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本公司(si)有(you)大量晶矽(gui)太陽(yang)能電池(chi)片庫存備(bei)貨(huo),歡迎(ying)來人(ren)來電洽商(shang)。
本公司(si)生產(chan)的(de)單晶矽(gui)太陽(yang)能電池(chi)片,多晶矽(gui)太陽(yang)能電池(chi)片經下遊(you)廠(chang)家全(quan)部(bu)出口歐(ou)美(mei),為華(hua)東(dong)地區(qu)zui大(da)的(de)太陽(yang)能光(guang)伏組(zu)件生產(chan)企(qi)業之壹(yi)。
堅(jian)融(rong)品(pin)質,堅(jian)如(ru)磐石(shi)!
單多晶矽(gui)太陽(yang)能電池(chi)片及(ji)相關(guan)組(zu)件:
125*125單晶矽(gui)太陽(yang)能電池(chi)片
晶體矽(gui)太陽(yang)電(dian)池(chi)的(de)優良(liang)性能簡介(jie):
•率(lv),低(di)衰減,可(ke)靠(kao)性強(qiang);
•先進(jin)的(de)擴(kuo)散技術,保證(zheng)了(le)片間(jian)片內(nei)的(de)良(liang)好(hao)均(jun)勻性,降低(di)了(le)電(dian)池(chi)片之間(jian)的(de)匹(pi)配(pei)損(sun)失;
•運用(yong)先進(jin)的(de)管(guan)式PECVD成(cheng)膜(mo)技術,使得(de)覆(fu)蓋在電(dian)池(chi)表面(mian)的(de)深(shen)藍色(se)氮(dan)化(hua)矽(gui)減反(fan)射膜致密(mi)、均(jun)勻、美(mei)觀;
•應用(yong)高(gao)品(pin)質的(de)金(jin)屬(shu)漿(jiang)料制(zhi)作電極(ji)和(he)背(bei)場。確保了(le)電(dian)極良(liang)好(hao)的(de)導(dao)電性、可焊性以及(ji)背(bei)場的(de)平(ping)整(zheng)性;
•高(gao)精(jing)度(du)的(de)絲(si)網印(yin)刷(shua)圖形(xing),使得(de)電池(chi)片易於自(zi)動(dong)焊(han)接。
156*156多晶矽(gui)太陽(yang)能電池(chi)片
晶體矽(gui)太陽(yang)電(dian)池(chi)的(de)優良(liang)性能簡介(jie):
•率(lv),低(di)衰減,可(ke)靠(kao)性強(qiang);
•先進(jin)的(de)擴(kuo)散技術,保證(zheng)了(le)片間(jian)片內(nei)的(de)良(liang)好(hao)均(jun)勻性,降低(di)了(le)電(dian)池(chi)片之間(jian)的(de)匹(pi)配(pei)損(sun)失;
•運用(yong)先進(jin)的(de)管(guan)式PECVD成(cheng)膜(mo)技術,使得(de)覆(fu)蓋在電(dian)池(chi)表面(mian)的(de)深(shen)藍色(se)氮(dan)化(hua)矽(gui)減反(fan)射膜致密(mi)、均(jun)勻、美(mei)觀;
•應用(yong)高(gao)品(pin)質的(de)金(jin)屬(shu)漿(jiang)料制(zhi)作電極(ji)和(he)背(bei)場。確保了(le)電(dian)極良(liang)好(hao)的(de)導(dao)電性、可焊性以及(ji)背(bei)場的(de)平(ping)整(zheng)性;
•高(gao)精(jing)度(du)的(de)絲(si)網印(yin)刷(shua)圖形(xing),使得(de)電池(chi)片易於自(zi)動(dong)焊(han)接。
125單晶電(dian)池(chi)組件
晶體矽(gui)太陽(yang)能電池(chi)組件的(de)優良(liang)性能簡介(jie):
•SF-PV的(de)組(zu)件可以滿(man)足(zu)不同(tong)的(de)消費層(ceng)次(ci)
•使用(yong)率(lv)的(de)矽(gui)太陽(yang)能電池(chi)
•組件標稱(cheng)電壓24/12V DC
•3.2mm厚(hou)的(de)鋼(gang)化(hua)玻(bo)璃(li)
•為(wei)提(ti)高(gao)抗風能力和(he)抗積(ji)雪壓力,使用(yong)耐用(yong)的(de)鋁(lv)合(he)金(jin)框架(jia)以方便(bian)裝(zhuang)配,
•組件邊框(kuang)設(she)計有(you)用(yong)於(yu)排水的(de)漏(lou)水孔消除(chu)了(le)在冬天(tian)雨(yu)或(huo)雪水長(chang)期(qi)積(ji)累在框(kuang)架(jia)內(nei)造(zao)成(cheng)結冰甚(shen)至使(shi)框(kuang)架(jia)變(bian)形
•電纜線使(shi)用(yong)快速(su)連(lian)接(jie)頭(tou)來(lai)裝配(pei)
•滿(man)足(zu)顧客要求(qiu)的(de)包(bao)裝(zhuang)
•保(bao)證(zheng)25年(nian)的(de)使(shi)用(yong)年(nian)限
156多(duo)晶電(dian)池(chi)組件
晶體矽(gui)太陽(yang)能電池(chi)組件的(de)優良(liang)性能簡介(jie):
•SF-PV的(de)組(zu)件可以滿(man)足(zu)不同(tong)的(de)消費層(ceng)次(ci)
•使用(yong)率(lv)的(de)矽(gui)太陽(yang)能電池(chi)
•組件標稱(cheng)電壓24/12V DC
•3.2mm厚(hou)的(de)鋼(gang)化(hua)玻(bo)璃(li)
•為(wei)提(ti)高(gao)風的(de)壓(ya)力(li)和(he)雪的(de)負(fu)載(zai),使(shi)用(yong)耐用(yong)的(de)鋁(lv)框(kuang)架(jia)以方便(bian)裝(zhuang)配,
•組件邊框(kuang)設(she)計有(you)用(yong)於(yu)排水的(de)漏(lou)水孔消除(chu)了(le)在冬天(tian)雨(yu)或(huo)雪水長(chang)期(qi)積(ji)累在框(kuang)架(jia)內(nei)造(zao)成(cheng)結冰甚(shen)至使(shi)框(kuang)架(jia)變(bian)形
•電纜線使(shi)用(yong)快速(su)連(lian)接(jie)頭(tou)來(lai)裝配(pei)
•滿(man)足(zu)顧客要求(qiu)的(de)包(bao)裝(zhuang)
•保(bao)證(zheng)25年(nian)的(de)使(shi)用(yong)年(nian)
125S單晶體矽(gui)太陽(yang)電(dian)池(chi)片技術參數(shu)
檔(dang)次(ci) 轉(zhuan)換效(xiao)率(lv) zui大功(gong)率(lv) zui大功(gong)率(lv)點電流(liu) zui小(xiao)功(gong)率(lv)點電流(liu) zui大(da)功(gong)率(lv)點電壓(ya) 短(duan)路(lu)電流(liu) 開路(lu)電壓(ya)
Pm(Wp) Im(A)max Im(A)min Vm(V) Isc(A) Voc(V)
A 18.00% 2.674-2.696 5.135 5.093 0.525 5.440 0.630
B 17.80% 2.645-2.673 5.111 5.057 0.523 5.410 0.628
C 17.60% 2.615-2.644 5.075 5.019 0.521 5.380 0.627
D 17.45% 2.593-2.614 5.027 4.987 0.520 5.350 0.627
E 17.30% 2.570-2.592 5.004 4.961 0.518 5.330 0.626
F 17.15% 2.548-2.569 4.988 4.948 0.515 5.320 0.620
G 17.00% 2.526-2.547 4.975 4.933 0.512 5.300 0.620
H 16.85% 2.504-2.525 4.949 4.910 0.510 5.280 0.615
I 16.70% 2.481-2.503 4.956 4.913 0.505 5.260 0.615
J 16.50% 2.452-2.480 4.911 4.850 0.505 5.240 0.615
K 16.25% 2.414-2.451 4.853 4.780 0.505 5.200 0.615
L 16.00% 2.377-2.413 4.778 4.707 0.505 5.160 0.610
M 15.75% 2.340-2.376 4.752 4.680 0.500 5.000 0.610
N 15.50% 2.303-2.339 4.678 4.606 0.500 4.980 0.605
O 15.25% 2.266-2.302 4.604 4.578 0.495 4.960 0.605
P 15.00% 2.229-2.265 4.576 4.503 0.495 4.940 0.600
SF156M多晶體矽(gui)太陽(yang)電(dian)池(chi)片技術參數(shu)
檔(dang)次(ci) 轉(zhuan)換效(xiao)率(lv) zui大功(gong)率(lv) zui大功(gong)率(lv)點電流(liu) zui大(da)功(gong)率(lv)點電壓(ya) 短(duan)路(lu)電流(liu) 開路(lu)電壓(ya)
Pm(Wp) Im(A) Vm(mV) Isc(A) Voc(mV)
A 17.50% 4.258 8.189 520 9.30±5% 625±5%
B 17.25% 4.198 8.072 520 9.22±5% 625±5%
C 17.00% 4.137 7.955 520 9.11±5% 625±5%
D 16.75% 4.076 7.914 515 9.01±5% 620±5%
E 16.50% 4.015 7.796 515 8.89±5% 620±5%
F 16.25% 3.954 7.678 515 8.78±5% 620±5%
G 16.00% 3.893 7.560 515 8.67±5% 620±5%
H 15.75% 3.833 7.515 510 8.56±5% 615±5%
I 15.50% 3.772 7.396 510 8.45±5% 615±5%
J 15.25% 3.711 7.348 505 8.30±5% 615±5%
K 15.00% 3.650 7.228 505 8.16±5% 615±5%
L 14.75% 3.589 7.107 505 8.01±5% 615±5%
M 14.50% 3.528 6.987 505 7.87±5% 615±5%
N 14.25% 3.468 6.935 500 7.75±5% 610±5%
O 14.00% 3.407 6.814 500 7.61±5% 610±5%
P 13.50% 3.285 6.637 495 7.38±5% 610±5%
Q 13.00% 3.163 6.456 490 7.12±5% 610±5%
R 12.50% 3.042 6.272 485 7.86±5% 610±5%
S 12.00% 2.920 6.084 480 6.56±5% 605±5%
T 11.50% 2.798 5.891 475 6.34±5% 600±5%
U 11.00% 2.677 5.695 470 6.08±5% 590±5%
V 10.50% 2.555 5.495 465 5.82±5% 580±5%
W <10.5%