基礎(chu)信息Product information

產(chan)品(pin)名(ming)稱：美國(guo)吉時(shi)利(li)KEITHLEY2651A數字(zi)源(yuan)表(biao)

產(chan)品(pin)型(xing)號：

更新時間(jian)：2025-06-07

產(chan)品(pin)簡(jian)介(jie)：

中國電子行業儀器優(you)質(zhi)供(gong)應商——堅融(rong)實(shi)業JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售Sale、服(fu)務Service，3S公(gong)司(si)，提供(gong)美國(guo)吉時(shi)利(li)KEITHLEY2651A數字(zi)源(yuan)表(biao)解(jie)決(jue)方案、測試測量技術改進(jin)、技術培訓、采購(gou)管理、售後(hou)維修(xiu)服(fu)務。

產(chan)品(pin)特(te)性(xing)Product characteristics

專業儀器設(she)備(bei)與(yu)測試方案供(gong)應商——上(shang)海堅融(rong)實(shi)業有限公司(si)JETYOO INDUSTRIAL & 堅友(you)（上海(hai)）測量儀器有(you)限公司(si)JETYOO INSTRUMENTS，為原(yuan)安(an)捷(jie)倫(lun)Agilent【現(xian)是德(de)KEYSIGHT】品牌技術經理(li)-堅JET與(yu)吉(ji)時(shi)利(li)KEITHLEY【現(xian)泰(tai)克Tektronix】品(pin)牌(pai)產(chan)品(pin)經理(li)-融(rong)YOO於(yu)2011年(nian)共(gong)同(tong)創(chuang)辦(ban)，專註工(gong)業測試領(ling)域(yu)十(shi)六(liu)年(nian)，誌(zhi)在(zai)破舊立(li)新！*進(jin)口(kou)儀(yi)器設(she)備(bei)大多數廠家(jia)僅(jin)在(zai)國內(nei)設銷售點(dian)，但(dan)技術支(zhi)持(chi)薄弱(ruo)甚(shen)至(zhi)沒有(you)，而代理(li)經銷商也(ye)只做(zuo)商務，不(bu)做(zuo)售前(qian)技術支(zhi)持(chi)/測試方案和售後(hou)使用培訓/維修(xiu)校(xiao)準的空(kong)白。我們的技術型銷售均(jun)為本(ben)科(ke)以(yi)上學歷(li)，且(qie)均(jun)有(you)10年(nian)以(yi)上測試行業經驗(yan)，以(yi)我們*進*的經營(ying)理念(nian)，與(yu)客(ke)戶(hu)互惠(hui)互利(li)合作(zuo)雙(shuang)贏(ying)，重(zhong)在(zai)協助(zhu)用戶(hu)采購(gou)與(yu)技術工(gong)程師(shi)的工(gong)作(zuo)，提供(gong)較(jiao)有競爭力(li)的供(gong)應鏈(lian)管理與(yu)售前(qian)售後(hou)技術支(zhi)持(chi)。堅融(rong)實(shi)業——壹(yi)家致(zhi)力(li)於為祖(zu)國用戶(hu)提供(gong)美國(guo)吉時(shi)利(li)KEITHLEY2651A數字(zi)源(yuan)表(biao)儀器設(she)備(bei)、測試方案、技術培訓、維修(xiu)計(ji)量全面服(fu)務的儀(yi)器設(she)備(bei)綜合服務商。

吉(ji)時利(li)KEITHLEY2600B系列源(yuan)表(biao)研究領(ling)域(yu)：
各(ge)種(zhong)器件(jian)的I-V功(gong)能(neng)測試和特征(zheng)分(fen)析，包括(kuo)：
離散和無源(yuan)元件(jian)
–兩抽(chou)頭(tou)器件(jian)——傳(chuan)感器、磁(ci)盤驅動器頭(tou)、金(jin)屬(shu)氧(yang)化(hua)物(wu)可變(bian)電阻（MOV）、二極(ji)管、齊納二(er)極(ji)管、電容、熱敏(min)電阻
–三(san)抽(chou)頭(tou)器件(jian)——小信號雙(shuang)極(ji)結型晶體(ti)管（BJT）、場效(xiao)應晶體(ti)管（FET）等等
簡(jian)單IC器件(jian)——光學器件(jian)、驅動器、開關、傳(chuan)感器
集(ji)成器件(jian)——小規(gui)模(mo)集(ji)成（SSI）和大規模集(ji)成（LSI）
–模(mo)擬IC
–射(she)頻集(ji)成電(dian)路(lu)（RFIC）
–集(ji)成電(dian)路(lu)（ASIC）
–片(pian)上系統(tong)（SoC）器件(jian)
光電(dian)器件(jian)，例如(ru)發(fa)光二(er)極(ji)管（LED）、激光二(er)極(ji)管、高亮度(du)LED（HBLED）、垂(chui)直腔(qiang)面發(fa)射(she)激光器（VCSEL）、顯(xian)示(shi)器
圓(yuan)片(pian)級可靠(kao)性(xing)
- NBTI、TDDB、HCI、電(dian)遷移(yi)
太陽能(neng)電池(chi)
電池(chi)
暫態抑制器件(jian)
IC、RFIC、MMIC
激光二(er)極(ji)管、激光二(er)極(ji)管模塊(kuai)、LED、光電(dian)檢(jian)測器
電(dian)路(lu)保護(hu)器件(jian):
TVS、MOV、熔(rong)絲(si)
安全氣囊(nang)
連(lian)接器、開關、繼電(dian)器
碳(tan)納米管
半導體納(na)米線
碳(tan)納米管 FET
納米傳(chuan)感器和陣列
單電(dian)子晶體(ti)管
分子電子
有機(ji)電(dian)子
基本運(yun)放(fang)電路(lu)
二極管和電路(lu)
晶體(ti)管電路(lu)

測試：
漏(lou)流
低(di)壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征(zheng)分析
隔(ge)離與(yu)軌(gui)跡(ji)電阻
溫度(du)系數
正向電壓、反向擊穿(chuan)、漏(lou)電流
直(zhi)流參(can)數(shu)測試
直(zhi)流電(dian)源(yuan)
HIPOT
介(jie)質(zhi)耐受(shou)性(xing)

雙(shuang)極(ji)結型晶體(ti)管設計
結型(xing)場(chang)效(xiao)應晶體(ti)管設計
金(jin)屬(shu)氧(yang)化(hua)物(wu)半導(dao)體場效(xiao)應晶體(ti)管設計
太陽能(neng)電池(chi)和 LED 設計(ji)
高(gao)電子遷移(yi)率(lv)晶體(ti)管設計
復(fu)合(he)半(ban)導(dao)體(ti)器件(jian)設計(ji)

分(fen)析納米材(cai)料和實驗(yan)器件(jian)
碳(tan)納米管的電(dian)測量標準
測量碳(tan)納米管電氣特(te)性(xing)
提高(gao)納(na)米電(dian)子和分子電子器件(jian)的低(di)電(dian)流(liu)測量
在(zai)低(di)功(gong)率(lv)和低(di)壓應用中實現(xian)準確(que)、可靠(kao)的電(dian)阻測量
納米級器件(jian)和材料的電(dian)氣測量
提高(gao)超(chao)高電(dian)阻和電阻率(lv)測量的可重(zhong)復(fu)性(xing)
壹(yi)種微分電(dian)導(dao)的改(gai)進測量方法
納(na)米技術準確(que)電(dian)氣測量的技術
納米級材料的電(dian)氣測量
降低(di)外部(bu)誤(wu)差源(yuan)影響的儀(yi)器技術
迎接65nm節點(dian)的測量挑(tiao)戰
測量半導體材(cai)料的高(gao)電阻率(lv)和霍爾電壓
用微微微安量程測量電流
柵極(ji)電(dian)介(jie)質(zhi)電容電壓特性(xing)分(fen)析
評估(gu)氧(yang)化(hua)層的可靠(kao)性(xing)

的半(ban)導體器件(jian)結構設計(ji)和試驗(yan)低(di)電(dian)阻、低(di)功(gong)耗半導體器
輸(shu)出極低(di)電(dian)流(liu)和測量極低(di)電(dian)壓分析現(xian)代材(cai)料、半導(dao)體和納米電(dian)子元件(jian)的電(dian)阻
低(di)阻測量(低(di)至(zhi)10nΩ)分(fen)析導通(tong)電(dian)阻參(can)數(shu)、互(hu)連和低(di)功(gong)率(lv)半(ban)導體。
用於*進(jin)CMOS技術的脈沖可靠(kao)性(xing)測試
高(gao)K柵極(ji)電介(jie)質(zhi)電荷(he)俘獲行為的脈沖特(te)性(xing)分(fen)析
用6線歐(ou)姆測量技術進行更高(gao)準確(que)度(du)的電(dian)阻測量
配置(zhi)分立(li)電阻器驗(yan)證測試系統(tong)
電信激(ji)光二(er)極(ji)管模塊(kuai)的高(gao)吞吐(tu)率(lv)直(zhi)流生產(chan)測試
多(duo)臺數(shu)字源(yuan)表(biao)的觸發(fa)器同(tong)步
高亮度(du)、可見光LED的生產(chan)測試
OLED顯(xian)示(shi)器的直(zhi)流生產(chan)測試
在(zai)運行中第5次測量用於偏(pian)置(zhi)溫度(du)不(bu)穩(wen)定特性(xing)分(fen)析
數字(zi)源(yuan)表(biao)的緩(huan)沖器以(yi)及如(ru)何(he)用這兩(liang)個緩(huan)沖器獲取(qu)多達(da)5000點(dian)數(shu)據(ju)
連接器的生產(chan)測試方案
射(she)頻功(gong)率(lv)晶體(ti)管的直(zhi)流電氣特(te)性(xing)分(fen)析

1. MOS 電(dian)容器
C-V 曲(qu)線 (高(gao)頻：100kHz)：
摻雜(za)類型(xing) – 氧(yang)化(hua)層厚度(du) – 平(ping)帶電壓 – 閾(yu)值電壓 – 襯底(di)摻雜(za) – zui大耗盡(jin)層寬度(du) – 反(fan)型(xing)層到(dao)平(ping)衡的靈敏(min)度：電(dian)壓掃描率(lv)和方向 – 光效(xiao)應和溫度(du)效(xiao)應。
I-V 曲線分(fen)析：
電荷(he)建(jian)立(li) (測量電壓 - 時間(jian)圖，用低(di)電(dian)流(liu)源(yuan))； 氧(yang)化(hua)層電容測定； 與(yu) C-V 曲(qu)線比(bi)較(jiao)。
C-V 曲線 (準靜(jing)態) 結合 C-V 曲線：
表(biao)面電(dian)位(wei) Ψs 與(yu)施加電壓的關(guan)系 – Si (100) 的表(biao)面態密(mi)度 Dit = f (Ψs) 與(yu) Si (111) 的相(xiang)比：方向和後處(chu)理(li)退火的影響。
C-V 曲(qu)線 (高(gao)頻：100kHz)：
移動氧(yang)化(hua)層電荷(he)密(mi)度 (偏(pian)壓溫度(du)應力(li)：200°C，10 分鐘(zhong)，±10V)

2. 雙(shuang)極(ji)結型晶體(ti)管
    主題
  正向共(gong)發(fa)射(she)極輸出特性(xing)：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。
  正向 CE 輸入(ru)特(te)性(xing)：Ib = f (Vbe) 對(dui)於幾(ji)個 Vce 正值(zhi)。
  正(zheng)向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
  確(que)定(ding)增(zeng)益 βf = Ic/Ib 和 af。
  Βf 與(yu) log(Ic) 的關(guan)系： 低(di)註入和高註入的效(xiao)果(guo)。
  非(fei)理(li)想(xiang)特(te)性(xing)：爾(er)利(li)電壓。
  反向 CE 輸出(chu)特(te)性(xing)： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反(fan)向 CE 傳(chuan)輸特(te)性(xing)：Ib=f(Vbe) 對(dui)於幾(ji)個Vce負值。
  反(fan)向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
  確(que)定(ding)增(zeng)益 βr = Ie/Ib 和 ar。
  Βr 與(yu) log(Ie) 的關(guan)系： 低(di)註入和高註入的效(xiao)果(guo)。
  Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定(ding)，對(dui)於(yu)給定的 Ib 電(dian)流。
  Ebers Moll 模型(xing)構建並(bing)且(qie)與(yu)實(shi)驗(yan)做(zuo)比(bi)較(jiao)。
  BE 和 CE 結的 C-V 特(te)性(xing)分(fen)析。基區摻雜(za)濃(nong)縮。

3. 亞微米集(ji)成 MOSFET
輸(shu)出(chu)特(te)性(xing)：IDS = f(VDS,VGS):
p型(xing) MOSFET (增(zeng)強或耗盡(jin))，溝道(dao)長(chang)度調(tiao)制參(can)數(shu)(λ) 在(zai)飽和區域(yu) (VDS<–3V) 有(you)效(xiao)溝道(dao)長(chang)度與(yu) VDS 的關(guan)系。
傳(chuan)輸特(te)性(xing)：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯(chen)底偏(pian)壓特性(xing)：
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾(yu)值特性(xing)：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chen)底電(dian)流(liu)特(te)性(xing)：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用長溝道(dao)和短溝道(dao)公(gong)式的輸(shu)出特性(xing)模(mo)型：比(bi)較(jiao)實驗(yan)結果(guo)。

美(mei)國(guo)吉時利(li)KEITHLEY2600數字(zi)源(yuan)表(biao)進行VCSEL測試
美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY2600測量光伏電池(chi)的I-V特(te)性(xing)
美(mei)國吉(ji)時(shi)利(li)KEITHLEY2400系列數字源(yuan)表(biao)的SCPI應用轉換(huan)為2600系列源(yuan)表(biao)的腳(jiao)本(ben)應用
美國(guo)吉時(shi)利(li)KEITHLEY2600系列數字源(yuan)表(biao)進行IDDQ測試和待(dai)機(ji)電(dian)流測試
使用兩臺(tai)美國(guo)吉(ji)時(shi)利(li)KEITHLEY2600型數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)輸出(chu)2A電流
美(mei)國吉時(shi)利(li)KEITHLEY2600或其(qi)它非(fei)脈沖模(mo)式源(yuan)表(biao)產(chan)生電(dian)流(liu) (或電(dian)壓) 脈沖
美(mei)國吉(ji)時(shi)利(li)KEITHLEY2600系列數字源(yuan)表(biao)提升多引(yin)腳(jiao)器件(jian)的生產(chan)量
美國吉時(shi)利(li)KEITHLEY2602數字(zi)源(yuan)表(biao)創(chuang)建(jian)可擴(kuo)縮、多(duo)引(yin)腳(jiao)、多(duo)功(gong)能(neng)IC測試系統(tong)
美國(guo)吉(ji)時利(li)KEITHLEY2602數字(zi)源(yuan)表(biao)對激(ji)光二(er)極(ji)管模塊(kuai)和VCSEL進行高吞(tun)吐(tu)率(lv)直(zhi)流生產(chan)測試
美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY2600系列數字源(yuan)表(biao)進行二極(ji)管生產(chan)測試
美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY2600系列數字源(yuan)表(biao)進行高亮度(du)、可見光LED的生產(chan)測試
美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY2600系列數字源(yuan)表(biao)進行IDDQ測試和待(dai)機(ji)電(dian)流測試
美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY2600 數字(zi)源(yuan)表(biao)驗(yan)證變(bian)阻器
美(mei)國吉時利(li)KEITHLEY2600系列源(yuan)表(biao)進行電池(chi)放電(dian)/充(chong)電周(zhou)期(qi)
美國(guo)吉時(shi)利(li)KEITHLEY2600配置(zhi)電阻網絡的生產(chan)測試系統(tong)
美國(guo)吉(ji)時利(li)KEITHLEY2651 2kW 脈沖源(yuan)表(biao)進行大電流變(bian)阻器的生產(chan)測試
美(mei)國吉(ji)時利(li)KEITHLEY2600數字(zi)源(yuan)表(biao)進行熱敏(min)電阻的生產(chan)測試

美(mei)國吉時利(li)KEITHLEY2651A數字(zi)源(yuan)表(biao)概(gai)述(shu)
2651A型高(gao)功(gong)率(lv)系統(tong)數字(zi)源(yuan)表(biao)儀器的脈沖功(gong)率(lv)2000W，200W直(zhi)流電源(yuan)，PA和UV分辨(bian)率(lv)高(gao)達(da)50A @40V

型(xing)號2657A是壹(yi)種高(gao)電壓，高功(gong)率(lv)，低(di)電(dian)流(liu)源(yuan)測量單元（SMU）儀器，可提供(gong)*的力(li)量，精度，速度(du)，靈活性(xing)和易於使用在(zai)R＆D，生產(chan)測試，以(yi)提高(gao)生產(chan)力(li)和可靠(kao)性(xing)的環境。型(xing)號2657A是專為表(biao)征和測試高(gao)電壓電子和功(gong)率(lv)半(ban)導體器件(jian)，如二(er)極管，場效(xiao)應晶體(ti)管和IGBT，以(yi)及其(qi)他(ta)組件(jian)和材料中，需要高電(dian)壓，響應速度(du)快(kuai)，和精確(que)的測量的電(dian)壓和電流(liu)的。型(xing)號2657A加入吉時利(li)2600A系列的功(gong)率(lv)半(ban)導體器件(jian)表征(zheng)和測試解(jie)決(jue)方案系列，提供(gong)zui高的功(gong)率(lv)和低(di)電(dian)流(liu)性(xing)能(neng)在(zai)業界。這(zhe)些自(zi)定(ding)義配置(zhi)的解(jie)決(jue)方案支(zhi)持(chi)業界zui強大的參(can)數(shu)化(hua)特征(zheng)的軟件(jian)平(ping)臺，與(yu)您(nin)共(gong)同(tong)成(cheng)長，為您(nin)的應用程序(xu)的發(fa)展(zhan)。

型(xing)號2657A壹(yi)樣，每(mei)個2600A系列數字源(yuan)表(biao)儀器，提供(gong)了(le)壹(yi)個具有(you)高(gao)度靈活性(xing)，四(si)象限電壓和電流(liu)源(yuan)/負載(zai)，再(zai)加上精密(mi)電壓和電流(liu)表(biao)。它可以(yi)被(bei)用來(lai)作(zuo)為
半(ban)導體(ti)特性(xing)分(fen)析儀
 V或(huo)I波形(xing)發(fa)生器
 V或(huo)電流脈沖發(fa)生器
精(jing)密(mi)電源(yuan)V和I回(hui)讀
真正(zheng)的電(dian)流源(yuan)
數(shu)字萬(wan)用表（DCV，DCI，歐(ou)姆，功(gong)率(lv)6½位(wei)分(fen)辨(bian)率(lv)）
精(jing)密(mi)電子負載(zai)

供(gong)選擇的配件(jian)
7709-308A 型DB50公(gong)連接器套(tao)件(jian)（焊(han)杯），帶外殼(ke)
CA-180-3A型TSP-Link電(dian)纜