日(ri)期:2013-12-18瀏覽(lan):3317次
MICROTEST LCR電橋(qiao)替(ti)代美(mei)國(guo)福祿(lu)克FLUKE PM6306,PM6304 LCR電橋,性(xing)能(neng)和指(zhi)標(biao)更勝*
基(ji)本度:±0.1%
顯(xian)示精度(du):5位
量(liang)測參數:|Z|、 |Y|、Θ、R、X、G、B、L、C、Q、D、ESR、DCR
頻率(lv)範圍(wei):
6373 20Hz ~ 20KHz
6374 20Hz ~ 100KHz
6375 20Hz ~ 200KHz
6376 20Hz ~ 500KHz
6377 20Hz ~ 1MHz
6378 20Hz ~ 5MHz
6379 20Hz ~ 10MHz
等效電(dian)路(lu)模式:串聯(lian)/並(bing)聯(lian)
運算(suan)模式:值(zhi)/百(bai)分(fen)比(bi)
頻率(lv)輸出(chu)度:±0.01%
輸出(chu)阻抗:100Ω
測試電(dian)平(ping):10mV to 2V rms (1m Vrms 分(fen)辨(bian)率(lv))
量(liang)測(ce)範圍(wei):
|Z| R X :0.1 mΩ ~ 100MΩ
|Y| G B :10nS ~ 1000S
C:0.01pF ~ >1F
L:0.01nH - 100KH
D:0.00001 ~ 9.9999
Q:0.1 ~ 9999.9
Θ:-180° ~ +180°
DCR:0.1mΩ ~ 100MΩ
Δ%:-999.99% ~ 999.99%
量(liang)測(ce)速度(du)
Max :30mS
Fast :60mS
Medium :120mS
Slow :500mS
LCD顯(xian)示器:320*240 dot-matrix display
偏差校(xiao)正(zheng)功能(neng):Zero OPEN / SHORT避免夾具或治具(ju)上的雜亂(luan)電(dian)阻引起(qi)誤(wu)差
比(bi)較器:依主(zhu)參數或次參數設(she)定(ding)上下(xia)限(xian)
內建(jian)式內存(cun), 可儲(chu)存(cun)64組Multi-step設(she)定(ding)
界面(mian):RS-232, GPIB, Handler (option)
中國(guo)臺灣(wan)益和LCR數字電橋MICROTEST6375,MICROTEST6376,MICROTEST6377替(ti)代美(mei)國(guo)福祿(lu)克FLUKE PM6306,PM6304 LCR電橋