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          萬用(yong)表(biao)DMM源測(ce)SMU晶(jing)體(ti)管反向漏(lou)電(dian)、擊穿(chuan)電(dian)壓、閾(yu)值(zhi)電(dian)壓測(ce)試(shi)

          日(ri)期(qi):2014-07-14瀏(liu)覽:2624次

          吉時利(li)KEITHLEY2000萬用(yong)表(biao)DMM,2600源測(ce)量(liang)單元(yuan)SMU進行(xing)晶(jing)體(ti)管,運(yun)放正向電(dian)壓、反向漏(lou)電(dian)、反向擊穿(chuan)電(dian)壓、閾(yu)值(zhi)電(dian)壓、β和(he)跨(kua)導(dao)參(can)數測試(shi)
              序由:歐姆(mu)定(ding)律(lv)指(zhi)出(chu)電(dian)路元(yuan)件(jian)兩端(duan)的電(dian)壓 V 與(yu)流(liu)經電(dian)路元(yuan)件(jian)的電(dian)流 I 和(he)此(ci)元(yuan)件(jian)的電(dian)阻 R 的(de)關(guan)系:R = V/I。2 端(duan) DMM 通(tong)過測(ce)試(shi)線(xian)輸(shu)出測試(shi)電(dian)流zui終流入 DMM 的(de) HI-LO 輸(shu)入端(duan)子。這(zhe)種(zhong) 2 線歐姆系統(tong)適(shi)合(he)大多(duo)數電(dian)阻測(ce)量(liang)應用(yong)。然而(er),測試(shi)線(xian)的 I-R 壓降會導(dao)致(zhi) (RL) 在較低(di)電(dian)阻的(de)測(ce)量(liang)中準(zhun)確度明顯降低(di)。4線歐(ou)姆(mu)測(ce)量(liang)或 Kelvin 測(ce)量(liang)通(tong)過將(jiang)兩條高(gao)阻(zu)抗(kang)電(dian)壓感(gan)測(ce)線(xian)引(yin)出(chu)至未知(zhi)電(dian)阻 RX,從(cong)而避(bi)開(kai)了(le) RL 兩端(duan)的電(dian)壓降。由於高輸(shu)入阻抗(kang)導致(zhi)感(gan)測電(dian)路中(zhong)的(de)電(dian)流非常(chang)小,因此(ci)測(ce)試(shi)線(xian)實際上(shang)沒有(you) I-R 壓降,而(er)且(qie)在兩個感(gan)測(ce)端(duan)子看(kan)到(dao)的(de)電(dian)壓與(yu) RX 兩端(duan)形成(cheng)的(de)電(dian)壓相(xiang)等。

              而美(mei)國(guo)吉時利(li)KEITHLEY源(yuan)測(ce)量(liang)單元(yuan)SMU可以充當(dang)用作電(dian)壓表(biao)、電(dian)流表(biao)、歐姆(mu)表(biao)、電(dian)源或(huo)源(yuan)負(fu)載(zai)以測量(liang)電(dian)壓、電(dian)流、電(dian)阻以及(ji)I-V特性(xing)分析和曲線跟蹤(zong)。然而(er),SMU 的真(zhen)正優勢在(zai)於同(tong)時進行(xing)源(yuan)和測(ce)量(liang)——例如在(zai)電(dian)阻器、二(er)極(ji)管(guan)、晶(jing)體(ti)管和運(yun)放等基(ji)礎元(yuan)器件(jian)測量(liang)中,對(dui)被(bei)測器件(jian)(負(fu)載(zai))施(shi)加電(dian)壓並(bing)測(ce)量(liang)負(fu)載(zai)上(shang)通(tong)過的(de)電(dian)流,或(huo)著對負(fu)載(zai)提供(gong)電(dian)流並(bing)測(ce)量(liang)負(fu)載(zai)兩端(duan)的壓降。源(yuan)測(ce)量(liang)單元(yuan)或 SMU 能(neng)用作獨(du)立的恒(heng)壓源(yuan)或(huo)恒(heng)流源(yuan)並(bing)用作單獨(du)的(de)電(dian)壓表(biao)或電(dian)流表(biao)。SMU 能(neng)測量(liang)二(er)極(ji)管(guan)的(de)正向電(dian)壓、反向漏(lou)電(dian)和反向擊穿(chuan)電(dian)壓。SMU 是(shi) I-V 特性(xing)分析測試(shi)的(de)核心儀器,例如探測(ce)二(er)極(ji)管(guan)和(he)晶(jing)體(ti)管的基(ji)本原(yuan)理。兩臺 SMU 結(jie)合使用就(jiu)能(neng)進行(xing)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓、β 和(he)跨(kua)導(dao)參(can)數測試(shi)以及(ji)產生半(ban)導(dao)體(ti)曲線族(zu)。

          上(shang)壹篇:堅(jian)融(rong)實業(ye)代理經銷(xiao)杭州(zhou)精(jing)測電(dian)子直流(liu)電(dian)源,示(shi)波(bo)器

          下(xia)壹篇:基(ji)於KEITHLEY2600源表(biao)MOSFET場(chang)效(xiao)應管(guan)特性(xing)分析

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