基於KEITHLEY2600源表MOSFET場效(xiao)應(ying)管特性(xing)分析(xi)

基於美(mei)國(guo)吉時(shi)利(li)KEITHLEY2600系(xi)列(lie)數字(zi)源表(biao)的MOSFET場(chang)效(xiao)應(ying)晶體(ti)管特性(xing)分析(xi)解決(jue)方案(an)

半(ban)導體(ti)微(wei)米(mi)，納(na)米(mi)制造(zao)技(ji)術(shu)、工藝(yi)和電特性(xing)分析(xi)涉及到(dao)制造(zao)、分(fen)析(xi)和評估(gu)各種半(ban)導體(ti)器(qi)件(jian)，例如二(er)極管、雙極晶體(ti)管和場效(xiao)應(ying)晶體(ti)管、無(wu)源(yuan)元件乃(nai)至(zhi)集成電路器(qi)件(jian)。為(wei)了(le)簡單(dan)、快速地(di)測量二極管、晶(jing)體(ti)管、運(yun)放(fang)等(deng)有源(yuan)器(qi)件(jian)和的半(ban)導體(ti)器(qi)件(jian)結(jie)構，上(shang)海(hai)堅(jian)融(rong)實業推出了(le)基於美(mei)國(guo)吉時(shi)利(li)KEITHLEY2600系(xi)列(lie)數字(zi)源表(biao)的MOSFET場(chang)效(xiao)應(ying)晶體(ti)管特性(xing)分析(xi)解決(jue)方案(an)。吉時(shi)利(li)的2400系(xi)列(lie)SourceMeter儀器(qi)和2600系列(lie)數字(zi)源表(biao)在(zai)壹臺(tai)儀(yi)器(qi)中(zhong)集成了(le)精密(mi)電源、真(zhen)電(dian)流(liu)源和 DMM 等(deng)多(duo)種測試功(gong)能。2600 系列(lie)還包(bao)含(han)任(ren)意(yi)波形(xing)發(fa)生器(qi)、帶(dai)測量功(gong)能的電(dian)壓(ya)或電(dian)流脈(mai)沖(chong)發(fa)生器(qi)、電(dian)子(zi)負(fu)載(zai)和觸發(fa)控制器(qi)。當設計(ji)和試驗低(di)電(dian)阻(zu)、低(di)功(gong)耗(hao)半(ban)導體(ti)器(qi)時(shi)，管理(li)電源(yuan)對(dui)於防(fang)止器(qi)件(jian)損(sun)壞(huai)而言(yan)至關重要(yao)。分析(xi)現代(dai)材(cai)料、半(ban)導體(ti)和納(na)米(mi)電子(zi)元件的電(dian)阻(zu)需要(yao)輸出(chu)極低電流和測量極低電壓的能力。吉(ji)時利(li)的 delta 模(mo)式(shi) (電(dian)流(liu)反(fan)轉極性) 電阻(zu)測量功(gong)能結(jie)合了(le) 6220 或 6221 的低(di)電(dian)流 DC 源(yuan)能力以及2182A 的低(di)壓(ya)測量精度，從而非(fei)常適合(he)於(yu)低阻(zu)測量 (低至(zhi) 10 nΩ) 適(shi)於分析(xi)導通(tong)電阻(zu)參(can)數、互(hu)連和低功(gong)率(lv)半(ban)導體(ti)。

 
亞(ya)微(wei)米(mi)集成 MOSFET
輸出(chu)特性(xing)：IDS = f(VDS,VGS):
p型(xing) MOSFET (增強(qiang)或耗盡)，溝(gou)道(dao)長度調(tiao)制參(can)數(λ) 在(zai)飽和區(qu)域(yu) (VDS<–3V) 有效(xiao)溝(gou)道(dao)長度與(yu) VDS 的關系。

襯底(di)偏(pian)壓特性(xing)： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
傳輸特性(xing)： 
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k. Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.

襯底(di)電流特性(xing)：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
亞(ya)閾值(zhi)特性(xing)：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.

雙極結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管
   正(zheng)向(xiang)共發射極輸出特性(xing)：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。
   正向(xiang) CE 輸(shu)入特性(xing)：Ib = f (Vbe) 對(dui)於幾(ji)個 Vce 正值(zhi)。
   正向(xiang) Gummel 曲(qu)線(xian)： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確(que)定(ding)增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的關系： 低註入和高註(zhu)入的效(xiao)果(guo)。
   非理(li)想(xiang)特性(xing)：爾利(li)電(dian)壓(ya)。
   反(fan)向(xiang) CE 輸(shu)出(chu)特性(xing)： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向(xiang) CE 傳輸特性(xing)：Ib=f(Vbe) 對(dui)於幾(ji)個Vce負值(zhi)。
   反向(xiang) Gummel 曲(qu)線(xian)： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確(que)定(ding)增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的關系： 低註入和高註(zhu)入的效(xiao)果(guo)。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確(que)定(ding)，對(dui)於給定(ding)的 Ib 電(dian)流(liu)。
   Ebers Moll 模(mo)型(xing)構(gou)建並且(qie)與(yu)實(shi)驗做比(bi)較(jiao)。
   BE 和 CE 結(jie)的 C-V 特性(xing)分析(xi)。基區(qu)摻(chan)雜(za)濃縮。