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堅(jian)融(rong)實(shi)業(ye)專(zhuan)業(ye)應用(yong)工(gong)程(cheng)師為(wei)您(nin)的(de)太(tai)陽能(neng)(光電(dian))測(ce)量提(ti)供(gong):美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY太(tai)陽能(neng)電(dian)池I-V和C-V特(te)性(xing)分(fen)析(xi)方案,避免了集(ji)成(cheng)分立(li)設(she)備(bei)或(huo)寫(xie)復雜程(cheng)序的(de)麻煩。
各種(zhong)太(tai)陽能(neng)電(dian)池(光電(dian))技術的(de)電(dian)特性(xing),包括:
單晶(jing)矽
多(duo)晶(jing)矽
無定(ding)形(xing)矽
CIGS
CdTe
有機聚合(he)物
關(guan)鍵(jian)參數的(de)測(ce)量包括:
開(kai)路(lu)電(dian)壓(Voc)
短(duan)路(lu)電(dian)流(Isc)
在Pmax上(shang)的(de)電(dian)壓(Vmax)
填(tian)充(chong)因子(zi)(ff)
串聯電(dian)阻(Rs)
轉換(huan)效率(lv)(η)
摻雜密(mi)度(N)
旁(pang)路(lu)電(dian)阻(Rsh)
zui大(da)輸出(chu)功(gong)率(Pmax)
電(dian)池電(dian)阻率
缺(que)陷(xian)密度
美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY4200-SCS半(ban)導體特(te)性(xing)分(fen)析(xi)系統(tong)
具有直觀(guan)GUI的(de)全集(ji)成(cheng)IV和CV turn-key解(jie)決(jue)方案
用(yong)於(yu)提(ti)取(qu)關(guan)鍵(jian)單元參數的(de)內(nei)建(jian)庫(ku)以及先(xian)進(jin)的(de)分析(xi)和公式(shi)化(hua)工具
4象(xiang)限(xian)工作(源(yuan)/阱)
1A @ 20V
100mA @ 200V
電(dian)容(rong)電(dian)壓(CV)選(xuan)項(xiang)
“交鑰匙(chi)”方案帶內(nei)建(jian)軟(ruan)件用(yong)於(yu)全(quan)部(bu)數據(ju)分(fen)析(xi)和電(dian)池參(can)數計算
結合(he)707a開(kai)關(guan)矩(ju)陣用(yong)於(yu)多(duo)電(dian)池測(ce)試
美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY2602B數字源表(biao)
4象(xiang)限(xian)工作(源(yuan)/阱)
集(ji)精密(mi)電(dian)源、高(gao)精(jing)度DMM和電(dian)子負載(zai)於(yu)壹體的(de)IV特征(zheng)分析(xi)壹站(zhan)式(shi)解決(jue)方案
雙通(tong)道(dao)
3A @ 6V
10A @ 20V
1A @ 20V
內(nei)建(jian)TSP Express軟(ruan)件用(yong)於(yu)快捷的(de)I-V測(ce)試
ACS基礎(chu)版(ban)軟(ruan)件選件(jian)帶預置太(tai)陽能(neng)方案
美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY2440或(huo)美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY2425數字源表(biao)
4象(xiang)限(xian)工作(源(yuan)/阱)
集(ji)精密(mi)電(dian)源、高(gao)精(jing)度DMM和電(dian)子負載(zai)於(yu)壹體的(de)IV特征(zheng)分析(xi)壹站(zhan)式(shi)解決(jue)方案
@ 10V(2440型)
3A @ 20V(2425型)
1A @ 100V(2425型)
內(nei)建(jian)掃(sao)描(miao)函(han)數以(yi)便(bian)於(yu)I-V性(xing)能(neng)測(ce)試
提(ti)供(gong)6種(zhong)不(bu)同(tong)模型用(yong)於(yu)寬(kuan)範(fan)圍(wei)I-V測(ce)試要求(qiu)
結合(he)美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY7001型或(huo)美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY7002型開(kai)關(guan)主機用(yong)於(yu)多(duo)電(dian)池測(ce)試
太(tai)陽能(neng)電(dian)池的(de)關(guan)鍵(jian)參數和測(ce)量技(ji)術(shu):
太(tai)陽能(neng)電(dian)池的(de)典型正向偏壓I-V特(te)性(xing)
結(jie)晶(jing)矽太(tai)陽能(neng)電(dian)池的(de)摻雜密(mi)度(N)可以由電(dian)容(rong)-電(dian)壓掃(sao)描(miao)來確(que)定(ding)
太(tai)陽能(neng)電(dian)池的(de)旁(pang)路(lu)電(dian)阻可以根(gen)據(ju) 反相(xiang)偏壓I-V掃(sao)描(miao)估(gu)算。
串(chuan)聯電(dian)阻(Rs)可以由太(tai)陽能(neng)電(dian)池在多(duo)種 光強的(de)正向I-V掃(sao)描(miao)來確(que)定(ding)。
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