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          SD/eMMC Expert測試分(fen)析(xi)embeded MultiMedia Card解決(jue)方(fang)案(an)

          日(ri)期(qi):2014-05-21瀏覽(lan):3294次(ci)

          中(zhong)國電(dian)子(zi)行業儀器(qi)供應(ying)商(shang)——堅融(rong)實業JETYOO INDUSTRIAL,專(zhuan)業為中(zhong)國區用戶(hu)提(ti)供的儀器與(yu)服務,在業界(jie)積累了(le)16年豐富(fu)經(jing)驗(yan),提(ti)供解(jie)決(jue)方(fang)案(an)、測(ce)試(shi)測(ce)量技術(shu)改進(jin)、技術(shu)培訓(xun)、售後維修服務。Support、銷(xiao)售Sale、服務Service,3S公(gong)司(si),為上海華(hua)東地(di)區*壹家以技術(shu)為導向(xiang)的儀器綜(zong)合服務商(shang)。


          SD/eMMC Expert測(ce)試分(fen)析(xi)儀eMMC(embeded MultiMedia Card)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)
          看(kan)好(hao)未(wei)來智(zhi)慧(hui)型(xing)手(shou)機成長(chang)潛力(li),eMMC(embeded MultiMedia Card)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)在NAND Flash產(chan)業應用(yong)中(zhong)快速(su)崛(jue)起(qi),尤(you)其是(shi)eMMC4.4版本規格(ge)定調後,更是(shi)讓eMMC勢(shi)力如(ru)虎添翼(yi),NAND Flash大廠紛(fen)紛推出(chu)eMMC新(xin)解(jie)決(jue)方(fang)案(an),搶(qiang)攻這壹波智(zhi)慧(hui)型(xing)手(shou)機的商機。美(mei)光(Micron)NAND Flash事(shi)業部(bu)門工(gong)程總(zong)監Daniel R. Loughmiller表(biao)示(shi),相(xiang)當(dang)看好(hao)eMMC解決(jue)方(fang)案(an)會(hui)在手(shou)機內建式記憶體(ti)市(shi)場(chang)中(zhong)快速(su)成長(chang),美光的MCP業務預計(ji)也受惠eMMC趨(qu)勢(shi)往上而逐(zhu)漸成長(chang),預計(ji)2013年上看8.35億(yi)美(mei)元規模,目(mu)前eMMC解決(jue)方(fang)案(an)已送往5大手(shou)機廠作認證(zheng),有信(xin)心(xin)2010年(nian)其中(zhong)2~3家手(shou)機廠可(ke)進入量產(chan)。

          過(guo)去在外(wai)接式記憶卡時代(dai),SD和(he)MMC規格(ge)競(jing)爭激烈(lie),zui後由(you)SD規格(ge)獲(huo)得市場(chang)主流(liu)地(di)位(wei),然(ran)風(feng)水輪(lun)轉到(dao)內建式記憶卡時代(dai),SD和(he)MMC規格(ge)分(fen)別(bie)推出(chu)eSD和(he)eMMC內建式記憶體(ti)標(biao)準(zhun),而eMMC標(biao)準(zhun)挾(xie)持(chi)開(kai)放(fang)式規格(ge)的優(you)勢(shi),加(jia)上與(yu)JEDEC協(xie)會(hui)合作,因此eMMC目(mu)前成為手(shou)機內建記憶體(ti)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)的主流(liu)。而(er)eMMC標準(zhun)規格(ge)經(jing)歷(li)4.2和(he)4.3規格(ge)後(hou),到(dao)4.4規格(ge)才(cai)算成熟(shu)。

          根據(ju)市調機(ji)構(gou)預估(gu),2009年手(shou)機出(chu)貨量約11.75億(yi)支(zhi),預計(ji)到(dao)了2013年(nian)將成長(chang)至14.9億(yi)支(zhi),而(er)市場(chang)眾望(wang)所歸智(zhi)慧(hui)型(xing)手(shou)機的成長(chang)潛力(li)zui高。

          Loughmiller表示(shi),手(shou)機中(zhong)的記憶體(ti)需(xu)要肩(jian)負兩(liang)個(ge)責(ze)任(ren),壹(yi)個是(shi)OS開(kai)機中(zhong)能,另(ling)壹(yi)是(shi)儲(chu)存數位(wei)資料(liao)的功能,舊(jiu)款手(shou)機多(duo)使用NOR Flash晶(jing)片(pian),像是(shi)OneNAND概念的產品,但(dan)因為NOR Flash的儲(chu)存容量(liang)相(xiang)當(dang)有限,因此eMMC解(jie)決(jue)方(fang)案(an)問(wen)世(shi)後,手(shou)機記憶體(ti)逐(zhu)漸轉向(xiang)采用NAND Flash晶(jing)片。

          美光內部(bu)預估(gu),2009年MCP業務營(ying)收貢(gong)獻達(da)2.55億(yi)美(mei)元,預計(ji)在2013年(nian)上看8.35億(yi)美(mei)元,而MCP業務規模會(hui)成長(chang)快速(su),主要(yao)是(shi)受惠eMMC趨(qu)勢(shi)和(he)以NAND Flash記憶體(ti)為(wei)基(ji)礎(chu)的手(shou)機解(jie)決(jue)方(fang)案(an)興(xing)起(qi)所致。

          美光也估(gu)計(ji),2010年的eMMC市場(chang)會(hui)到(dao)15億(yi)美(mei)元,預計(ji)到(dao)2011年會(hui)達(da)到(dao)20億(yi)美(mei)元手(shou)機內建式記憶體(ti)的普(pu)及(ji)率(lv)到(dao)2012年會(hui)達(da)90%,eMMC解(jie)決(jue)方(fang)案(an)會(hui)在手(shou)機內建式記憶體(ti)市(shi)場(chang)中(zhong)快速(su)增(zeng)加(jia)。目(mu)前美光提(ti)供的eMMC產品容量(liang)從(cong)1GB到(dao)32GB。

          Loughmiller進壹(yi)步表示(shi),目(mu)前針對(dui)5大手(shou)機廠諾(nuo)基(ji)亞(ya)(Nokia)、三(san)星電(dian)子(zi)(Samsung Electronics)、摩托羅拉(Motorola)和(he)樂金電(dian)子(zi)(LG Electronics),美光都開(kai)始將旗下(xia)eMMC產品送認證(zheng),預計(ji)其中(zhong)2~3家2010年(nian)可以進入量產(chan),期望(wang)未(wei)來(lai)2~3年(nian)內,5大手(shou)機廠都(dou)會(hui)導入eMMC標準(zhun)規格(ge)。

          eMMC規格(ge)的優(you)點在於(yu)簡(jian)化(hua)手(shou)機中(zhong)硬體和(he)軟(ruan)體(ti)的整合,也簡(jian)化(hua)手(shou)機中(zhong)NAND Flash記憶體(ti)的設(she)計(ji),手(shou)機廠不(bu)需要(yao)擔(dan)心(xin)每(mei)推出(chu)壹(yi)個世(shi)代(dai)的NAND Flash制程(cheng),或是(shi)不同(tong)NAND Flash大廠的晶片產(chan)品,就要(yao)更改壹(yi)次(ci)設(she)計(ji),也不需(xu)擔心(xin)手(shou)機和(he)記憶體(ti)會(hui)出(chu)現不(bu)相(xiang)容(rong)和(he)資料(liao)安(an)全性(xing)的問題。

          此(ci)外(wai),除了(le)這種(zhong)簡化(hua)手(shou)機記憶體(ti)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)的技術(shu)將興(xing)起外,未來控制晶(jing)片的角(jiao)色(se)也將(jiang)更為(wei)重(zhong)要,這(zhe)些趨(qu)勢(shi)都是(shi)為了管(guan)理(li)NAND Flash晶片(pian),使得記憶體(ti)的效(xiao)率(lv)能大幅(fu)提(ti)升。
          手(shou)機記憶體(ti)包(bao)含PSDRAM、Low Power DDR1、Low Power DDR2、SB(Small Block)SLC NAND Flash、LB(Large Block)SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、micronSD、eMMC和(he)NOR Flash晶片。目(mu)前產品線zui齊全(quan)者(zhe)為南韓半導體(ti)大廠三(san)星電(dian)子(zi)(Samsung Electronics),再者(zhe)是(shi)美光(Micron)和(he)海力(li)士(Hynix),其中(zhong)NOR Flash功能由(you)於(yu)逐(zhu)漸被NAND Flash取代(dai),因此單(dan)純生(sheng)產NAND Flash記憶體(ti)的業者(zhe),未來(lai)在手(shou)機記憶體(ti)市(shi)場(chang)上可能會(hui)有(you)逐漸被邊緣(yuan)化的趨(qu)勢(shi)。

          eMMC目(mu)前是(shi)zui當(dang)紅的手(shou)機解(jie)決(jue)方(fang)案(an),目(mu)的在於(yu)簡(jian)化(hua)手(shou)機記憶體(ti)的設(she)計(ji),由(you)於(yu)NAND Flash晶(jing)片(pian)的不同(tong)廠牌包(bao)括(kuo)三(san)星、東(dong)芝(Toshiba)或(huo)海力(li)士(Hynix)、美光(Micron)等,當(dang)手(shou)機客(ke)戶(hu)在導入時,都(dou)需要根據(ju)每家公(gong)司(si)的產品和(he)技術(shu)特性(xing)來重(zhong)新(xin)設(she)計(ji),過(guo)去並沒有(you)1個(ge)技術(shu)能夠(gou)通用所有廠牌的NAND Flash晶片。

          而(er)每1次(ci)NAND Flash制程(cheng)技術(shu)改朝(chao)換(huan)代(dai),包括(kuo)70奈(nai)米演進至50奈(nai)米,再(zai)演進至40奈(nai)米或(huo)30奈(nai)米制程(cheng)技術(shu),手(shou)機客(ke)戶(hu)也(ye)都要重(zhong)新(xin)設(she)計(ji),但(dan)半導體(ti)產品每1年(nian)制程(cheng)技術(shu)都會(hui)推陳出新(xin),記憶體(ti)問(wen)題也(ye)拖(tuo)累手(shou)機新(xin)機(ji)種(zhong)推出(chu)的速度(du),因此像eMMC這(zhe)種(zhong)把(ba)所有記憶體(ti)和(he)管(guan)理(li)NAND Flash的控制晶(jing)片都(dou)包(bao)在1顆(ke)MCP上的概念,逐漸風行(xing)起來(lai)。

          eMMC技術(shu)打敗其他(ta)類似(si)概(gai)念的產品而勝(sheng)出(chu),預計(ji)2010年會(hui)逐(zhu)漸普(pu)及(ji)於(yu)手(shou)機市(shi)場(chang),記憶體(ti)大廠美(mei)光估(gu)計(ji),2010年的eMMC市場(chang)會(hui)到(dao)15億(yi)美(mei)元,預計(ji)到(dao)2011年會(hui)達(da)到(dao)20億(yi)美(mei)元水準(zhun)

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