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上海(hai)堅(jian)融(rong)實(shi)業(ye)碳(tan)納米(mi)管(guan)MOSFET電(dian)流(liu)-電(dian)壓(ya)特性(xing)IV曲線測(ce)試

實(shi)驗(yan)室(shi)中研(yan)究(jiu)的(de)許(xu)多(duo)納米(mi)級(ji)材料和器件，zui常見的電氣(qi)特性(xing)分析(xi)方(fang)法(fa)是電流與電(dian)壓(ya) (I-V) 測(ce)試。電(dian)流(liu)-電(dian)壓(ya)特性(xing)是顯(xian)示(shi)電(dian)子(zi)器件上的直(zhi)流(liu)電流與其(qi)兩端(duan)的(de)直(zhi)流(liu)電壓(ya)之間關(guan)系(xi)的(de)壹幅(fu)圖(tu)。電氣(qi)工(gong)程師(shi)使(shi)用(yong)這(zhe)些圖(tu)確(que)定器件的基本參(can)數(shu)並(bing)對(dui)電子(zi)電(dian)路的行為建模。通(tong)常，工(gong)程師(shi)將(jiang)特性(xing)分析(xi)圖(tu)稱(cheng)為 I-V曲(qu)線，從(cong)而(er)指用(yong)於(yu)電(dian)流和(he)電壓(ya)的(de)標準(zhun)符號。典型的(de)碳(tan)納米(mi)管(guan)MOSFET 的(de)漏(lou)電(dian)壓(ya)與漏(lou)電流 I-V 曲(qu)線。

上(shang)海(hai)堅(jian)融(rong)實(shi)業(ye)有限(xian)公(gong)司對(dui)於納米(mi)電子(zi)的(de)具(ju)體(ti)電(dian)流(liu)與電(dian)壓(ya)測(ce)量(liang)有自己(ji)的(de)選型(xing)指(zhi)南方(fang)案(an)，可(ke)以(yi)協(xie)助(zhu)納米(mi)科學(xue)研(yan)究(jiu)人(ren)員(yuan)進(jin)行
1.精(jing)密(mi)、有把握(wo)地(di)分析(xi)納米(mi)材料和實(shi)驗(yan)器件的能力；
2.直(zhi)流(liu)、脈沖(chong)、射(she)頻測(ce)試：拓(tuo)展發現(xian)的(de)潛力(li)；
3.吉(ji)時(shi)利(li)KEITHLEY4200-SCS 符合並(bing)且支持世界*項用(yong)於(yu)碳(tan)納米(mi)管(guan)的(de)電(dian)測(ce)量(liang)標準(zhun) —— IEEE P1650-2005 標準(zhun)：“測(ce)量(liang)碳(tan)納米(mi)管(guan)電(dian)氣(qi)特性(xing)的 IEEE 標準(zhun)測(ce)試方(fang)法(fa)”。
4.吉(ji)時利KEITHLEY高(gao)速和(he)簡(jian)潔(jie)的測(ce)試方(fang)案(an)能讓生(sheng)物(wu)學家(jia)、化(hua)學(xue)家(jia)、物(wu)理學(xue)家(jia)或其(qi)他(ta)研(yan)究(jiu)人(ren)員(yuan)簡(jian)便地(di)進行復(fu)雜(za)測(ce)量(liang)。
5.吉(ji)時(shi)利(li)產品(pin)在久負盛名(ming)的(de)納米(mi)科學(xue)研(yan)究(jiu)期(qi)刊中廣泛使(shi)用(yong)和(he)引用(yong)，例(li)如：
- 《納米(mi)快報(bao)》(Nano Letters) - 《納米(mi)技術(shu)》(Nanotechnology) - 《IEEE 納米(mi)技術(shu)匯刊》(IEEE Transactions on Nanotechnology)
- 《先(xian)進(jin)材料》(Advanced Materials) - 《自然(ran)》(Nature) - 《應(ying)用(yong)物(wu)理快報(bao)》(Applied Physics Letters)

納米(mi)聯(lian)盟(meng)合(he)作(zuo)夥(huo)伴資(zi)源有：納米(mi)工(gong)程功(gong)能材料研(yan)究(jiu)中心 (FENA)，西部納米(mi)電子(zi)研(yan)究(jiu)所(suo) (WIN)，加州納米(mi)系統(tong)研(yan)究(jiu)院 (合(he)作(zuo)夥(huo)伴)

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