-CVU 型集成 C-V 選(xuan)件(jian)用於(yu) 4200-SCS

美國(guo)吉(ji)時利keithley2400 系(xi)列數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)系列(lie)

美國(guo)吉(ji)時利keithley2600 系(xi)列數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)多通(tong)道 I-V 測(ce)試方(fang)案

美國(guo)吉(ji)時利keithley6430 型(xing)亞(ya) fA 程(cheng)控(kong)源表(biao)

美(mei)國(guo)吉(ji)時利keithley2182A 型(xing)納伏(fu)表(biao)

美國(guo)吉(ji)時利keithley6220 型(xing)直流電流源和 6221 型(xing)交流和直流電流源

美國(guo)吉(ji)時利keithley6485 型(xing)皮安表

美(mei)國(guo)吉(ji)時利keithley6487 型(xing)皮安表 / 電壓(ya)源

美(mei)國(guo)吉(ji)時利keithley6514 型(xing)可編(bian)程(cheng)靜(jing)電計(ji)

美國(guo)吉(ji)時利keithley6517A 型(xing)靜電計(ji) / 高(gao)阻(zu)表

65 型(xing)高(gao)電阻(zu)率測(ce)量(liang)包(bao)

428-PROG 型(xing)可編(bian)程(cheng)電流放(fang)大(da)器

3400 系(xi)列(lie)脈(mai)沖(chong) / 碼(ma)型(xing)發(fa)生(sheng)器

美國(guo)吉(ji)時利keithley白(bai)皮書(shu)

納(na)米科技(ji)測(ce)試的挑戰

提高(gao)納米電子(zi)和分(fen)子(zi)電子(zi)器件(jian)的低(di)電流測(ce)量(liang)

在(zai)低功(gong)率和(he)低壓應用中實現準確(que)、可靠的電阻(zu)測(ce)量(liang)

納米級(ji)器(qi)件(jian)和(he)材(cai)料的電氣(qi)測(ce)量(liang)

提高(gao)超高(gao)電阻(zu)和電阻(zu)率測(ce)量(liang)的可重復性

壹(yi)種(zhong)微分(fen)電導(dao)的改(gai)進(jin)測(ce)量(liang)方法

納(na)米技術準確電氣(qi)測(ce)量(liang)的技(ji)術

納米級(ji)材(cai)料的電氣(qi)測(ce)量(liang)

降低外部誤(wu)差源(yuan)影響的儀(yi)器(qi)技(ji)術

迎接 65nm 節點的測(ce)量(liang)挑戰

用於(yu)測(ce)量(liang)半導(dao)體(ti)材(cai)料的高(gao)電阻(zu)率和(he)霍(huo)爾電壓(ya)的測(ce)量(liang)儀器和技術

電子(zi)計(ji)數：如何(he)用微微微(wei)安量(liang)程測(ce)量(liang)電流

低壓測(ce)量(liang)技術

基於(yu)吉時利 4200-SCS 的局(ju)域網(wang)實驗(yan)室用於(yu)微電子(zi)工程(cheng)教育(yu)

納(na)米技(ji)術在(zai)半導(dao)體(ti)行業(ye)中的作(zuo)用

為(wei)大(da)學生(sheng)制(zhi)造實(shi)驗(yan)室設(she)計(ji)特性分(fen)析系統

用 6 線歐姆(mu)測(ce)量(liang)技術實現更高(gao)準確度的電阻(zu)測(ce)量(liang)

新型儀器能(neng)穩(wen)住鎖定(ding)狀態

應(ying)用筆(bi)記

4200-SCS

#2239 用 4200 進(jin)行柵極電介(jie)質電容(rong) - 電壓(ya)特性分(fen)析

#2240 評估氧化層的可靠性

#2241 用低噪聲 4200-SCS 進(jin)行超(chao)低電流測(ce)量(liang)

#2475 用 4200-SCS 實現 4 探(tan)針(zhen)電阻(zu)率和(he)霍(huo)爾電壓(ya)測(ce)量(liang)

#2481 利用 4200-SCS 和 Zyvex S100 納米(mi)控(kong)制器(qi)實(shi)現納米(mi)線和納米(mi)管的 I-V 測(ce)量(liang)

#2851 用 4200-SCS 半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統和 3400 系列脈(mai)沖(chong) / 碼(ma)型(xing)發(fa)生(sheng)器進(jin)行電荷(he)泵測(ce)量(liang)

#2876 使用 4200-SCS 半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統對太陽(yang)能(neng) / 光(guang)伏(fu)電池(chi)進(jin)行 I-V 和(he) C-V 測(ce)量(liang)

基於(yu) 4200-SCS 半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統的 MOS 電容(rong) C-V 特性分(fen)析

面向(xiang) CMOS 晶體管的 4200 脈(mai)沖(chong) IV 測(ce)量(liang)

數字源表

#804 用 2400 系列數(shu)字源表(biao)進(jin)行 IDDQ 測(ce)試和(he)待(dai)機(ji)電流測(ce)試

#1953 使(shi)用 2420 測(ce)量(liang)光(guang)伏(fu)電池(chi)的 I-V 特(te)性

#2217 多(duo)臺(tai)數(shu)字(zi)源表(biao)的觸發器(qi)同步(bu)

#2218 高(gao)亮(liang)度、可見光(guang) LED 的生(sheng)產測(ce)試

#2402 OLED 顯(xian)示(shi)器的直流生產測(ce)試

#2616 將(jiang) 2400 系列(lie)數字(zi)源表的 SCPI 應(ying)用轉換為(wei) 2600 系(xi)列(lie)源表(biao)的腳(jiao)本(ben)應(ying)用

#2647 用 2600 系列數(shu)字源表(biao)進(jin)行 IDDQ 測(ce)試和(he)待(dai)機(ji)電流測(ce)試

#2814 在(zai)運行中(zhong)第 5 次(ci)測(ce)量(liang)用於(yu)偏(pian)置溫(wen)度不穩(wen)定特性分(fen)析

使用兩(liang)臺(tai) 2400 型(xing)數(shu)字源(yuan)表(biao)輸出(chu) 2A 電流

技術筆(bi)記：數字(zi)源(yuan)表的緩(huan)沖(chong)器(qi)以(yi)及如何(he)用這(zhe)兩(liang)個緩沖(chong)器(qi)獲(huo)取多(duo)達(da) 5000 點數據

我能(neng)否用 2400 或其它(ta)非(fei)脈(mai)沖(chong)模(mo)式(shi)源(yuan)表(biao)產生電流（或電壓(ya)）脈沖(chong)？

排除 SCPI 常見錯誤

使用吉時利數(shu)字源(yuan)表(biao)和(he) LabTracer 軟件(jian)的器(qi)件(jian)特(te)性分(fen)析技術

脈沖(chong)發(fa)生(sheng)器(qi)

#2851 用 4200-SCS 半導(dao)體(ti)特性分(fen)析系統和 3400 系列脈(mai)沖(chong) / 碼(ma)型(xing)發(fa)生(sheng)器進(jin)行電荷(he)泵測(ce)量(liang)

電流源 / 納伏(fu)表(biao)

#1132 理解低壓(ya)測(ce)量(liang)技術

#2611 基於(yu) 6221 / 2182A 組合的低(di)電平(ping)脈沖(chong)電氣(qi)特性分(fen)析

#2615 使用四點共線探(tan)針(zhen)和 6221 電流源確定(ding)電阻(zu)率和(he)電導(dao)率(lv)類型

靜(jing)電計(ji) / 皮安表

#312 高(gao)阻(zu)測(ce)量(liang)

#314 體電阻(zu)率和(he)表(biao)面(mian)電阻(zu)率

#1671 低(di)電流測(ce)量(liang)

#2464 用 6517A 對惰性氣(qi)體(ti)或高(gao)度真空(kong)中(zhong)的小(xiao)晶體進(jin)行高(gao)電阻(zu)測(ce)量(liang)

#2615 使用四點共線探(tan)針(zhen)和 6221 電流源確定(ding)電阻(zu)率和(he)電導(dao)率(lv)類型

其它(ta)應用領(ling)域

半導(dao)體(ti)器件(jian)實(shi)驗(yan)室

電路 / 基礎電子(zi)實驗(yan)室

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