基(ji)礎信(xin)息Product information

產(chan)品名(ming)稱(cheng)：美國吉(ji)時利KEITHLEY源(yuan)表

產(chan)品型(xing)號：KEITHLEY2400

更新時間(jian)：2025-06-07

產(chan)品簡(jian)介：

美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY源(yuan)表可以作(zuo)為(wei)壹(yi)個電(dian)壓源(yuan)，電流(liu)源，電壓表，電(dian)流表和(he)歐(ou)姆表(biao)。通信(xin)、半導(dao)體(ti)、計算(suan)機、汽(qi)車與(yu)醫(yi)療(liao)行(xing)業的(de)元(yuan)件與(yu)模塊(kuai)制造(zao)商都(dou)將發(fa)現，數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)對(dui)於各(ge)種特征(zheng)分析(xi)與(yu)生產(chan)過程測試都(dou)實用價值(zhi)。

產(chan)品特性(xing)Product characteristics

專(zhuan)業儀器(qi)設(she)備與(yu)測試方(fang)案(an)供應(ying)商——上(shang)海(hai)堅(jian)融(rong)實業有(you)限(xian)公司(si)JETYOO INDUSTRIAL & 堅友(you)（上(shang)海(hai)）測量儀器(qi)有(you)限(xian)公司(si)JETYOO INSTRUMENTS，為(wei)原(yuan)安捷倫Agilent【現是德KEYSIGHT】品(pin)牌(pai)技術(shu)經(jing)理(li)-堅JET與(yu)吉(ji)時利KEITHLEY【現(xian)泰克(ke)Tektronix】品牌(pai)產(chan)品經(jing)理(li)-融(rong)YOO於2011年(nian)共(gong)同(tong)創(chuang)辦(ban)，專(zhuan)註(zhu)工業測試領(ling)域十六(liu)年(nian)，誌(zhi)在破舊立新！*進(jin)口(kou)儀(yi)器(qi)設(she)備大(da)多(duo)數(shu)廠家(jia)僅(jin)在國內(nei)設(she)銷售(shou)點，但(dan)技術(shu)支(zhi)持薄(bo)弱(ruo)甚至(zhi)沒有(you)，而(er)代(dai)理(li)經銷商也(ye)只做(zuo)商務(wu)，不做(zuo)售(shou)前技術(shu)支(zhi)持/測試方(fang)案(an)和(he)售(shou)後使用(yong)培訓/維(wei)修(xiu)校(xiao)準(zhun)的(de)空白。我(wo)們的(de)技術(shu)型(xing)銷售(shou)均(jun)為(wei)本科(ke)以上(shang)學(xue)歷(li)，且均(jun)有(you)10年(nian)以上(shang)測試行(xing)業經驗，以我(wo)們(men)*進(jin)*的(de)經(jing)營(ying)理(li)念(nian)，與(yu)客戶(hu)互(hu)惠互(hu)利合作(zuo)雙贏(ying)，重在協助用(yong)戶(hu)采(cai)購(gou)與(yu)技術(shu)工程師的(de)工作，提供較有(you)競(jing)爭力(li)的(de)供應(ying)鏈(lian)管理(li)與(yu)售(shou)前售(shou)後技術(shu)支(zhi)持。堅(jian)融(rong)實業——壹(yi)家(jia)致(zhi)力(li)於為(wei)祖(zu)國用戶(hu)提供儀(yi)器(qi)設(she)備、測試方(fang)案(an)、技術(shu)培訓、維(wei)修(xiu)計(ji)量全面(mian)服(fu)務的(de)儀(yi)器(qi)設(she)備綜(zong)合服(fu)務商。

吉(ji)時利KEITHLEY2400系(xi)列源(yuan)表(biao)研究(jiu)領(ling)域：
各(ge)種器(qi)件的(de)I-V功(gong)能測試和(he)特征(zheng)分析(xi)，包括(kuo)：
離(li)散和(he)無源(yuan)元件
–兩(liang)抽(chou)頭(tou)器(qi)件——傳(chuan)感(gan)器(qi)、磁盤驅(qu)動(dong)器(qi)頭(tou)、金屬(shu)氧化(hua)物(wu)可變電阻(zu)（MOV）、二極(ji)管、齊納二極(ji)管、電容(rong)、熱敏(min)電阻
–三(san)抽(chou)頭(tou)器(qi)件——小(xiao)信(xin)號雙極(ji)結型(xing)晶(jing)體(ti)管（BJT）、場效應(ying)晶(jing)體管（FET）等等(deng)
簡(jian)單IC器(qi)件——光(guang)學(xue)器(qi)件、驅(qu)動(dong)器(qi)、開(kai)關(guan)、傳(chuan)感(gan)器(qi)
集(ji)成器(qi)件——小(xiao)規模(mo)集(ji)成（SSI）和(he)大規模(mo)集(ji)成（LSI）
–模擬IC
–射(she)頻(pin)集(ji)成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上(shang)系統(tong)（SoC）器(qi)件
光(guang)電器(qi)件，例(li)如(ru)發(fa)光(guang)二極(ji)管（LED）、激光(guang)二極(ji)管、高亮度LED（HBLED）、垂(chui)直腔面(mian)發(fa)射(she)激光(guang)器(qi)（VCSEL）、顯(xian)示(shi)器(qi)
圓(yuan)片級可靠(kao)性(xing)
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移(yi)
太陽能電池
電(dian)池
暫態抑制器(qi)件
IC、RFIC、MMIC
激光(guang)二極(ji)管、激光(guang)二極(ji)管模塊(kuai)、LED、光(guang)電檢(jian)測器(qi)
電(dian)路(lu)保(bao)護器(qi)件:
TVS、MOV、熔(rong)絲(si)
安全氣囊
連接器(qi)、開(kai)關(guan)、繼電器(qi)
碳(tan)納米(mi)管
半導(dao)體(ti)納米線
碳(tan)納米(mi)管 FET
納米(mi)傳(chuan)感器(qi)和(he)陣列
單(dan)電(dian)子(zi)晶(jing)體管
分子(zi)電(dian)子(zi)
有(you)機電(dian)子(zi)
基(ji)本(ben)運(yun)放電路(lu)
二(er)極管和(he)電路(lu)
晶體管電路(lu)

測試：
漏(lou)流
低(di)壓(ya)、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征(zheng)分析(xi)
隔離(li)與(yu)軌跡電(dian)阻(zu)
溫度(du)系數(shu)
正向(xiang)電(dian)壓、反(fan)向擊穿(chuan)、漏電(dian)流
直流參(can)數(shu)測試
直流電(dian)源
HIPOT
介質耐(nai)受性(xing)

雙(shuang)極(ji)結型(xing)晶(jing)體(ti)管設(she)計
結(jie)型(xing)場(chang)效應(ying)晶(jing)體管設(she)計
金(jin)屬氧(yang)化(hua)物(wu)半導(dao)體(ti)場效應(ying)晶(jing)體管設(she)計
太陽能電池和(he) LED 設(she)計
高(gao)電子(zi)遷移(yi)率(lv)晶體(ti)管設(she)計
復(fu)合半導(dao)體(ti)器(qi)件設(she)計

分析(xi)納(na)米材(cai)料和(he)實驗器(qi)件
碳(tan)納米(mi)管的(de)電(dian)測量標(biao)準
測量碳(tan)納米(mi)管電氣(qi)特性(xing)
提高(gao)納(na)米電子(zi)和(he)分子(zi)電(dian)子(zi)器(qi)件的(de)低(di)電(dian)流測量
在低(di)功(gong)率(lv)和(he)低(di)壓(ya)應(ying)用(yong)中(zhong)實現準確、可靠(kao)的(de)電(dian)阻測量
納米級器(qi)件和(he)材(cai)料的(de)電(dian)氣測量
提高(gao)超(chao)高(gao)電(dian)阻(zu)和(he)電阻(zu)率(lv)測量的(de)可重復(fu)性(xing)
壹種(zhong)微分電(dian)導(dao)的(de)改(gai)進測量方(fang)法(fa)
納米技術(shu)準(zhun)確電氣測量的(de)技術(shu)
納(na)米級材(cai)料的(de)電(dian)氣測量
降低(di)外(wai)部誤(wu)差源影(ying)響的(de)儀(yi)器(qi)技術(shu)
迎(ying)接65nm節(jie)點的(de)測量挑(tiao)戰(zhan)
測量半導(dao)體(ti)材(cai)料的(de)高(gao)電阻率(lv)和(he)霍爾(er)電壓
用(yong)微(wei)微微安量程測量電流
柵(zha)極(ji)電(dian)介質電(dian)容(rong)電壓(ya)特性(xing)分析(xi)
評(ping)估(gu)氧(yang)化(hua)層的(de)可靠(kao)性(xing)

的(de)半導(dao)體(ti)器(qi)件結(jie)構(gou)設(she)計和(he)試驗低(di)電(dian)阻、低(di)功(gong)耗(hao)半導(dao)體(ti)器(qi)
輸(shu)出極低(di)電(dian)流和(he)測量極低(di)電(dian)壓分析(xi)現(xian)代材(cai)料、半導(dao)體(ti)和(he)納米(mi)電子(zi)元(yuan)件的(de)電(dian)阻
低(di)阻(zu)測量(低(di)至(zhi)10nΩ)分析(xi)導(dao)通電(dian)阻參(can)數(shu)、互連(lian)和(he)低(di)功(gong)率(lv)半導(dao)體(ti)。
用於*進(jin)CMOS技術(shu)的(de)脈(mai)沖(chong)可靠(kao)性(xing)測試
高(gao)K柵(zha)極(ji)電(dian)介質電(dian)荷俘獲行為(wei)的(de)脈(mai)沖(chong)特性(xing)分析(xi)
用(yong)6線歐(ou)姆測量技術(shu)進(jin)行更高準確度(du)的(de)電(dian)阻測量
配(pei)置(zhi)分立電阻(zu)器(qi)驗證測試系(xi)統
電信(xin)激光(guang)二極(ji)管模塊(kuai)的(de)高(gao)吞(tun)吐(tu)率(lv)直流生產(chan)測試
多(duo)臺數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)的(de)觸(chu)發(fa)器(qi)同(tong)步(bu)
高(gao)亮度、可見光(guang)LED的(de)生產(chan)測試
OLED顯(xian)示(shi)器(qi)的(de)直流生產(chan)測試
在(zai)運行中(zhong)第(di)5次測量用於偏(pian)置溫(wen)度不穩(wen)定特性(xing)分析(xi)
數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)的(de)緩(huan)沖(chong)器(qi)以及(ji)如(ru)何(he)用(yong)這兩個緩(huan)沖(chong)器(qi)獲(huo)取多(duo)達(da)5000點(dian)數(shu)據(ju)
連接器(qi)的(de)生產(chan)測試方(fang)案(an)
射(she)頻(pin)功(gong)率(lv)晶體(ti)管的(de)直流電(dian)氣特性(xing)分析(xi)

1. MOS 電(dian)容(rong)器(qi)
C-V 曲(qu)線 (高(gao)頻：100kHz)：
摻(chan)雜類型(xing) – 氧(yang)化(hua)層厚度 – 平(ping)帶電壓(ya) – 閾值(zhi)電(dian)壓(ya) – 襯(chen)底摻(chan)雜 – zui大耗(hao)盡(jin)層寬(kuan)度(du) – 反(fan)型(xing)層到(dao)平(ping)衡的(de)靈(ling)敏(min)度：電壓(ya)掃(sao)描率(lv)和(he)方(fang)向 – 光(guang)效應(ying)和(he)溫度(du)效應(ying)。
I-V 曲(qu)線分析(xi)：
電(dian)荷建立 (測量電壓 - 時間(jian)圖(tu)，用低(di)電(dian)流源)； 氧化(hua)層電(dian)容(rong)測定(ding)； 與(yu) C-V 曲(qu)線比較。
C-V 曲(qu)線 (準(zhun)靜態) 結(jie)合 C-V 曲(qu)線：
表(biao)面(mian)電位 Ψs 與(yu)施加(jia)電壓(ya)的(de)關(guan)系 – Si (100) 的(de)表(biao)面(mian)態密(mi)度(du) Dit = f (Ψs) 與(yu) Si (111) 的(de)相(xiang)比：方(fang)向和(he)後處(chu)理(li)退火(huo)的(de)影(ying)響。
C-V 曲(qu)線 (高(gao)頻：100kHz)：
移(yi)動(dong)氧(yang)化(hua)層電(dian)荷密(mi)度(du) (偏(pian)壓溫度(du)應(ying)力(li)：200°C，10 分鐘(zhong)，±10V)

2. 雙(shuang)極結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管
    主題
  正(zheng)向(xiang)共(gong)發(fa)射(she)極(ji)輸(shu)出特性(xing)：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。
  正向 CE 輸(shu)入(ru)特性(xing)：Ib = f (Vbe) 對於幾(ji)個 Vce 正(zheng)值(zhi)。
  正(zheng)向(xiang) Gummel 曲(qu)線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
  確(que)定增(zeng)益(yi) βf = Ic/Ib 和(he) af。
  Βf 與(yu) log(Ic) 的(de)關(guan)系： 低(di)註(zhu)入(ru)和(he)高註(zhu)入(ru)的(de)效果(guo)。
  非理(li)想(xiang)特性(xing)：爾(er)利電(dian)壓。
  反(fan)向 CE 輸(shu)出特性(xing)： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反(fan)向 CE 傳(chuan)輸(shu)特性(xing)：Ib=f(Vbe) 對於幾(ji)個Vce負(fu)值(zhi)。
  反(fan)向 Gummel 曲(qu)線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
  確(que)定增(zeng)益(yi) βr = Ie/Ib 和(he) ar。
  Βr 與(yu) log(Ie) 的(de)關(guan)系： 低(di)註(zhu)入(ru)和(he)高註(zhu)入(ru)的(de)效果(guo)。
  Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定(ding)，對於給(gei)定的(de) Ib 電(dian)流。
  Ebers Moll 模型(xing)構(gou)建並且與(yu)實驗做(zuo)比較。
  BE 和(he) CE 結的(de) C-V 特性(xing)分析(xi)。基(ji)區(qu)摻雜濃(nong)縮(suo)。

3. 亞(ya)微(wei)米(mi)集成 MOSFET
輸(shu)出特性(xing)：IDS = f(VDS,VGS):
p型(xing) MOSFET (增(zeng)強(qiang)或(huo)耗(hao)盡(jin))，溝道(dao)長(chang)度(du)調制參(can)數(shu)(λ) 在飽(bao)和(he)區(qu)域 (VDS<–3V) 有(you)效溝道(dao)長(chang)度(du)與(yu) VDS 的(de)關(guan)系。
傳輸(shu)特性(xing)：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯(chen)底偏(pian)壓(ya)特性(xing)：
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞(ya)閾值(zhi)特性(xing)：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chen)底電(dian)流(liu)特性(xing)：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用(yong)長(chang)溝道(dao)和(he)短溝道(dao)公(gong)式的(de)輸(shu)出特性(xing)模型(xing)：比較實驗結(jie)果(guo)。

美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2400數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)進(jin)行(xing)VCSEL測試
美(mei)國吉(ji)時利KEITHLEY2400測量光(guang)伏電池(chi)的(de)I-V特性(xing)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2400系(xi)列數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)的(de)SCPI應(ying)用(yong)轉換為2600系(xi)列(lie)源(yuan)表的(de)腳(jiao)本應(ying)用(yong)
美國吉(ji)時利KEITHLEY2400系(xi)列數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)進(jin)行(xing)IDDQ測試和(he)待機電(dian)流(liu)測試
使用(yong)兩(liang)臺美國吉(ji)時利KEITHLEY2400型(xing)數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)輸(shu)出2A電流
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2400或(huo)其它(ta)非(fei)脈沖(chong)模(mo)式源表產(chan)生電(dian)流 (或(huo)電壓) 脈沖(chong)
美(mei)國吉(ji)時利KEITHLEY2400系(xi)列數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)提升(sheng)多引腳(jiao)器(qi)件的(de)生產(chan)量
美國吉(ji)時利KEITHLEY2400數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)創(chuang)建可擴縮、多引腳(jiao)、多(duo)功能(neng)IC測試系(xi)統
美國吉(ji)時利KEITHLEY2402數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)對(dui)激光(guang)二極(ji)管模塊(kuai)和(he)VCSEL進行(xing)高吞(tun)吐(tu)率(lv)直流生產(chan)測試
美(mei)國吉(ji)時利KEITHLEY2400系(xi)列數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)進(jin)行(xing)二極管生產(chan)測試
美(mei)國吉(ji)時利KEITHLEY2400系(xi)列數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)進(jin)行(xing)高亮度、可見光(guang)LED的(de)生產(chan)測試
美(mei)國吉(ji)時利KEITHLEY2400系(xi)列數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)進(jin)行(xing)IDDQ測試和(he)待機電(dian)流(liu)測試
美(mei)國吉(ji)時利KEITHLEY2400 數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)驗證變阻器(qi)
美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2400系(xi)列源(yuan)表(biao)進(jin)行電(dian)池(chi)放電/充(chong)電(dian)周(zhou)期(qi)
美國吉(ji)時利KEITHLEY2400配(pei)置(zhi)電阻網絡(luo)的(de)生產(chan)測試系(xi)統
美國吉(ji)時利KEITHLEY2430 1kW 脈(mai)沖(chong)源(yuan)表進行大(da)電流(liu)變阻器(qi)的(de)生產(chan)測試
美(mei)國吉(ji)時利KEITHLEY2400數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)進(jin)行(xing)熱敏(min)電阻的(de)生產(chan)測試

keithley2400美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY源(yuan)表概述(shu)
2400型(xing)通(tong)用(yong)性(xing)源表(biao)zui大可測量200V的(de)電(dian)流和(he)1A的(de)電(dian)流，輸(shu)出功率(lv)20W

吉(ji)時利數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)系(xi)列(lie)特別適(shi)用(yong)於需(xu)要(yao)精(jing)密(mi)電(dian)壓(ya)源和(he)電流(liu)源驅動(dong)，同(tong)時進(jin)行電流與(yu)電壓(ya)測量的(de)測試應(ying)用(yong)。所(suo)有(you)源(yuan)表都(dou)提供精(jing)密(mi)的(de)電(dian)壓和(he)電流(liu)源測量能力(li)。每(mei)個源(yuan)表均(jun)由壹(yi)個高(gao)穩定(ding)的(de)直流源(yuan)和(he)壹個真(zhen)儀器(qi)級的(de)5位半多(duo)功(gong)能表組成。該電(dian)源特性(xing)包括(kuo)：低(di)噪(zao)聲，高精度(du)和(he)回讀功能。萬用表(biao)功(gong)能(neng)包括(kuo)高(gao)重復(fu)性(xing)和(he)低(di)噪(zao)音(yin)。其(qi)結果(guo)形成了(le)壹(yi)個緊(jin)湊的(de)單(dan)通道(dao)直流參(can)數(shu)測試儀(yi)。在操作(zuo)中(zhong)，這些(xie)儀器(qi)可以作(zuo)為(wei)壹(yi)個電(dian)壓源(yuan)，電流(liu)源，電壓表，電(dian)流表和(he)歐(ou)姆表(biao)。通信(xin)、半導(dao)體(ti)、計算(suan)機、汽(qi)車與(yu)醫(yi)療(liao)行(xing)業的(de)元(yuan)件與(yu)模塊(kuai)制造(zao)商都(dou)將發(fa)現，數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)對(dui)於各(ge)種特征(zheng)分析(xi)與(yu)生產(chan)過程測試都(dou)實用價值(zhi)。

* keithley2400系(xi)列(lie)提供寬(kuan)動(dong)態範(fan)圍：10pA to 10A, 1µV to 1100V, 20W to 1000W
* 四象(xiang)限(xian)工作
* 0.012%的(de)精(jing)確度，5½的(de)分辨率(lv)
* 可程控電(dian)流(liu)驅(qu)動(dong)和(he)電壓(ya)測量鉗位的(de) 6位線電(dian)阻測量
* 在4½數(shu)位時通(tong)過GPIB達(da)1700讀數(shu)/秒
* 內(nei)置快(kuai)速(su)失(shi)敗(bai)/通過測試比較器(qi)
* 可選(xuan)式接觸(chu)檢查功能(neng)
* 數(shu)字(zi)I/O提供快(kuai)速(su)分選(xuan)與(yu)機械手連(lian)接 GPIB, RS-232, 和(he)觸(chu)發(fa)式連接面(mian)板

美(mei)國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY源(yuan)表keithley2400源(yuan)表(biao)應(ying)用(yong)
器(qi)件：
離(li)散半導(dao)體(ti)器(qi)件
無(wu)源(yuan)器(qi)件
暫態抑制器(qi)件
IC、RFIC、MMIC
激光(guang)二極(ji)管、激光(guang)二極(ji)管模塊(kuai)、LED、光(guang)電檢(jian)測器(qi)
電(dian)路(lu)保(bao)護器(qi)件:
TVS、MOV、熔(rong)絲(si)
安全氣囊
連接器(qi)、開(kai)關(guan)、繼電器(qi)

測試：
漏(lou)流
低(di)壓(ya)、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征(zheng)分析(xi)
隔離(li)與(yu)軌跡電(dian)阻(zu)
溫度(du)系數(shu)
正向(xiang)電(dian)壓、反(fan)向擊穿(chuan)、漏電(dian)流
直流參(can)數(shu)測試
直流電(dian)源
HIPOT
介質耐(nai)受性(xing)

KEITHLEY2410型(xing)高(gao)壓(ya)源(yuan)表(biao)功率(lv)為20W，能(neng)夠(gou)提供和(he)測量從±5μV（源）和(he)±1μV（測量）到±1100V的(de)電(dian)壓，及從±10pA到(dao)±1A的(de)電(dian)流。由於具有(you)較高(gao)的(de)電(dian)壓源範圍(wei)，2410非(fei)常(chang)適(shi)合於電(dian)阻和(he)電壓(ya)系數(shu)測試、變阻器(qi)、高(gao)壓(ya)二(er)極(ji)管、開關(guan)、齊納管、射(she)頻(pin) 二(er)極(ji)管和(he)整流(liu)器(qi)的(de)測試。2410在(zai)提供1100V電(dian)壓(ya)的(de)同(tong)時能(neng)夠(gou)測量20mA的(de)電(dian)流，具有(you)精(jing)確測試所(suo)需(xu)的(de)特殊分辨率(lv)。

KEITHLEY2420型(xing)高(gao)壓(ya)源(yuan)表(biao)功率(lv)為60W，能(neng)夠(gou)提供和(he)測量從±5µV（源）和(he)±1µV（測量）到±60V的(de)電(dian)壓，以及(ji)從(cong)±100pA到(dao)±3A的(de) 電(dian)流。2420的(de)生產(chan)測試應(ying)用(yong)必須在較高(gao)電(dian)流情(qing)況(kuang)下進行(xing)測試的(de)電(dian)阻和(he)電阻(zu)網絡(luo)、熱敏(min)電阻、太陽能電池、普(pu)通電(dian)池(chi)。

KEITHLEY2425型(xing)100W源(yuan)表(biao)將(jiang)2420的(de)電(dian)壓範圍擴展(zhan)到(dao)100V，在1A的(de)電(dian)流範圍內(nei)具有(you)100W的(de)測量功率(lv)。與(yu)2420型(xing)高(gao)壓(ya)源(yuan)表(biao)壹樣(yang)， 2425也具有(you)3A電(dian)流60W功(gong)率(lv)的(de)測量能力(li)。2425是針對(dui)中(zhong)等功率(lv)器(qi)件（例(li)如(ru)DC-DC轉(zhuan)換器(qi)）、電(dian)源(yuan)和(he)其他(ta)需(xu)要(yao)60W和(he)100W總直

流(liu)功(gong)率(lv)元件的(de)生產(chan)測試而(er)設(she)計的(de)。

數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)（SourceMeter®） 選(xuan)型(xing)指南

keithley2400可選(xuan)配(pei)件
1754型(xing)2線(xian)通(tong)用(yong)10片裝測試線(xian)套件（適(shi)用(yong)於175A、197A、2000、2001、2002、2010）
2499-DIGIO數(shu)字(zi)I/O擴展(zhan)器(qi)配(pei)件（2400系(xi)列(lie)）
4288-1型(xing)單(dan)機架(jia)安裝套(tao)件（適(shi)用(yong)於428、486、487、776、2700、2000系(xi)列、2182、2300 系(xi)列、2400系(xi)列(lie)、2500系列、6514、6517A、7001、6430、6485）
4288-2型(xing)雙(shuang)機架(jia)安裝套(tao)件（適(shi)用(yong)於428、486、487、776、2000系(xi)列、2182、2300 系(xi)列、2400系(xi)列(lie)、6514、6517A、7001、2700、6430、6485）
5804型(xing)Kelvin（4線(xian)）10件裝的(de)通(tong)用測試線(xian)套件（適(shi)用(yong)於580、2400系(xi)列、數(shu)字(zi)多(duo)用(yong)表(biao)）
5805型(xing)Kelvin（4線(xian)）帶彈簧的(de)探(tan)頭(tou)，長(chang)度(du)為0.9米（3 ft）（適(shi)用(yong)於580、數(shu)字(zi)多(duo)用(yong)表(biao)）
5806型(xing)Kelvin（4線(xian)）特大號鱷(e)魚(yu)夾(jia)測試線(xian)，長(chang)度(du)為0.9米（3 ft）（適(shi)用(yong)於580、2400系(xi)列、數(shu)字(zi)多(duo)用(yong)表(biao)）
7007-1：雙(shuang)層屏(ping)蔽(bi)高級GPIB接口(kou)電(dian)纜(lan)，長(chang)度(du)1米（3.3ft）（用於GPIB互(hu)連）
7007-2：雙(shuang)層屏(ping)蔽(bi)高級GPIB接口(kou)電(dian)纜(lan)，長(chang)度(du)2米（6.6ft）（用於GPIB互(hu)連）
7009-5型(xing)屏(ping)蔽(bi)RS-232電(dian)纜(lan)，長(chang)度(du)為1.5米（5 ft）（適(shi)用(yong)於2000、2010、6517A、2400系(xi)列）
8501-1型(xing)DIN至(zhi)DIN觸(chu)發(fa)連接電纜(lan)，長(chang)度(du)為1米（3.3 ft），（適(shi)用(yong)於6517A、2400系(xi)列、KPC-TM、觸(chu)發(fa)連接輸(shu)入(ru)）
8501-2型(xing)DIN至(zhi)DIN觸(chu)發(fa)連接電纜(lan)，長(chang)度(du)為2米（6.6 ft），（適(shi)用(yong)於6517A、2400系(xi)列、KPC-TM、觸(chu)發(fa)連接輸(shu)入(ru)）
8502型(xing)觸(chu)發(fa)連接至(zhi)BNC中(zhong)斷(duan)盒(he)（適(shi)用(yong)於7001、7002、2000系(xi)列、2400系(xi)列、KPC-TM）
8503型(xing)DIN至(zhi)雙BNC觸(chu)發(fa)連接電纜(lan)，長(chang)度(du)為1米（3.3 ft），（適(shi)用(yong)於2000、2010、2400系(xi)列、觸(chu)發(fa)連接輸(shu)入(ru)）
8505型(xing)公(gong)DIN至(zhi)2 母(mu)DIN Y型(xing)適(shi)配(pei)器(qi)電(dian)纜(lan)，長(chang)度(du)為0.3米（1 ft）,（適(shi)用(yong)於觸(chu)發(fa)連接）
8606型(xing)高(gao)性(xing)能模(mo)塊化(hua)探頭(tou)套件（適(shi)用(yong)於2000、2001、2002、2010、2400系(xi)列）
8607型(xing)1kV，2根(gen)香(xiang)蕉插(cha)頭(tou)測試電(dian)纜，長(chang)度(du)為1米（3.3 ft），（適(shi)用(yong)於2410、6430、6514、6517A）
CA -18-1型(xing)屏(ping)蔽(bi)電(dian)纜(lan)，兩端接雙香(xiang)蕉插(cha)頭(tou)，長(chang)度(du)為1.2米（4 ft），（適(shi)於輸(shu)入(ru)端子(zi)）
5808型(xing)低(di)成本單探針，Kelvin探(tan)頭(tou)
5809型(xing)低(di)成本Kelvin夾(jia)測試線(xian)組
8620型(xing)通(tong)用(yong)4線(xian)數(shu)字(zi)多(duo)用(yong)表(biao)短(duan)路插頭(tou)
KPCI-488LPA，KPCI-488LPA型(xing) IEEE-488.2 PCI Bus 插(cha)件板
KUSB-488A型(xing)IEEE-488.2 USB-GPIB接口(kou)適(shi)配(pei)器(qi)，適(shi)用(yong)於USB接口(kou)，內(nei)置2米(mi)（6.6ft）電(dian)纜(lan)
4288-4型(xing)固(gu)定(ding)機架(jia)安裝套(tao)件（適(shi)用(yong)於195A、196、220、224、230、230-1、263、428、486、487、595、617、740、775A、776、2000系(xi)列、2182、2300系(xi)列、2400系(xi)列(lie)、6512、6514、6517A、7001）
4288-5型(xing)固(gu)定(ding)機架(jia)安裝套(tao)件（適(shi)用(yong)於428、486、487、2000系(xi)列、2182、2300 系(xi)列、2400系(xi)列(lie)、6514、6517A、7001）
4288-9 支架固定件套(tao)件

供選(xuan)擇(ze)的(de)配(pei)件
8605型(xing)高(gao)性(xing)能模(mo)塊化(hua)測試線(xian)，長(chang)度(du)為0.9米（3 ft），（適(shi)用(yong)於2000、2001、2002、2010、2400系(xi)列）

系(xi)統(tong)附加(jia)功能(neng)/模塊(kuai)
2499-DIGIO數(shu)字(zi)I/O擴展(zhan)器(qi)配(pei)件（2400系(xi)列(lie)）

keithley2400配(pei)套(tao)產(chan)品
7001，7001型(xing)80通(tong)道(dao)程(cheng)控開(kai)關控(kong)制器(qi)
7002，7002型(xing)400通(tong)道(dao)程(cheng)控開(kai)關控(kong)制器(qi)
7011-C型(xing)四(si)1×10多(duo)路(lu)選(xuan)通(tong)器(qi)，帶集中(zhong)端接器(qi)（適(shi)用(yong)於7001和(he)7002）
7011-S型(xing)四(si)1×10多(duo)路(lu)選(xuan)通(tong)器(qi)，帶螺釘(ding)端子(zi)（適(shi)用(yong)於7001和(he)7002）
7012-C型(xing)4×10矩陣卡，帶集中(zhong)端接器(qi)（適(shi)用(yong)於7001和(he)7002）
7012-S型(xing)4×10矩陣卡，帶螺釘(ding)端子(zi)（適(shi)用(yong)於7001和(he)7002）
7019-C型(xing)6線(xian)歐(ou)姆矩陣卡，帶96針集(ji)中(zhong)端接器(qi)（適(shi)用(yong)於7001和(he)7002）
2182A型(xing)納(na)伏表
7053高(gao)電流，10通(tong)道(dao)掃(sao)描卡，具有(you)5A接觸(chu)（適(shi)用(yong)於7001和(he)7002）

keithley2400美(mei)國(guo)吉(ji)時利源(yuan)表系(xi)列(lie)產(chan)品
KEITHLEY2400-C型(xing)帶接觸(chu)檢測的(de)通(tong)用數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)，能(neng)測量高達(da)200V的(de)電(dian)壓和(he)1A的(de)電(dian)流，輸(shu)出功率(lv)20W
KEITHLEY2410型(xing)高(gao)壓(ya)源(yuan)表(biao)能夠(gou)測量高達(da)1100V的(de)電(dian)壓和(he)1A的(de)電(dian)流，輸(shu)出功率(lv)20W功率(lv)。
KEITHLEY2410-C型(xing)帶接觸(chu)檢測的(de)高(gao)壓數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)，能(neng)測量高達(da)1100V的(de)電(dian)壓和(he)1A的(de)電(dian)流，輸(shu)出功率(lv)20W
KEITHLEY2420型(xing)高(gao)壓(ya)源(yuan)表(biao)能夠(gou)測量高達(da)60V的(de)電(dian)壓和(he)3A的(de)電(dian)流，輸(shu)出功率(lv)60W功率(lv)
KEITHLEY2420-C型(xing)帶接觸(chu)檢測的(de)大(da)電流數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)，能(neng)測量高達(da)60V的(de)電(dian)壓和(he)3A的(de)電(dian)流，輸(shu)出功率(lv)60W
KEITHLEY2425型(xing)100W源(yuan)表(biao)能(neng)夠(gou)測量100V的(de)電(dian)壓和(he)3A的(de)電(dian)流
KEITHLEY2425-C型(xing)帶接觸(chu)檢測的(de)100W數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)，能(neng)測量高達(da)100V的(de)電(dian)壓和(he)3A的(de)電(dian)流
KEITHLEY2430型(xing)1kW脈(mai)沖(chong)模(mo)式源表能夠(gou)測量100V電壓和(he)10A電流(liu)
KEITHLEY2430-C型(xing)帶接觸(chu)檢測的(de)1kW脈(mai)沖(chong)模(mo)式數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)，能(neng)測量高達(da)100V的(de)電(dian)壓和(he)10A的(de)電(dian)流
KEITHLEY2440型(xing)5A源(yuan)表(biao)能(neng)夠(gou)測量高達(da)40V的(de)電(dian)壓和(he)5A的(de)電(dian)流，輸(shu)出功率(lv)50W
KEITHLEY2440-C型(xing)帶接觸(chu)檢測的(de)5A數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)，能(neng)測量高達(da)40V的(de)電(dian)壓和(he)5A的(de)電(dian)流，輸(shu)出功率(lv)50W
KEITHLEY6430亞(ya)fA程(cheng)控(kong)源表(biao)
KEITHLEY2400-LV型(xing)數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)，能(neng)測量高達(da)200V的(de)電(dian)壓和(he)1A的(de)電(dian)流，輸(shu)出功率(lv)20W
KEITHLEY2601型(xing)單(dan)通(tong)道(dao)系(xi)統源(yuan)表儀(yi)
KEITHLEY2602型(xing)雙(shuang)通(tong)道(dao)系(xi)統源(yuan)表儀(yi)
KEITHLEY2611型(xing)單(dan)通(tong)道(dao)系(xi)統源(yuan)表儀(yi)（200V）
KEITHLEY2612型(xing)雙(shuang)通(tong)道(dao)系(xi)統源(yuan)表儀(yi)（200V）
KEITHLEY2635，2635型(xing)單(dan)通(tong)道(dao)系(xi)統數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)（低(di)電(dian)流）
KEITHLEY2636，2636型(xing)雙(shuang)通(tong)道(dao)系(xi)統數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)（低(di)電(dian)流）