基(ji)礎(chu)信(xin)息Product information

產(chan)品(pin)名稱(cheng)：美國(guo)吉時(shi)利keithley源(yuan)表(biao)

產(chan)品(pin)型號：keithley2430

更(geng)新(xin)時(shi)間(jian)：2025-06-07

產(chan)品(pin)簡(jian)介(jie)：

美(mei)國(guo)吉時(shi)利keithley源(yuan)表(biao)中國(guo)電(dian)子行(xing)業儀器優質(zhi)供(gong)應(ying)商(shang)——堅(jian)融實(shi)業(ye)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷(xiao)售Sale、服務Service，3S公司，提供(gong)解(jie)決方(fang)案、測試(shi)測量(liang)技(ji)術(shu)改(gai)進、技(ji)術(shu)培(pei)訓(xun)、采購管理(li)、售後維修(xiu)服務。

產品(pin)特性Product characteristics

 中國(guo)電(dian)子行(xing)業儀器優質(zhi)供(gong)應(ying)商(shang)——堅(jian)融實(shi)業(ye)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷(xiao)售Sale、服務Service，3S公司，提供(gong)解(jie)決方(fang)案、測試(shi)測量(liang)技(ji)術(shu)改(gai)進、技(ji)術(shu)培(pei)訓(xun)、采購管理(li)、售後維修(xiu)服務。

美國吉(ji)時(shi)利keithley源(yuan)表(biao)2400系(xi)列(lie)研(yan)究(jiu)領域(yu)：
各(ge)種器件的I-V功能測試(shi)和(he)特征分(fen)析，包括(kuo)：
 離散(san)和(he)無(wu)源(yuan)元(yuan)件(jian) 
–兩抽(chou)頭(tou)器件——傳感器、磁盤驅動(dong)器頭、金屬氧(yang)化(hua)物(wu)可變電(dian)阻(zu)（MOV）、二極(ji)管、齊納二(er)極(ji)管、電容、熱(re)敏電(dian)阻(zu)
–三(san)抽(chou)頭(tou)器件——小信號雙(shuang)極(ji)結型(xing)晶體(ti)管（BJT）、場(chang)效(xiao)應(ying)晶體(ti)管（FET）等等 
 簡(jian)單(dan)IC器件——光(guang)學器件、驅動(dong)器、開關(guan)、傳(chuan)感(gan)器
 集成器件——小規(gui)模(mo)集成（SSI）和(he)大(da)規(gui)模(mo)集成（LSI）
–模(mo)擬(ni)IC 
–射(she)頻集成電(dian)路（RFIC）
–集成電(dian)路（ASIC）
–片上(shang)系統（SoC）器件
 光(guang)電器件，例(li)如(ru)發(fa)光(guang)二極(ji)管（LED）、激光(guang)二極(ji)管、高亮(liang)度(du)LED（HBLED）、垂直(zhi)腔(qiang)面(mian)發(fa)射(she)激光(guang)器（VCSEL）、顯示器
 圓(yuan)片級(ji)可靠(kao)性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷(qian)移
 太(tai)陽(yang)能電(dian)池
 電池
暫態抑(yi)制(zhi)器件
IC、RFIC、MMIC
激光(guang)二極(ji)管、激光(guang)二極(ji)管模塊(kuai)、LED、光(guang)電檢測器
電路保護(hu)器件:
TVS、MOV、熔(rong)絲
安全氣(qi)囊
連(lian)接(jie)器、開關(guan)、繼(ji)電(dian)器
碳納米管
半(ban)導體(ti)納米(mi)線
碳(tan)納米管 FET
納米傳(chuan)感器和(he)陣列
單電(dian)子(zi)晶(jing)體(ti)管
分(fen)子電(dian)子
有機(ji)電子
基(ji)本運放電(dian)路
二極(ji)管和(he)電路
晶體(ti)管電路

測試(shi)：
漏流
低壓、電阻(zu)
LIV
IDDQ
I-V特征分(fen)析
隔離與(yu)軌(gui)跡電阻
溫(wen)度(du)系數(shu)
正(zheng)向電(dian)壓、反(fan)向(xiang)擊(ji)穿(chuan)、漏(lou)電(dian)流
直(zhi)流參(can)數測試(shi)
直(zhi)流電(dian)源(yuan)
HIPOT
介(jie)質(zhi)耐受性

雙極(ji)結型(xing)晶體(ti)管設計
結(jie)型(xing)場(chang)效(xiao)應(ying)晶體(ti)管設計
金(jin)屬氧(yang)化(hua)物(wu)半(ban)導體(ti)場(chang)效(xiao)應(ying)晶體(ti)管設計
太(tai)陽(yang)能電(dian)池和(he) LED 設計
高(gao)電(dian)子(zi)遷移率(lv)晶(jing)體(ti)管設計
復合半(ban)導體(ti)器件設計

分(fen)析納米(mi)材料和(he)實(shi)驗(yan)器件
碳納米(mi)管的電測量(liang)標準(zhun)
測量(liang)碳(tan)納米(mi)管電氣特性
提高納(na)米電(dian)子和(he)分(fen)子電(dian)子器件的低電流測量(liang)
在(zai)低功率(lv)和(he)低壓應用中實(shi)現準(zhun)確、可靠(kao)的電阻測量(liang)
納(na)米級(ji)器件和(he)材料的電氣測量(liang)
提高超高電(dian)阻(zu)和(he)電阻率(lv)測量(liang)的可重復性
壹種(zhong)微(wei)分(fen)電導(dao)的改進測量(liang)方(fang)法(fa)
納(na)米技(ji)術(shu)準(zhun)確電氣(qi)測量(liang)的技(ji)術(shu)
納(na)米(mi)級(ji)材料的電氣測量(liang)
降(jiang)低外部(bu)誤差(cha)源(yuan)影(ying)響(xiang)的儀器技(ji)術(shu)
迎(ying)接(jie)65nm節點(dian)的測量(liang)挑(tiao)戰
測量(liang)半(ban)導體(ti)材料的高電阻率(lv)和(he)霍(huo)爾電壓
用微(wei)微(wei)微(wei)安量(liang)程測量(liang)電(dian)流
柵極(ji)電介(jie)質電(dian)容電壓特性分(fen)析
評(ping)估氧化層(ceng)的可靠(kao)性

的半(ban)導體(ti)器件結構設(she)計和(he)試(shi)驗低電阻(zu)、低功耗(hao)半(ban)導體(ti)器
輸(shu)出極(ji)低電流和(he)測量(liang)極(ji)低電壓分(fen)析現代材料、半(ban)導體(ti)和(he)納米電子(zi)元(yuan)件(jian)的電阻
低阻測量(liang)(低至10nΩ)分(fen)析導通(tong)電(dian)阻(zu)參(can)數(shu)、互(hu)連(lian)和(he)低功率(lv)半(ban)導體(ti)。
用於*進CMOS技(ji)術(shu)的脈(mai)沖(chong)可靠(kao)性測試(shi)
高K柵極(ji)電介(jie)質電(dian)荷俘(fu)獲(huo)行(xing)為的脈(mai)沖(chong)特性分(fen)析
用6線(xian)歐姆測量(liang)技(ji)術(shu)進行(xing)更高準(zhun)確度(du)的電阻測量(liang)
配置分(fen)立電(dian)阻器驗證測試(shi)系統(tong)
電信(xin)激光(guang)二極(ji)管模塊(kuai)的高吞吐率(lv)直(zhi)流生(sheng)產測試(shi)
多臺(tai)數字源(yuan)表(biao)的觸發(fa)器同(tong)步
高(gao)亮(liang)度(du)、可見光(guang)LED的生(sheng)產測試(shi)
OLED顯示(shi)器的直(zhi)流生(sheng)產測試(shi)
在(zai)運行(xing)中第(di)5次(ci)測量(liang)用於偏置溫(wen)度(du)不穩(wen)定(ding)特性分(fen)析
數字源(yuan)表(biao)的緩沖器以及如(ru)何(he)用這(zhe)兩個(ge)緩(huan)沖(chong)器獲(huo)取多達(da)5000點(dian)數(shu)據
連(lian)接(jie)器的生(sheng)產測試(shi)方(fang)案
射(she)頻功(gong)率(lv)晶(jing)體(ti)管的直(zhi)流電(dian)氣特性分(fen)析

1. MOS 電容器
C-V 曲(qu)線 (高(gao)頻：100kHz)：
摻(chan)雜(za)類(lei)型 – 氧化(hua)層厚度(du) – 平帶(dai)電壓 – 閾值電(dian)壓 – 襯底(di)摻(chan)雜(za) – zui大(da)耗(hao)盡(jin)層(ceng)寬度(du) – 反(fan)型(xing)層(ceng)到(dao)平(ping)衡(heng)的靈(ling)敏度(du)：電壓掃描(miao)率(lv)和(he)方(fang)向 – 光(guang)效(xiao)應(ying)和(he)溫(wen)度(du)效(xiao)應(ying)。
I-V 曲(qu)線分(fen)析：
電荷建(jian)立(li) (測量(liang)電(dian)壓 - 時(shi)間(jian)圖(tu)，用低電流源(yuan))； 氧(yang)化(hua)層(ceng)電(dian)容測定； 與(yu) C-V 曲(qu)線比(bi)較(jiao)。
C-V 曲(qu)線 (準(zhun)靜(jing)態) 結(jie)合(he) C-V 曲(qu)線：
表(biao)面(mian)電(dian)位 Ψs 與(yu)施加電(dian)壓的關(guan)系(xi) – Si (100) 的表面態密度(du) Dit = f (Ψs) 與(yu) Si (111) 的相比(bi)：方(fang)向和(he)後處理(li)退火的影響。
C-V 曲(qu)線 (高(gao)頻：100kHz)：
移(yi)動(dong)氧化層(ceng)電(dian)荷密度(du) (偏壓溫(wen)度(du)應力：200°C，10 分(fen)鐘(zhong)，±10V)
 
2. 雙(shuang)極(ji)結型(xing)晶體(ti)管
     主題
   正(zheng)向共(gong)發(fa)射(she)極(ji)輸(shu)出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量(liang)。
   正(zheng)向 CE 輸(shu)入特性：Ib = f (Vbe) 對於幾個(ge) Vce 正(zheng)值。
   正(zheng)向 Gummel 曲(qu)線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增(zeng)益(yi) βf = Ic/Ib 和(he) af。
   Βf 與(yu) log(Ic) 的關(guan)系(xi)： 低註(zhu)入和(he)高註(zhu)入的效(xiao)果(guo)。
   非理(li)想(xiang)特性：爾利電(dian)壓。
   反(fan)向(xiang) CE 輸(shu)出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反(fan)向(xiang) CE 傳(chuan)輸(shu)特性：Ib=f(Vbe) 對於幾個(ge)Vce負值。
   反(fan)向(xiang) Gummel 曲(qu)線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定增(zeng)益(yi) βr = Ie/Ib 和(he) ar。
   Βr 與(yu) log(Ie) 的關(guan)系(xi)： 低註(zhu)入和(he)高註(zhu)入的效(xiao)果(guo)。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對於給(gei)定(ding)的 Ib 電流。
   Ebers Moll 模(mo)型構(gou)建(jian)並(bing)且(qie)與(yu)實(shi)驗(yan)做(zuo)比較(jiao)。
   BE 和(he) CE 結的 C-V 特性分(fen)析。基區(qu)摻(chan)雜(za)濃(nong)縮(suo)。
 
3. 亞微(wei)米集成 MOSFET
輸(shu)出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增(zeng)強(qiang)或(huo)耗(hao)盡(jin))，溝道長(chang)度(du)調制(zhi)參數(λ) 在(zai)飽(bao)和(he)區(qu)域(yu) (VDS<–3V) 有效(xiao)溝道長(chang)度(du)與(yu) VDS 的關(guan)系(xi)。
傳(chuan)輸(shu)特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底(di)偏壓特性： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾(yu)值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯底(di)電流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用長(chang)溝道和(he)短溝道公(gong)式的輸(shu)出特性模型(xing)：比較(jiao)實(shi)驗(yan)結(jie)果。

美國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2400數(shu)字源(yuan)表(biao)進行(xing)VCSEL測試(shi)
美國(guo)吉時(shi)利KEITHLEY2400測量(liang)光(guang)伏電(dian)池(chi)的I-V特性
美國(guo)吉時(shi)利KEITHLEY2400系(xi)列(lie)數(shu)字源(yuan)表(biao)的SCPI應用轉(zhuan)換(huan)為(wei)2600系(xi)列源(yuan)表(biao)的腳(jiao)本(ben)應(ying)用
美(mei)國吉時(shi)利KEITHLEY2400系(xi)列(lie)數(shu)字源(yuan)表(biao)進行(xing)IDDQ測試(shi)和(he)待(dai)機(ji)電流測試(shi)
使用兩臺(tai)美(mei)國(guo)吉時(shi)利KEITHLEY2400型(xing)數(shu)字源(yuan)表(biao)輸(shu)出2A電(dian)流
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2400或(huo)其(qi)它(ta)非脈(mai)沖(chong)模(mo)式源(yuan)表(biao)產(chan)生(sheng)電流 (或(huo)電壓) 脈(mai)沖(chong)
美(mei)國(guo)吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2400系(xi)列(lie)數(shu)字源(yuan)表(biao)提升(sheng)多(duo)引(yin)腳(jiao)器件的生(sheng)產量(liang)
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2400數(shu)字源(yuan)表(biao)創建可擴(kuo)縮(suo)、多引(yin)腳(jiao)、多(duo)功(gong)能IC測試(shi)系統(tong)
美國(guo)吉時(shi)利KEITHLEY2402數(shu)字源(yuan)表(biao)對激光(guang)二極(ji)管模塊(kuai)和(he)VCSEL進行(xing)高吞吐率(lv)直(zhi)流生(sheng)產測試(shi)
美國(guo)吉時(shi)利KEITHLEY2400系(xi)列(lie)數(shu)字源(yuan)表(biao)進行(xing)二極(ji)管生(sheng)產測試(shi)
美國(guo)吉時(shi)利KEITHLEY2400系(xi)列(lie)數(shu)字源(yuan)表(biao)進行(xing)高亮(liang)度(du)、可見光(guang)LED的生(sheng)產測試(shi)
美國(guo)吉時(shi)利KEITHLEY2400系(xi)列(lie)數(shu)字源(yuan)表(biao)進行(xing)IDDQ測試(shi)和(he)待(dai)機(ji)電流測試(shi)
美國(guo)吉時(shi)利KEITHLEY2400 數(shu)字源(yuan)表(biao)驗(yan)證(zheng)變(bian)阻器
美國吉時(shi)利KEITHLEY2400系(xi)列(lie)源(yuan)表(biao)進行(xing)電池放電(dian)/充(chong)電周期(qi)
美(mei)國吉時(shi)利KEITHLEY2400配置電阻(zu)網(wang)絡的生(sheng)產測試(shi)系統(tong)
美國(guo)吉時(shi)利KEITHLEY2430 1kW 脈(mai)沖(chong)源(yuan)表(biao)進行(xing)大(da)電流變(bian)阻器的生(sheng)產測試(shi)
美國(guo)吉時(shi)利KEITHLEY2400數(shu)字源(yuan)表(biao)進行(xing)熱(re)敏電(dian)阻(zu)的生(sheng)產測試(shi)

美國吉(ji)時(shi)利keithley源(yuan)表(biao)2430脈(mai)沖(chong)數(shu)字源(yuan)表(biao)SourceMeter（數(shu)字源(yuan)表(biao)）系(xi)列(lie)是(shi)專為那(na)些(xie)要(yao)求緊密結合激勵(li)源(yuan)和(he)測量(liang)功(gong)能，要(yao)求精密電壓源(yuan)並(bing)同(tong)時(shi)進行(xing)電流與(yu)電(dian)壓測量(liang)的測試(shi)應用而(er)設(she)計的。所有源(yuan)表(biao)均(jun)由壹個(ge)精密的、低噪(zao)聲、高(gao)穩定(ding)的帶(dai)回讀(du)功能的直(zhi)流電(dian)源(yuan)和(he)壹個(ge)低噪(zao)聲、高(gao)重復性、高輸(shu)入阻(zu)抗的5 1/2位多功能表(biao)組成，形成(cheng)了(le)緊湊的單通道直(zhi)流參(can)數測試(shi)儀。其(qi)功能相當於電壓源(yuan)、電(dian)流源(yuan)、電(dian)壓表、電(dian)流表(biao)和(he)電阻表的綜合體(ti)。通信(xin)、半(ban)導體(ti)、計算(suan)機(ji)、汽(qi)車(che)與(yu)醫(yi)療行(xing)業的元件與(yu)模(mo)塊(kuai)制(zhi)造(zao)商(shang)都將(jiang)發(fa)現，源(yuan)表(biao)儀(yi)器對於各種特征分(fen)析與(yu)生(sheng)產過程測試(shi)都實(shi)用價(jia)值。
 
    美(mei)國(guo)吉(ji)時(shi)利keithley 2430脈(mai)沖(chong)數(shu)字源(yuan)表(biao)1kW脈(mai)沖(chong)模(mo)式源(yuan)表(biao)具有與(yu)2425型(xing)100W源(yuan)表(biao)相同(tong)的直(zhi)流電(dian)源(yuan)和(he)測量(liang)範(fan)圍，另外提供(gong)了(le)*的1kW脈(mai)沖(chong)模(mo)式，將(jiang)電(dian)流上(shang)限擴(kuo)展到10A。這(zhe)壹模(mo)式使得美國(guo)吉(ji)時(shi)利keithley 2430脈(mai)沖(chong)數(shu)字源(yuan)表(biao)非常(chang)適(shi)合於測量(liang)多(duo)種高(gao)功(gong)率(lv)器件（包括多(duo)層(ceng)變(bian)阻器MLV和(he)半(ban)導體(ti)元件(jian)）的擊穿電壓。在(zai)這(zhe)些器件的生(sheng)產測試(shi)過程中，人(ren)們通常(chang)在(zai)高達(da)10A的大(da)電流脈(mai)沖(chong)下(xia)測量(liang)擊(ji)穿電(dian)壓。並(bing)有高達(da)10A@100V（脈(mai)沖(chong)式）的可編程雙(shuang)極(ji)電壓和(he)電流源(yuan)，同(tong)時(shi)具有所有2400系列(lie)的高速測試(shi)功能。
 
    美(mei)國吉時(shi)利keithley 2430脈(mai)沖(chong)數(shu)字源(yuan)表(biao)經(jing)過編程可以產(chan)生(sheng)各種占空(kong)比(bi)的單個脈(mai)沖(chong)或(huo)脈(mai)沖(chong)序列，脈(mai)寬可達5ms。在(zai)1kW的功率(lv)範(fan)圍(wei)上(shang)，可以通(tong)過編程產(chan)生(sheng)長(chang)度(du)為2.5ms占空(kong)比(bi)為(wei)8%的脈(mai)沖(chong)。當結(jie)合PC控(kong)制(zhi)器以及合(he)適的開關(guan)硬(ying)件(jian)壹起使用時(shi)，美國(guo)吉時(shi)利keithley 2430脈(mai)沖(chong)數(shu)字源(yuan)表(biao)能夠(gou)為高功率(lv)器件測試(shi)提供(gong)廉(lian)價(jia)的、高產能的解決方(fang)案、全面(mian)集成半(ban)架(jia)式的機(ji)殼外形(xing)。其他(ta)提供(gong)類(lei)似(si)性能的解決方(fang)案，例(li)如(ru)分(fen)立半(ban)導體(ti)元件(jian)測試(shi)器要(yao)比2430花(hua)更(geng)多(duo)4倍的成本，顯著(zhu)地(di)占用更(geng)大(da)的機(ji)架(jia)空(kong)間(jian)。
 
 
2430脈(mai)沖(chong)數(shu)字源(yuan)表(biao)特點(dian)
 2400系(xi)列(lie)提供(gong)寬動(dong)態範(fan)圍(wei)：10pA to 10A，1µV to 1100V，20W to 1000W
四象限工(gong)作(zuo)
0.012%的精確度(du)，51/2的分(fen)辨(bian)率(lv)
可程控(kong)電(dian)流驅動(dong)和(he)電壓測量(liang)鉗位的 6位線電阻(zu)測量(liang)
在(zai)4?數位(wei)時(shi)通過GPIB達1700讀(du)數/秒
內(nei)置快(kuai)速失敗/通過測試(shi)比較(jiao)器
可選式接觸(chu)檢查(zha)功(gong)能（2430-C型(xing)）
數字I/O提供(gong)快(kuai)速分(fen)選與(yu)機(ji)械手連(lian)接(jie) GPIB, RS-232, 和(he)觸發(fa)式連(lian)接(jie)面板 
 
 
2430脈(mai)沖(chong)數(shu)字源(yuan)表(biao)主要(yao)指標
  型號 2430、2430-C
 描(miao)述(shu) 脈(mai)沖(chong)型(xing)
 電(dian)流source/sink 是(shi)
 電壓source/sink 是(shi)
 輸(shu)出功(gong)率(lv) 1100W（脈(mai)沖(chong)式）
 輸(shu)出電(dian)壓（min./max.） ±1µV/±105V
 輸(shu)出電(dian)流（min./max.） ±100pA/±10.5A（脈(mai)沖(chong)式）
 電阻(zu) <0.2Ω至>200MΩ
 基本精度(du)I 0.035%
 基本(ben)精度(du)V 0.015%
 基本(ben)精度(du)Ω 0.06%
 接觸(chu)檢(jian)查(zha)功能（-C型(xing)） 2430-C型帶(dai)此功能
 典型(xing)應(ying)用 大(da)功率(lv)脈(mai)沖(chong)測試(shi)、變阻(zu)器及其(qi)它電路保護(hu)裝置
 隨機(ji)附件(jian) 測試(shi)線、LabVIEW軟(ruan)件驅動(dong)（可供(gong)下(xia)載）、LabTracer軟(ruan)件(jian)（可供(gong)下(xia)載）

（SourceMeter®） 選型指南