基(ji)礎(chu)信息Product information

產(chan)品(pin)名(ming)稱：美(mei)國吉(ji)時(shi)利(li)萬用表(biao)KEITHLEY2002

產(chan)品(pin)型(xing)號：

更(geng)新時(shi)間(jian)：2025-06-07

產(chan)品(pin)簡(jian)介(jie)：

美(mei)國吉(ji)時(shi)利(li)萬用表(biao)KEITHLEY2002中國(guo)電子行業(ye)儀(yi)器優質(zhi)供應(ying)商(shang)——堅(jian)融(rong)實業(ye)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售(shou)Sale、服務(wu)Service，3S公司(si)，提(ti)供專(zhuan)業(ye)的(de)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)，測(ce)試(shi)測(ce)量技(ji)術改(gai)進(jin)、技(ji)術培訓、采購管理(li)、售(shou)後(hou)維修服務(wu)。

產(chan)品(pin)特(te)性(xing)Product characteristics

中國(guo)電子行業(ye)儀(yi)器優質(zhi)供應(ying)商(shang)——堅(jian)融(rong)實業(ye)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售(shou)Sale、服務(wu)Service，3S公司(si)，提(ti)供專(zhuan)業(ye)的(de)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)，測(ce)試(shi)測(ce)量技(ji)術改(gai)進(jin)、技(ji)術培訓、采購管理(li)、售(shou)後(hou)維修服務(wu)。

吉時(shi)利(li)KEITHLEY2000，2001,2002,2010萬用表(biao)應(ying)用領(ling)域(yu)：
 離散(san)和(he)無(wu)源(yuan)元(yuan)件 
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤(pan)驅(qu)動器頭、金屬(shu)氧(yang)化物可變電阻（MOV）、二(er)極管、齊(qi)納二(er)極管、電容、熱(re)敏電阻
–三抽頭器件——小(xiao)信號雙極結型(xing)晶體(ti)管（BJT）、場(chang)效(xiao)應(ying)晶體(ti)管（FET）等等 
 簡(jian)單IC器件——光(guang)學(xue)器件、驅(qu)動器、開關、傳感器
 集成(cheng)器件——小(xiao)規模集成（SSI）和(he)大規模集成（LSI）
–模擬IC 
–射頻(pin)集(ji)成電路（RFIC）
–集(ji)成電路（ASIC）
–片(pian)上系(xi)統（SoC）器件
 光(guang)電器件，例(li)如(ru)發(fa)光(guang)二(er)極管（LED）、激(ji)光(guang)二(er)極管、高(gao)亮(liang)度LED（HBLED）、垂(chui)直腔(qiang)面發(fa)射(she)激光(guang)器（VCSEL）、顯(xian)示器
 圓片(pian)級(ji)可靠(kao)性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷(qian)移(yi)
 太陽能(neng)電池(chi)
 電池(chi)
暫(zan)態抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激(ji)光二(er)極管、激(ji)光(guang)二(er)極管模塊、LED、光電檢測(ce)器
電路保護器件:
TVS、MOV、熔絲(si)
安全(quan)氣(qi)囊
連(lian)接器、開關、繼(ji)電器
碳納米管
半(ban)導(dao)體(ti)納米線(xian)
碳納米管 FET
納米傳感器和(he)陣(zhen)列
單電子晶體(ti)管
分子電子
有(you)機電子
基(ji)本(ben)運放電路
二(er)極管和(he)電路
晶體(ti)管電路

測(ce)試(shi)：
漏(lou)流(liu)
低壓(ya)、電阻
LIV
IDDQ
I-V特(te)征分析
隔(ge)離與軌(gui)跡電阻
溫(wen)度(du)系(xi)數
正(zheng)向(xiang)電壓、反(fan)向擊(ji)穿、漏(lou)電流(liu)
直流(liu)參數測(ce)試(shi)
直(zhi)流(liu)電源(yuan)
HIPOT
介(jie)質耐受(shou)性(xing)

雙極結型(xing)晶體(ti)管設(she)計(ji)
結型(xing)場(chang)效(xiao)應(ying)晶體(ti)管設(she)計(ji)
金屬(shu)氧(yang)化物半導(dao)體(ti)場(chang)效(xiao)應(ying)晶體(ti)管設(she)計(ji)
太陽能(neng)電池(chi)和(he) LED 設(she)計(ji)
高(gao)電子遷(qian)移(yi)率晶體(ti)管設(she)計(ji)
復(fu)合半導(dao)體(ti)器件設(she)計

分析納米材(cai)料(liao)和(he)實驗(yan)器件
碳納米管的(de)電測(ce)量標(biao)準(zhun)
測(ce)量碳納米管電氣(qi)特性(xing)
提高(gao)納米電子和(he)分子電子器件的(de)低電流(liu)測(ce)量
在(zai)低功率和(he)低(di)壓(ya)應(ying)用中實現(xian)準(zhun)確、可靠(kao)的電阻測(ce)量
納米級(ji)器件和(he)材(cai)料(liao)的電氣(qi)測(ce)量
提(ti)高(gao)超(chao)高(gao)電阻和(he)電阻率(lv)測(ce)量的(de)可重(zhong)復(fu)性(xing)
壹(yi)種微(wei)分電導(dao)的(de)改(gai)進(jin)測(ce)量方(fang)法
納米技術準(zhun)確電氣(qi)測(ce)量的(de)技術
納米級(ji)材(cai)料(liao)的電氣(qi)測(ce)量
降(jiang)低外(wai)部誤差源(yuan)影響(xiang)的(de)儀(yi)器技術
迎(ying)接(jie)65nm節(jie)點的(de)測(ce)量挑戰
測(ce)量半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)的高(gao)電阻率(lv)和(he)霍爾(er)電壓
用(yong)微(wei)微(wei)微(wei)安(an)量程測(ce)量電流(liu)
柵(zha)極(ji)電介(jie)質電容電壓特(te)性分析
評(ping)估氧(yang)化層(ceng)的可靠(kao)性

的(de)半(ban)導(dao)體(ti)器件結構(gou)設計和(he)試(shi)驗(yan)低電阻、低(di)功耗半導(dao)體(ti)器
輸出(chu)極低(di)電流(liu)和(he)測(ce)量極(ji)低電壓分析現(xian)代(dai)材(cai)料(liao)、半導(dao)體(ti)和(he)納米電子元(yuan)件的(de)電阻
低(di)阻測(ce)量(低(di)至(zhi)10nΩ)分析導(dao)通電阻參數、互(hu)連和(he)低(di)功率半導(dao)體(ti)。
用(yong)於(yu)*進(jin)CMOS技術的脈沖可靠(kao)性測(ce)試(shi)
高(gao)K柵(zha)極(ji)電介(jie)質電荷俘(fu)獲行為的脈(mai)沖特性(xing)分析
用(yong)6線(xian)歐(ou)姆(mu)測(ce)量技(ji)術進行更(geng)高(gao)準(zhun)確度的(de)電阻測(ce)量
配(pei)置(zhi)分立電阻器驗證(zheng)測(ce)試(shi)系(xi)統
電信激光(guang)二(er)極管模塊的高(gao)吞吐率直流(liu)生(sheng)產(chan)測(ce)試(shi)
多(duo)臺(tai)數字(zi)源(yuan)表(biao)的觸發(fa)器同步(bu)
高(gao)亮(liang)度、可見(jian)光LED的生(sheng)產(chan)測(ce)試(shi)
OLED顯(xian)示器的直(zhi)流(liu)生(sheng)產(chan)測(ce)試(shi)
在(zai)運行中第5次(ci)測(ce)量用(yong)於(yu)偏(pian)置(zhi)溫(wen)度(du)不穩(wen)定特(te)性分析
數字(zi)源(yuan)表(biao)的緩沖器以及如(ru)何用(yong)這(zhe)兩個緩沖器獲取(qu)多(duo)達(da)5000點數據(ju)
連(lian)接器的生(sheng)產(chan)測(ce)試(shi)方(fang)案(an)
射(she)頻(pin)功率晶體(ti)管的(de)直(zhi)流(liu)電氣(qi)特性(xing)分析

1. MOS 電容器
C-V 曲線(xian) (高(gao)頻(pin)：100kHz)：
摻(chan)雜(za)類(lei)型(xing) – 氧(yang)化層(ceng)厚度(du) – 平帶(dai)電壓 – 閾(yu)值電壓 – 襯(chen)底(di)摻雜(za) – zui大耗(hao)盡(jin)層

寬度(du) – 反(fan)型(xing)層(ceng)到平衡的(de)靈(ling)敏(min)度(du)：電壓掃描率(lv)和(he)方(fang)向(xiang) – 光(guang)效(xiao)應(ying)和(he)溫(wen)度(du)效(xiao)應(ying)。
I-V 曲線(xian)分析：
電荷建(jian)立 (測(ce)量電壓 - 時(shi)間(jian)圖，用低電流(liu)源(yuan))； 氧(yang)化層(ceng)電容測(ce)定； 與 C-V 曲(qu)線(xian)

比(bi)較(jiao)。
C-V 曲線(xian) (準(zhun)靜(jing)態(tai)) 結合 C-V 曲線(xian)：
表(biao)面(mian)電位 Ψs 與施加(jia)電壓的(de)關系(xi) – Si (100) 的表(biao)面(mian)態(tai)密(mi)度(du) Dit = f (Ψs) 與 

Si (111) 的(de)相(xiang)比(bi)：方(fang)向(xiang)和(he)後(hou)處(chu)理退火的(de)影響(xiang)。
C-V 曲(qu)線(xian) (高(gao)頻(pin)：100kHz)：
移(yi)動氧(yang)化層(ceng)電荷密(mi)度(du) (偏(pian)壓溫(wen)度(du)應(ying)力：200°C，10 分鐘，±10V)
 
2. 雙極結型(xing)晶體(ti)管
     主(zhu)題
   正(zheng)向共(gong)發(fa)射(she)極輸(shu)出(chu)特性(xing)：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(ce)量。
   正(zheng)向 CE 輸(shu)入特性：Ib = f (Vbe) 對(dui)於(yu)幾(ji)個 Vce 正值。
   正(zheng)向 Gummel 曲(qu)線(xian)： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增(zeng)益 βf = Ic/Ib 和(he) af。
   Βf 與 log(Ic) 的(de)關系(xi)： 低註(zhu)入(ru)和(he)高(gao)註(zhu)入的(de)效(xiao)果。
   非理想(xiang)特(te)性：爾利(li)電壓。
   反(fan)向 CE 輸(shu)出(chu)特性(xing)： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反(fan)向 CE 傳輸特(te)性：Ib=f(Vbe) 對(dui)於(yu)幾(ji)個Vce負值(zhi)。
   反(fan)向 Gummel 曲(qu)線(xian)： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定增(zeng)益 βr = Ie/Ib 和(he) ar。
   Βr 與 log(Ie) 的(de)關系(xi)： 低註(zhu)入(ru)和(he)高(gao)註(zhu)入的(de)效(xiao)果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對(dui)於(yu)給定(ding)的(de) Ib 電流(liu)。
   Ebers Moll 模型(xing)構(gou)建並(bing)且與實驗(yan)做比(bi)較(jiao)。
   BE 和(he) CE 結的 C-V 特性分析。基(ji)區(qu)摻雜(za)濃(nong)縮。
 
3. 亞微(wei)米集成(cheng) MOSFET
輸出(chu)特性(xing)：IDS = f(VDS,VGS):
p型(xing) MOSFET (增(zeng)強(qiang)或耗盡(jin))，溝道(dao)長度調制參數(λ) 在(zai)飽(bao)和(he)區(qu)域(yu) (VDS<–3V) 有(you)效(xiao)

溝道(dao)長度與 VDS 的(de)關系(xi)。
傳輸特(te)性：
襯底(di)偏(pian)壓特(te)性： 
亞(ya)閾(yu)值(zhi)特(te)性：
襯(chen)底(di)電流(liu)特性(xing)：
使(shi)用長溝道(dao)和(he)短(duan)溝道(dao)公(gong)式(shi)的(de)輸(shu)出(chu)特性(xing)模型(xing)：比(bi)較(jiao)實驗(yan)結果。

美(mei)國吉(ji)時(shi)利(li)萬用表(biao)KEITHLEY2002
    用(yong)戶在實際(ji)應(ying)用中通常(chang)需要具有(you)較(jiao)高(gao)分辨率(lv)、準(zhun)確度和(he)靈(ling)敏(min)度(du)，以(yi)及高(gao)產(chan)能(neng)的(de)產(chan)品(pin)。現(xian)在(zai)有(you)兩款吸(xi)引力的數字(zi)多(duo)用(yong)表可供選(xuan)擇(ze)。吉(ji)時(shi)利(li)推(tui)出(chu)的KEITHLEY2001型(xing)七(qi)位半和(he)KEITHLEY2002型(xing)八(ba)位半(ban)高(gao)性(xing)能(neng)數字(zi)多(duo)用(yong)表所具(ju)備(bei)的性(xing)能(neng)指(zhi)標(biao)通常(chang)只能(neng)在(zai)那(na)些(xie)價(jia)格昂貴(gui)數千(qian)倍(bei)的測(ce)量儀(yi)器上才(cai)能(neng)獲得，不僅如(ru)此，它(ta)們的(de)功能(neng)比(bi)常(chang)規的(de)數字(zi)多(duo)用(yong)表更(geng)加(jia)豐(feng)富(fu)。
 
 keithley2002八(ba)位半(ban)吉(ji)時(shi)利(li)數字(zi)多(duo)用(yong)表特點
七(qi)位(wei)半 （KEITHLEY2001型(xing)）或(huo)八(ba)位半(ban) （KEITHLEY2002型(xing)）分辨率(lv)
高(gao)速(su)的多(duo)功能(neng)測(ce)量性(xing)能(neng)
多(duo)種內(nei)置(zhi)測(ce)量功能(neng)
內(nei)置(zhi)的(de)10通道(dao)掃描器選(xuan)件(jian)
兼(jian)容IEEE－488.2和(he)SCPI接(jie)口(kou)
KEITHLEY2002型(xing)具(ju)備(bei)HP3458A仿真(zhen)模式(shi) 
 
美(mei)國吉(ji)時(shi)利(li)萬用表(biao)KEITHLEY2002主(zhu)要指(zhi)標(biao)

標(biao)配(pei)件 
1751型(xing)2線(xian)通用(yong)測(ce)試(shi)探(tan)頭(tou)（適(shi)用於(yu)175A、197A、2000、2001、2002、2010、2015、2016） 

額外(wai)選(xuan)購配(pei)件 
1600A型(xing)40kV，1000：1分壓探(tan)頭(tou)，長度為2米（6.6 ft），（適(shi)用於(yu)數字(zi)多(duo)用(yong)表） 
1651型(xing)50A電流(liu)分流(liu)器（適(shi)用於(yu)數字(zi)多(duo)用(yong)表） 
1681型(xing)2線(xian)通用(yong)夾(jia)式(shi)測(ce)試(shi)線(xian)組(zu)（適(shi)用於(yu)數字(zi)多(duo)用(yong)表） 
1754型(xing)2線(xian)通用(yong)10片(pian)裝測(ce)試(shi)線(xian)套(tao)件(jian)（適(shi)用於(yu)175A、197A、2000、2001、2002、2010） 
4288-1型(xing)單(dan)機架安(an)裝套(tao)件（適(shi)用於(yu)428、486、487、776、2700、2000系(xi)列、2182、2300 系(xi)列、2400系(xi)列、2500系(xi)列、6514、6517A、7001、6430、6485） 
4288-2型(xing)雙機架安(an)裝套(tao)件（適(shi)用於(yu)428、486、487、776、2000系(xi)列、2182、2300 系(xi)列、2400系(xi)列、6514、6517A、7001、2700、6430、6485） 
5804型(xing)Kelvin（4線(xian)）10件(jian)裝的(de)通用(yong)測(ce)試(shi)線(xian)套(tao)件(jian)（適(shi)用於(yu)580、2400系(xi)列、數字(zi)多(duo)用(yong)表） 
5805型(xing)Kelvin（4線(xian)）帶(dai)彈簧的(de)探(tan)頭(tou)，長度為0.9米（3 ft）（適(shi)用於(yu)580、數字(zi)多(duo)用(yong)表） 
5805-12型(xing)Kelvin（4線(xian)）帶(dai)彈簧的(de)探(tan)頭(tou)，長度為3.6米（12 ft）（適(shi)用於(yu)數字(zi)多(duo)用(yong)表） 
5806型(xing)Kelvin（4線(xian)）特(te)大號鱷(e)魚(yu)夾(jia)測(ce)試(shi)線(xian)，長度為0.9米（3 ft）（適(shi)用於(yu)580、2400系(xi)列、數字(zi)多(duo)用(yong)表） 
5807-7螺(luo)旋狀(zhuang)彈簧尖(jian)頭測(ce)試(shi)線(xian)（適(shi)用於(yu)580、數字(zi)多(duo)用(yong)表） 
7007-1：雙層屏蔽(bi)高(gao)級(ji)GPIB接(jie)口(kou)電纜，長度1米（3.3ft）（用於(yu)GPIB互(hu)連） 
7007-2：雙層屏蔽(bi)高(gao)級(ji)GPIB接(jie)口(kou)電纜，長度2米（6.6ft）（用於(yu)GPIB互(hu)連） 
7009-5型(xing)屏(ping)蔽RS-232電纜，長度為1.5米（5 ft）（適(shi)用2000、2010、6517A、2400系(xi)列） 
KUSB-488A型(xing)IEEE-488.2 USB-GPIB接(jie)口(kou)適(shi)配(pei)器，適(shi)用USB接(jie)口(kou)，內置(zhi)2米（6.6ft）電纜 
8620型(xing)通用(yong)4線(xian)數字(zi)多(duo)用(yong)表短路插(cha)頭(tou) 

keithley2002美(mei)國吉(ji)時(shi)利(li)萬用表(biao)選(xuan)購配(pei)件
槽(cao)口(kou)蓋板
MEM1：32k存(cun)儲器
MEM2：128k存儲器
2000-SCAN：10通道(dao)通用(yong)掃描卡
2001-TCSCAN：9通道(dao)掃描卡用(yong)於(yu)冷(leng)端補償(chang)的(de)溫(wen)度(du)測(ce)量、電壓、電阻和(he)/或(huo)頻(pin)率(lv)測(ce)量
2001-SCAN型(xing)：10通道(dao)掃描卡，帶(dai)8個繼(ji)電器輸入(ru)和(he)2個固態(tai)輸(shu)入

 
keithley2002美(mei)國吉(ji)時(shi)利(li)萬用表(biao)配(pei)套產(chan)品(pin)
7001，7001型(xing)80通道(dao)程控(kong)開(kai)關控(kong)制(zhi)器
7002，7002型(xing)400通道(dao)程控(kong)開(kai)關控(kong)制(zhi)器

keithley美(mei)國吉(ji)時(shi)利(li)萬用表(biao)系(xi)列產(chan)品(pin)
KEITHLEY2000-20型(xing)六(liu)位半數字(zi)多(duo)用(yong)表（帶(dai)20通道(dao)掃描卡）
KEITHLEY2000/2000-SCAN型(xing)、2000型(xing)六(liu)位半數字(zi)多(duo)用(yong)表（帶(dai)2000-SCAN型(xing)10通道(dao)掃描卡）
KEITHLEY2001型(xing)高(gao)性(xing)能(neng)七(qi)位(wei)半數字(zi)多(duo)用(yong)表，帶(dai)8k存儲器
KEITHLEY2010型(xing)七(qi)位半低噪(zao)聲自動變量程數字(zi)多(duo)用(yong)表
KEITHLEY2700型(xing)數字(zi)多(duo)用(yong)表，數據(ju)采集，數據(ju)記(ji)錄(lu)系(xi)統，帶(dai)2個插(cha)槽(cao)
KEITHLEY2750型(xing)數字(zi)多(duo)用(yong)表/數據(ju)采集/開關/數據(ju)記(ji)錄(lu)系(xi)統
KEITHLEY2002/ MEM1型(xing)高(gao)性(xing)能(neng)八(ba)位半(ban)數字(zi)多(duo)用(yong)表（帶(dai)32k內存(cun)）
KEITHLEY2002/ MEM2型(xing)高(gao)性(xing)能(neng)八(ba)位半(ban)數字(zi)多(duo)用(yong)表（帶(dai)128k內存(cun)）