產品名(ming)稱:美(mei)國(guo)吉(ji)時利萬用表(biao)KEITHLEY2010
產品型(xing)號:
更(geng)新(xin)時間:2025-06-07
產品簡(jian)介:
美國(guo)吉(ji)時利萬用表(biao)KEITHLEY2010中國(guo)電(dian)子行業(ye)儀器優質供(gong)應(ying)商(shang)——堅融(rong)實業(ye)JETYOO INDUSTRIAL,Support、銷(xiao)售(shou)Sale、服(fu)務(wu)Service,3S公司(si),提供(gong)專(zhuan)業(ye)的解決方(fang)案,測(ce)試(shi)測(ce)量(liang)技(ji)術(shu)改(gai)進(jin)、技術(shu)培訓、采購(gou)管(guan)理、售後維(wei)修服(fu)務(wu)。
中國(guo)電(dian)子行業(ye)儀器優質供(gong)應(ying)商(shang)——堅融(rong)實業(ye)JETYOO INDUSTRIAL,Support、銷(xiao)售(shou)Sale、服(fu)務(wu)Service,3S公司(si),提供(gong)專(zhuan)業(ye)的解決方(fang)案,測(ce)試(shi)測(ce)量(liang)技(ji)術(shu)改(gai)進(jin)、技術(shu)培訓、采購(gou)管(guan)理、售後維(wei)修服(fu)務(wu)。
吉(ji)時利KEITHLEY2000,2001,2002,2010萬用表(biao)應(ying)用領(ling)域(yu):
離散(san)和(he)無源元(yuan)件(jian)
–兩(liang)抽(chou)頭器件(jian)——傳感(gan)器(qi)、磁盤驅動(dong)器頭、金屬氧(yang)化(hua)物可變電(dian)阻(MOV)、二(er)極(ji)管(guan)、齊納二(er)極(ji)管(guan)、電(dian)容、熱敏電(dian)阻
–三(san)抽頭器件(jian)——小信號雙極(ji)結型晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT)、場效應晶(jing)體(ti)管(guan)(FET)等(deng)等(deng)
簡單(dan)IC器(qi)件(jian)——光學(xue)器件(jian)、驅動(dong)器、開(kai)關(guan)、傳感(gan)器(qi)
集成器件(jian)——小規模集成(cheng)(SSI)和(he)大(da)規模集成(cheng)(LSI)
–模擬IC
–射(she)頻(pin)集成電(dian)路(lu)(RFIC)
–集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)(ASIC)
–片(pian)上系(xi)統(tong)(SoC)器(qi)件(jian)
光電(dian)器件(jian),例如發光二(er)極(ji)管(guan)(LED)、激光二(er)極(ji)管(guan)、高亮(liang)度LED(HBLED)、垂直(zhi)腔面(mian)發射激光器(qi)(VCSEL)、顯(xian)示(shi)器(qi)
圓片級(ji)可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電(dian)遷移(yi)
太陽能(neng)電(dian)池
電(dian)池
暫態(tai)抑(yi)制(zhi)器(qi)件(jian)
IC、RFIC、MMIC
激光二(er)極(ji)管(guan)、激光二(er)極(ji)管(guan)模塊、LED、光電(dian)檢測(ce)器(qi)
電(dian)路(lu)保(bao)護(hu)器(qi)件(jian):
TVS、MOV、熔絲(si)
安(an)全氣(qi)囊(nang)
連(lian)接(jie)器(qi)、開(kai)關(guan)、繼(ji)電(dian)器
碳納米(mi)管(guan)
半導(dao)體(ti)納米(mi)線(xian)
碳納米(mi)管(guan) FET
納米(mi)傳感(gan)器(qi)和陣列(lie)
單(dan)電(dian)子晶(jing)體(ti)管(guan)
分子電(dian)子
有機(ji)電(dian)子
基本(ben)運放(fang)電(dian)路(lu)
二(er)極(ji)管(guan)和電(dian)路(lu)
晶(jing)體(ti)管(guan)電(dian)路(lu)
測(ce)試(shi):
漏(lou)流(liu)
低(di)壓、電(dian)阻
LIV
IDDQ
I-V特(te)征(zheng)分析
隔離與軌(gui)跡(ji)電(dian)阻
溫(wen)度系(xi)數(shu)
正(zheng)向(xiang)電(dian)壓、反(fan)向(xiang)擊(ji)穿、漏電(dian)流(liu)
直(zhi)流(liu)參(can)數測(ce)試(shi)
直(zhi)流(liu)電(dian)源
HIPOT
介質耐(nai)受性
雙極(ji)結型晶(jing)體(ti)管(guan)設計(ji)
結型(xing)場(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)設計(ji)
金屬(shu)氧(yang)化(hua)物半導(dao)體(ti)場效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)設計(ji)
太陽能(neng)電(dian)池和(he) LED 設(she)計(ji)
高電(dian)子遷移(yi)率晶(jing)體(ti)管(guan)設計(ji)
復合(he)半導(dao)體(ti)器件(jian)設計(ji)
分析納米(mi)材(cai)料(liao)和(he)實驗器件(jian)
碳納米(mi)管(guan)的電(dian)測(ce)量(liang)標(biao)準(zhun)
測(ce)量(liang)碳納米(mi)管(guan)電(dian)氣(qi)特(te)性
提高納米(mi)電(dian)子和分子電(dian)子器件(jian)的低(di)電(dian)流(liu)測(ce)量(liang)
在(zai)低(di)功率(lv)和低(di)壓應用中實現(xian)準(zhun)確、可靠的電(dian)阻測(ce)量(liang)
納米(mi)級(ji)器件(jian)和材(cai)料(liao)的電(dian)氣(qi)測(ce)量(liang)
提高超(chao)高電(dian)阻和(he)電(dian)阻率(lv)測(ce)量(liang)的可重(zhong)復性
壹種微分電(dian)導(dao)的改進(jin)測(ce)量(liang)方(fang)法
納米(mi)技(ji)術準(zhun)確電(dian)氣(qi)測(ce)量(liang)的技術
納米(mi)級(ji)材(cai)料(liao)的電(dian)氣(qi)測(ce)量(liang)
降(jiang)低(di)外部誤(wu)差(cha)源影(ying)響的儀器技術
迎(ying)接(jie)65nm節(jie)點的測(ce)量(liang)挑(tiao)戰
測(ce)量(liang)半導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)的高電(dian)阻率(lv)和(he)霍爾(er)電(dian)壓
用微微微安(an)量程測(ce)量(liang)電(dian)流(liu)
柵(zha)極(ji)電(dian)介質電(dian)容電(dian)壓特(te)性分析
評(ping)估氧(yang)化(hua)層的可靠性
的半導(dao)體(ti)器件(jian)結構設計(ji)和試(shi)驗(yan)低(di)電(dian)阻、低(di)功耗(hao)半導(dao)體(ti)器
輸(shu)出極(ji)低(di)電(dian)流(liu)和(he)測(ce)量(liang)極(ji)低(di)電(dian)壓分析現(xian)代材(cai)料(liao)、半導(dao)體(ti)和納米(mi)電(dian)子元件(jian)的電(dian)阻
低(di)阻測(ce)量(liang)(低(di)至(zhi)10nΩ)分析導(dao)通(tong)電(dian)阻參(can)數(shu)、互(hu)連(lian)和低(di)功率(lv)半導(dao)體(ti)。
用於*進(jin)CMOS技術(shu)的脈(mai)沖(chong)可靠性測(ce)試(shi)
高K柵(zha)極(ji)電(dian)介質電(dian)荷(he)俘(fu)獲(huo)行為的脈(mai)沖(chong)特性分析
用6線(xian)歐姆(mu)測(ce)量(liang)技(ji)術(shu)進(jin)行更(geng)高準(zhun)確度的電(dian)阻測(ce)量(liang)
配(pei)置(zhi)分立電(dian)阻器(qi)驗(yan)證測(ce)試(shi)系(xi)統(tong)
電(dian)信激光二(er)極(ji)管(guan)模塊的高吞(tun)吐率(lv)直(zhi)流(liu)生(sheng)產測(ce)試(shi)
多(duo)臺(tai)數(shu)字(zi)源表(biao)的觸(chu)發器同(tong)步(bu)
高亮(liang)度、可見光LED的生產測(ce)試(shi)
OLED顯(xian)示(shi)器(qi)的直流(liu)生(sheng)產測(ce)試(shi)
在(zai)運行中第5次(ci)測(ce)量(liang)用於偏(pian)置(zhi)溫(wen)度不穩(wen)定(ding)特(te)性分析
數字(zi)源表(biao)的緩(huan)沖(chong)器以(yi)及(ji)如(ru)何(he)用這(zhe)兩(liang)個緩(huan)沖(chong)器獲(huo)取多(duo)達(da)5000點數據(ju)
連(lian)接(jie)器(qi)的生產測(ce)試(shi)方(fang)案(an)
射(she)頻功率(lv)晶(jing)體(ti)管(guan)的直流(liu)電(dian)氣(qi)特(te)性分析
1. MOS 電(dian)容器(qi)
C-V 曲線(xian) (高頻(pin):100kHz):
摻(chan)雜(za)類(lei)型(xing) – 氧(yang)化(hua)層厚度 – 平帶(dai)電(dian)壓 – 閾(yu)值(zhi)電(dian)壓 – 襯(chen)底(di)摻(chan)雜(za) – zui大(da)耗(hao)盡層
寬(kuan)度 – 反(fan)型(xing)層(ceng)到平(ping)衡(heng)的靈(ling)敏度:電(dian)壓掃(sao)描率(lv)和方向 – 光效(xiao)應(ying)和溫(wen)度效應(ying)。
I-V 曲線(xian)分析:
電(dian)荷(he)建立 (測(ce)量(liang)電(dian)壓 - 時間圖,用低(di)電(dian)流(liu)源); 氧(yang)化(hua)層電(dian)容測(ce)定(ding); 與(yu) C-V 曲線(xian)
比(bi)較(jiao)。
C-V 曲線(xian) (準(zhun)靜態(tai)) 結(jie)合(he) C-V 曲線(xian):
表(biao)面(mian)電(dian)位 Ψs 與(yu)施加電(dian)壓的關(guan)系(xi) – Si (100) 的表(biao)面(mian)態(tai)密(mi)度 Dit = f (Ψs) 與
Si (111) 的相(xiang)比(bi):方(fang)向和(he)後(hou)處理(li)退(tui)火的影響。
C-V 曲線(xian) (高頻(pin):100kHz):
移(yi)動(dong)氧(yang)化(hua)層電(dian)荷(he)密(mi)度 (偏(pian)壓溫度應力:200°C,10 分鐘(zhong),±10V)
2. 雙極(ji)結型晶(jing)體(ti)管(guan)
主題(ti)
正(zheng)向共(gong)發射極(ji)輸出特性:Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(ce)量(liang)。
正(zheng)向(xiang) CE 輸(shu)入特性:Ib = f (Vbe) 對於幾個 Vce 正值(zhi)。
正向(xiang) Gummel 曲線(xian): log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
確定(ding)增益(yi) βf = Ic/Ib 和(he) af。
Βf 與(yu) log(Ic) 的關(guan)系(xi): 低(di)註入和高註入的效果。
非理想(xiang)特性:爾(er)利電(dian)壓。
反(fan)向(xiang) CE 輸(shu)出特性: Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反(fan)向(xiang) CE 傳輸(shu)特(te)性:Ib=f(Vbe) 對於幾個Vce負值(zhi)。
反(fan)向(xiang) Gummel 曲線(xian): logIe, logIb=f(Vbc>0).
確定(ding)增益(yi) βr = Ie/Ib 和(he) ar。
Βr 與(yu) log(Ie) 的關(guan)系(xi): 低(di)註入和高註入的效果。
Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定(ding),對於給(gei)定(ding)的 Ib 電(dian)流(liu)。
Ebers Moll 模型構建並且與實驗做(zuo)比(bi)較(jiao)。
BE 和 CE 結(jie)的 C-V 特性分析。基區摻雜(za)濃(nong)縮(suo)。
3. 亞微米集(ji)成 MOSFET
輸(shu)出特性:IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強(qiang)或耗(hao)盡),溝(gou)道長(chang)度調(tiao)制(zhi)參(can)數(shu)(λ) 在(zai)飽和區域 (VDS<–3V) 有(you)效
溝(gou)道長(chang)度與 VDS 的關(guan)系(xi)。
傳輸(shu)特(te)性:
襯底偏(pian)壓特性:
亞閾值(zhi)特性:
襯底電(dian)流(liu)特(te)性:
使用長(chang)溝(gou)道和(he)短(duan)溝(gou)道公式(shi)的輸出特性模型:比(bi)較(jiao)實驗結果。
美國(guo)吉(ji)時利萬用表(biao)KEITHLEY2010七(qi)位半數字(zi)多(duo)用表(biao)低(di)噪聲(sheng)臺(tai)式(shi)萬用表(biao)具(ju)有(you)產品測(ce)試(shi)所(suo)需(xu)的高分辨率、快(kuai)速(su)、高精(jing)度等(deng)特點,非常(chang)適合精(jing)密傳感(gan)器(qi)、變送器、A/D和D/A轉(zhuan)換(huan)器(qi)、整(zheng)流(liu)器(qi)、基準(zhun)源、連(lian)接(jie)頭、開(kai)關(guan)和(he)繼(ji)電(dian)器等(deng)產品的測(ce)試(shi)。KEITHLEY2010采用了(le)與KEITHLEY2000、KEITHLEY2001、KEITHLEY2002相(xiang)同的高速(su)低(di)噪聲(sheng)A/D轉(zhuan)換(huan)器(qi)技術,是(shi)吉(ji)時利KEITHLEY2000系(xi)列(lie)高性能(neng)數字(zi)多(duo)用表(biao)產品線(xian)中的款(kuan)。
美國(guo)吉(ji)時利萬用表(biao)KEITHLEY2010七(qi)位半多(duo)用表(biao)特(te)點
七(qi)位半的分辨率
zui低(di)噪聲(sheng)100nV rms
可重(zhong)復性7ppm DCV
內置(zhi)10通(tong)道掃(sao)描卡(ka)主機(ji)架
小功率(lv)電(dian)路(lu)和(he)低(di)功率(lv)測(ce)試(shi)模式(shi)
15種測(ce)試(shi)功能(neng),包括(kuo)RTD和熱電(dian)偶溫(wen)度測(ce)量(liang)
內置(zhi)比(bi)率(lv)測(ce)量(liang)功能(neng)
主要指(zhi)標(biao)
型號 | 2010 |
位數(shu) | 七(qi)位半 |
擴(kuo)展(zhan)通(tong)道 | 10 |
直流(liu)電(dian)壓 | |
靈(ling)敏度 | 10nV |
zui大(da)讀(du)數 | 1000V |
基本(ben)準(zhun)確度 | 0.0018% |
比(bi)列(lie)測(ce)量(liang) | 有 |
直流(liu)峰(feng)值(zhi)測(ce)量(liang) | 無 |
交(jiao)流(liu)電(dian)壓(TRMS) | |
靈(ling)敏度 | 100nV |
zui大(da)讀(du)數 | 750V |
基本(ben)準(zhun)確度 | 0.05% |
帶(dai)寬 | 3Hz~300kHz |
dB、dBm | 有 |
頻率(lv)、周(zhou)期(qi) | 有 |
峰(feng)值(zhi)/平均(jun)值(zhi)/有效(xiao)值(zhi) | 無 |
AC、AC+DC | 無 |
電(dian)阻(2/4線(xian)) | |
靈(ling)敏度 | 10μΩ |
zui大(da)讀(du)數 | 120MΩ |
基本(ben)準(zhun)確度 | 0.0032% |
連(lian)通(tong)性測(ce)試(shi) | 有 |
二極(ji)管(guan)測(ce)試(shi) | 有 |
偏(pian)置(zhi)補償 | 有 |
幹(gan)電(dian)路(lu) | 有 |
恒流(liu)源 | 有 |
開(kai)路(lu)檢測(ce) | 無 |
直流(liu)電(dian)流(liu) | |
靈(ling)敏度 | 10nA |
量程(cheng) | 10mA~3A |
基本(ben)準(zhun)確度 | 0.03% |
在(zai)線(xian)電(dian)流(liu) | 無 |
交(jiao)流(liu)電(dian)流(liu)(TRMS) | |
靈(ling)敏度 | 1μA |
量程(cheng) | 1A~3A |
基本(ben)準(zhun)確度 | 0.1% |
帶(dai)寬 | 3Hz~5kHz |
壹般(ban)特性 | |
接(jie)口(kou) | GPIB/RS-232 |
讀數(shu)保持 | 有 |
數字(zi)I/O口 | 無 |
讀數(shu)內存 | 1024讀數(shu) |
zui高速(su)度 | 2000讀數(shu)/秒 |
溫度測(ce)量(liang) | 熱電(dian)偶、熱電(dian)阻 |
仿(fang)真語(yu)言(yan) | 196/199 |
隨機(ji)附件(jian) | 使用手(shou)冊、服(fu)務(wu)手(shou)冊、1751型(xing)安(an)全測(ce)試(shi)線(xian) |
標配(pei)的配(pei)件(jian)
1751型2線(xian)通(tong)用測(ce)試(shi)探(tan)頭(適用於175A、197A、2000、2001、2002、2010、2015、2016)
選(xuan)購(gou)配(pei)件(jian)
KEITHLEY2000-SCAN:10通(tong)道通(tong)用掃(sao)描卡(ka)
KEITHLEY2001-TCSCAN:9通(tong)道掃(sao)描卡(ka)用於冷端補償的溫度測(ce)量(liang)、電(dian)壓、電(dian)阻和(he)/或頻率(lv)測(ce)量(liang)
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY可選(xuan)配(pei)件(jian)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY1600A型40kV,1000:1分壓探頭,長度為2米(mi)(6.6 ft),(適用於數字(zi)多(duo)用表(biao))
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY1651型50A電(dian)流(liu)分流(liu)器(qi)(適用於數字(zi)多(duo)用表(biao))
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY1681型2線(xian)通(tong)用夾式(shi)測(ce)試(shi)線(xian)組(zu)(適用於數字(zi)多(duo)用表(biao))
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY1754型2線(xian)通(tong)用10片(pian)裝測(ce)試(shi)線(xian)套件(jian)(適用於175A、197A、2000、2001、2002、2010)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY4288-1型單(dan)機(ji)架安(an)裝套件(jian)(適用於美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY428、486、487、776、2700、2000系(xi)列(lie)、2182、2300 系(xi)列(lie)、2400系(xi)列(lie)、2500系(xi)列(lie)、6514、6517A、7001、6430、6485)
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY4288-2型雙機(ji)架安(an)裝套件(jian)(適用於美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY428、486、487、776、2000系(xi)列(lie)、2182、2300 系(xi)列(lie)、2400系(xi)列(lie)、6514、6517A、7001、2700、6430、6485)
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY5804型Kelvin(4線(xian))10件(jian)裝的通(tong)用測(ce)試(shi)線(xian)套件(jian)(適用於580、2400系(xi)列(lie)、數(shu)字(zi)多(duo)用表(biao))
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY5805型Kelvin(4線(xian))帶(dai)彈簧的探頭,長度為0.9米(mi)(3 ft)(適用於580、數字(zi)多(duo)用表(biao))
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY5805-12型Kelvin(4線(xian))帶(dai)彈簧的探頭,長度為3.6米(mi)(12 ft)(適用於數字(zi)多(duo)用表(biao))
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY5806型Kelvin(4線(xian))特大(da)號鱷(e)魚夾測(ce)試(shi)線(xian),長度為0.9米(mi)(3 ft)(適用於580、2400系(xi)列(lie)、數(shu)字(zi)多(duo)用表(biao))
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY5807-7螺(luo)旋(xuan)狀(zhuang)彈簧尖(jian)頭測(ce)試(shi)線(xian)(適用於580、數字(zi)多(duo)用表(biao))
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY7007-1:雙層屏蔽高級(ji)GPIB接(jie)口(kou)電(dian)纜,長(chang)度1米(3.3ft)(用於GPIB互連(lian))
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY7007-2:雙層屏蔽高級(ji)GPIB接(jie)口(kou)電(dian)纜,長(chang)度2米(6.6ft)(用於GPIB互連(lian))
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY7009-5型屏蔽RS-232電(dian)纜,長(chang)度為1.5米(mi)(5 ft)(適用於美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2000、2010、6517A、2400系(xi)列(lie))
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY8620型通(tong)用4線(xian)數字(zi)多(duo)用表(biao)短(duan)路(lu)插(cha)頭
系(xi)統(tong)附(fu)加功能(neng)/模塊
2000-SCAN 型10通(tong)道通(tong)用掃(sao)描卡(ka)(適用於2000、2001、2002、2010)
2001-TCSCAN 型9通(tong)道掃(sao)描卡(ka)用於CJC、電(dian)壓、電(dian)阻和(he)/或頻率(lv)測(ce)量(liang)(適用於2000、2001、2002、2010)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2010配(pei)套產品
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY7001,7001型80通(tong)道程(cheng)控開(kai)關(guan)控制器(qi)
7002,7002型(xing)400通(tong)道程(cheng)控開(kai)關(guan)控制器(qi)
美(mei)國(guo)吉(ji)時利萬用表(biao)KEITHLEY系(xi)列(lie)產品
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2000-20型六位半數字(zi)多(duo)用表(biao)(帶(dai)20通(tong)道掃(sao)描卡(ka))
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2000/2000-SCAN型、2000型六位半數字(zi)多(duo)用表(biao)(帶(dai)2000-SCAN型10通(tong)道掃(sao)描卡(ka))
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2001型高性能(neng)七(qi)位半數字(zi)多(duo)用表(biao),帶(dai)8k存儲器
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2002型高性能(neng)八位半數字(zi)多(duo)用表(biao),帶(dai)8k存儲器
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2700型數字(zi)多(duo)用表(biao),數(shu)據(ju)采集(ji),數(shu)據記(ji)錄(lu)系(xi)統(tong),帶(dai)2個插槽(cao)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2750型數字(zi)多(duo)用表(biao)/數(shu)據(ju)采集(ji)/開(kai)關(guan)/數(shu)據(ju)記(ji)錄(lu)系(xi)統(tong)
上壹篇(pian):美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY6487皮安(an)表(biao)
下(xia)壹(yi)篇(pian):美國(guo)吉(ji)時利萬用表(biao)KEITHLEY2002