基礎信(xin)息(xi)Product information

產品(pin)名(ming)稱(cheng)：美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2657A數字(zi)源(yuan)表

產品(pin)型(xing)號：

更(geng)新時(shi)間(jian)：2025-06-07

產品(pin)簡(jian)介：

中國(guo)電(dian)子行(xing)業(ye)儀(yi)器優(you)質(zhi)供(gong)應商(shang)——堅(jian)融實業(ye)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷(xiao)售Sale、服(fu)務Service，3S公(gong)司，提(ti)供(gong)美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2657A數字(zi)源(yuan)表解(jie)決(jue)方案(an)、測(ce)試測(ce)量技(ji)術改(gai)進、技(ji)術培訓(xun)、采(cai)購(gou)管(guan)理(li)、售後維(wei)修服(fu)務。

產品(pin)特性(xing)Product characteristics

專(zhuan)業(ye)儀(yi)器設(she)備(bei)與(yu)測(ce)試方案(an)供(gong)應商(shang)——上海(hai)堅(jian)融實業(ye)有(you)限公(gong)司(si)JETYOO INDUSTRIAL & 堅(jian)友（上(shang)海）測(ce)量儀(yi)器有(you)限公(gong)司(si)JETYOO INSTRUMENTS，為(wei)原(yuan)安捷倫Agilent【現是(shi)德KEYSIGHT】品(pin)牌(pai)技(ji)術經理(li)-堅(jian)JET與(yu)吉(ji)時利(li)KEITHLEY【現(xian)泰(tai)克Tektronix】品(pin)牌(pai)產品(pin)經理(li)-融YOO於2011年(nian)共同(tong)創(chuang)辦，專(zhuan)註(zhu)工(gong)業(ye)測(ce)試(shi)領(ling)域十(shi)六年(nian)，誌在破(po)舊(jiu)立(li)新！*進(jin)口(kou)儀(yi)器設(she)備(bei)大(da)多數(shu)廠(chang)家(jia)僅(jin)在國(guo)內(nei)設(she)銷(xiao)售點(dian)，但(dan)技(ji)術支(zhi)持薄弱(ruo)甚至沒有(you)，而代理(li)經銷(xiao)商也(ye)只(zhi)做商(shang)務，不(bu)做售前(qian)技(ji)術支(zhi)持/測(ce)試方案(an)和售後使(shi)用(yong)培訓(xun)/維(wei)修校(xiao)準(zhun)的(de)空(kong)白(bai)。我們(men)的(de)技(ji)術型(xing)銷(xiao)售均(jun)為(wei)本科(ke)以(yi)上學歷(li)，且均(jun)有(you)10年(nian)以(yi)上測(ce)試(shi)行(xing)業(ye)經驗，以(yi)我們(men)*進*的(de)經營(ying)理(li)念(nian)，與(yu)客(ke)戶互(hu)惠互利合(he)作(zuo)雙贏(ying)，重在協(xie)助用(yong)戶采(cai)購(gou)與(yu)技(ji)術工(gong)程(cheng)師(shi)的(de)工(gong)作(zuo)，提(ti)供(gong)較(jiao)有(you)競爭(zheng)力(li)的(de)供(gong)應鏈管(guan)理(li)與(yu)售前(qian)售後技(ji)術支(zhi)持。堅(jian)融實業(ye)——壹家(jia)致(zhi)力(li)於為(wei)祖(zu)國(guo)用(yong)戶提(ti)供(gong)儀(yi)器設(she)備(bei)、測試方案(an)、技(ji)術培訓(xun)、維(wei)修計量(liang)全(quan)面(mian)服(fu)務的(de)儀(yi)器設(she)備(bei)綜合(he)服務商(shang)。

美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2657A數字(zi)源(yuan)表研究(jiu)領(ling)域(yu)：
各(ge)種器件的(de)I-V功(gong)能(neng)測(ce)試和特征分(fen)析(xi)，包括：
離(li)散(san)和無(wu)源(yuan)元(yuan)件
–兩(liang)抽頭器件——傳感器、磁(ci)盤(pan)驅(qu)動(dong)器頭(tou)、金屬(shu)氧化(hua)物(wu)可(ke)變電(dian)阻(zu)（MOV）、二(er)極管(guan)、齊納二(er)極管(guan)、電容(rong)、熱敏電阻(zu)
–三抽頭器件——小(xiao)信號雙極結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管（BJT）、場效應(ying)晶(jing)體(ti)管（FET）等等
簡(jian)單(dan)IC器件——光(guang)學器件、驅動(dong)器、開(kai)關、傳感器
集(ji)成(cheng)器件——小(xiao)規模(mo)集(ji)成(cheng)（SSI）和大(da)規模(mo)集(ji)成(cheng)（LSI）
–模擬IC
–射(she)頻(pin)集(ji)成(cheng)電路(lu)（RFIC）
–集(ji)成(cheng)電路(lu)（ASIC）
–片上系(xi)統（SoC）器件
光(guang)電器件，例如發(fa)光(guang)二(er)極管(guan)（LED）、激(ji)光(guang)二(er)極管(guan)、高亮度(du)LED（HBLED）、垂直腔面(mian)發(fa)射(she)激(ji)光(guang)器（VCSEL）、顯示器
圓(yuan)片級可(ke)靠性(xing)
- NBTI、TDDB、HCI、電遷(qian)移(yi)
太(tai)陽能(neng)電(dian)池
電池
暫態抑(yi)制(zhi)器件
IC、RFIC、MMIC
激(ji)光(guang)二(er)極管(guan)、激(ji)光(guang)二(er)極管(guan)模塊(kuai)、LED、光(guang)電檢(jian)測器
電(dian)路保(bao)護(hu)器件:
TVS、MOV、熔(rong)絲
安全(quan)氣囊
連接(jie)器、開(kai)關、繼電器
碳(tan)納米管
半(ban)導(dao)體(ti)納米線
碳(tan)納米管 FET
納(na)米傳感器和陣(zhen)列(lie)
單(dan)電子(zi)晶(jing)體(ti)管
分(fen)子(zi)電子
有(you)機電(dian)子(zi)
基本(ben)運(yun)放電路
二(er)極管(guan)和電路(lu)
晶(jing)體(ti)管電路

測試：
漏流
低壓、電(dian)阻(zu)
LIV
IDDQ
I-V特征分(fen)析(xi)
隔(ge)離(li)與(yu)軌(gui)跡電(dian)阻(zu)
溫(wen)度(du)系數
正(zheng)向(xiang)電(dian)壓、反向(xiang)擊(ji)穿(chuan)、漏電流
直(zhi)流參(can)數測(ce)試
直流電(dian)源(yuan)
HIPOT
介質(zhi)耐(nai)受(shou)性(xing)

雙極結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管設(she)計
結(jie)型(xing)場效應(ying)晶(jing)體(ti)管設(she)計
金屬(shu)氧化(hua)物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)場效應(ying)晶(jing)體(ti)管設(she)計
太(tai)陽能(neng)電(dian)池和 LED 設(she)計
高(gao)電(dian)子(zi)遷移(yi)率(lv)晶(jing)體(ti)管設(she)計
復(fu)合(he)半導(dao)體(ti)器件設(she)計

分(fen)析(xi)納(na)米材(cai)料和實驗器件
碳(tan)納米管的(de)電(dian)測(ce)量(liang)標(biao)準
測量碳(tan)納米管電(dian)氣特性(xing)
提(ti)高納米電子(zi)和分(fen)子(zi)電子器件的(de)低電流測(ce)量
在低功率(lv)和低壓應(ying)用(yong)中實現準(zhun)確(que)、可(ke)靠的(de)電(dian)阻(zu)測量(liang)
納(na)米級器件和材(cai)料的(de)電(dian)氣測量
提(ti)高超高電阻(zu)和電阻(zu)率(lv)測量(liang)的(de)可(ke)重復(fu)性(xing)
壹種(zhong)微(wei)分(fen)電(dian)導(dao)的(de)改(gai)進(jin)測(ce)量(liang)方法(fa)
納(na)米技(ji)術準(zhun)確(que)電(dian)氣測量的(de)技(ji)術
納(na)米級材(cai)料的(de)電(dian)氣測量
降(jiang)低外(wai)部(bu)誤(wu)差(cha)源(yuan)影(ying)響(xiang)的(de)儀(yi)器技(ji)術
迎(ying)接65nm節點的(de)測(ce)量(liang)挑(tiao)戰
測量半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料的(de)高(gao)電(dian)阻(zu)率(lv)和霍爾(er)電(dian)壓
用(yong)微微微(wei)安量(liang)程(cheng)測量(liang)電(dian)流
柵(zha)極電(dian)介質(zhi)電(dian)容(rong)電壓(ya)特性(xing)分(fen)析(xi)
評(ping)估(gu)氧化(hua)層(ceng)的(de)可(ke)靠性(xing)

的(de)半(ban)導(dao)體(ti)器件結(jie)構設(she)計和試驗低電阻(zu)、低功耗(hao)半導(dao)體(ti)器
輸(shu)出極低電流和測量(liang)極低電壓(ya)分(fen)析(xi)現(xian)代材(cai)料、半導(dao)體(ti)和納米電子(zi)元(yuan)件的(de)電(dian)阻(zu)
低阻(zu)測量(liang)(低至10nΩ)分(fen)析(xi)導(dao)通(tong)電阻(zu)參數(shu)、互(hu)連(lian)和低功率(lv)半導(dao)體(ti)。
用(yong)於*進CMOS技(ji)術的(de)脈(mai)沖(chong)可(ke)靠性(xing)測試(shi)
高(gao)K柵極電(dian)介質(zhi)電(dian)荷俘(fu)獲(huo)行(xing)為(wei)的(de)脈(mai)沖(chong)特性(xing)分(fen)析(xi)
用(yong)6線歐姆測(ce)量(liang)技(ji)術進(jin)行(xing)更(geng)高(gao)準確(que)度(du)的(de)電(dian)阻(zu)測量(liang)
配(pei)置(zhi)分(fen)立(li)電阻(zu)器驗證測(ce)試系(xi)統
電(dian)信(xin)激(ji)光(guang)二(er)極管(guan)模塊(kuai)的(de)高(gao)吞吐(tu)率(lv)直流生(sheng)產測(ce)試(shi)
多臺(tai)數字(zi)源(yuan)表的(de)觸(chu)發(fa)器同(tong)步
高(gao)亮(liang)度(du)、可(ke)見(jian)光(guang)LED的(de)生(sheng)產測(ce)試(shi)
OLED顯示器的(de)直(zhi)流生(sheng)產測(ce)試(shi)
在運(yun)行(xing)中(zhong)第5次測量用(yong)於偏(pian)置(zhi)溫(wen)度(du)不(bu)穩(wen)定特性(xing)分(fen)析(xi)
數(shu)字(zi)源(yuan)表的(de)緩沖(chong)器以(yi)及如(ru)何(he)用(yong)這兩(liang)個緩沖(chong)器獲(huo)取多達(da)5000點數據(ju)
連接(jie)器的(de)生(sheng)產測(ce)試(shi)方案(an)
射(she)頻功(gong)率(lv)晶(jing)體(ti)管的(de)直(zhi)流電(dian)氣特性(xing)分(fen)析(xi)

1. MOS 電容(rong)器
C-V 曲(qu)線 (高(gao)頻：100kHz)：
摻(chan)雜類型(xing) – 氧化(hua)層(ceng)厚(hou)度(du) – 平帶電(dian)壓(ya) – 閾(yu)值電壓(ya) – 襯(chen)底(di)摻(chan)雜 – zui大(da)耗(hao)盡層(ceng)寬度(du) – 反型層(ceng)到(dao)平(ping)衡(heng)的(de)靈(ling)敏度(du)：電壓掃描率(lv)和方向(xiang) – 光(guang)效應(ying)和溫(wen)度(du)效應。
I-V 曲(qu)線分(fen)析(xi)：
電(dian)荷建(jian)立 (測(ce)量電壓(ya) - 時間(jian)圖(tu)，用(yong)低電流源(yuan))； 氧化(hua)層(ceng)電(dian)容(rong)測定(ding)； 與(yu) C-V 曲(qu)線比較(jiao)。
C-V 曲(qu)線 (準靜態) 結(jie)合(he) C-V 曲線：
表面(mian)電(dian)位 Ψs 與(yu)施(shi)加電壓的(de)關(guan)系(xi) – Si (100) 的(de)表(biao)面(mian)態密度(du) Dit = f (Ψs) 與(yu) Si (111) 的(de)相(xiang)比：方向(xiang)和後處(chu)理(li)退火(huo)的(de)影(ying)響(xiang)。
C-V 曲(qu)線 (高頻(pin)：100kHz)：
移動氧化(hua)層(ceng)電(dian)荷密(mi)度(du) (偏(pian)壓(ya)溫(wen)度(du)應力(li)：200°C，10 分(fen)鐘(zhong)，±10V)

2. 雙極結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管
    主(zhu)題
  正(zheng)向(xiang)共發(fa)射(she)極輸(shu)出特性(xing)：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量(liang)。
  正(zheng)向(xiang) CE 輸(shu)入特性(xing)：Ib = f (Vbe) 對於(yu)幾(ji)個 Vce 正(zheng)值(zhi)。
  正(zheng)向(xiang) Gummel 曲(qu)線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
  確(que)定(ding)增(zeng)益(yi) βf = Ic/Ib 和 af。
  Βf 與(yu) log(Ic) 的(de)關(guan)系(xi)： 低註入(ru)和高註(zhu)入的(de)效(xiao)果(guo)。
  非(fei)理(li)想(xiang)特性(xing)：爾(er)利(li)電壓。
  反向(xiang) CE 輸(shu)出特性(xing)： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反向(xiang) CE 傳(chuan)輸特性(xing)：Ib=f(Vbe) 對於(yu)幾(ji)個Vce負值。
  反向(xiang) Gummel 曲(qu)線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
  確(que)定(ding)增(zeng)益(yi) βr = Ie/Ib 和 ar。
  Βr 與(yu) log(Ie) 的(de)關(guan)系(xi)： 低註入(ru)和高註(zhu)入的(de)效(xiao)果(guo)。
  Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確(que)定(ding)，對於給定的(de) Ib 電(dian)流。
  Ebers Moll 模(mo)型構建(jian)並且與(yu)實驗做比較(jiao)。
  BE 和 CE 結(jie)的(de) C-V 特性(xing)分(fen)析(xi)。基區(qu)摻(chan)雜濃縮(suo)。

3. 亞微(wei)米集(ji)成(cheng) MOSFET
輸出特性(xing)：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增(zeng)強(qiang)或(huo)耗盡(jin))，溝(gou)道(dao)長度(du)調制參(can)數(λ) 在飽和區域(yu) (VDS<–3V) 有(you)效溝(gou)道(dao)長度(du)與(yu) VDS 的(de)關(guan)系(xi)。
傳(chuan)輸(shu)特性(xing)：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯(chen)底(di)偏(pian)壓(ya)特性(xing)：
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾(yu)值特性(xing)：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chen)底(di)電(dian)流特性(xing)：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用(yong)長溝(gou)道(dao)和短溝(gou)道(dao)公(gong)式(shi)的(de)輸(shu)出特性(xing)模型(xing)：比較(jiao)實驗結(jie)果(guo)。

美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600數字(zi)源(yuan)表進(jin)行(xing)VCSEL測(ce)試
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600測量(liang)光(guang)伏(fu)電池的(de)I-V特性(xing)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2400系列(lie)數(shu)字(zi)源(yuan)表的(de)SCPI應(ying)用(yong)轉換為(wei)2600系列(lie)源(yuan)表的(de)腳(jiao)本(ben)應用(yong)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600系列(lie)數(shu)字(zi)源(yuan)表進(jin)行(xing)IDDQ測(ce)試和待機電(dian)流測(ce)試
使(shi)用(yong)兩(liang)臺美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600型數(shu)字(zi)源(yuan)表輸(shu)出2A電(dian)流
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600或(huo)其它非(fei)脈(mai)沖(chong)模(mo)式(shi)源(yuan)表產生(sheng)電(dian)流 (或(huo)電壓(ya)) 脈(mai)沖(chong)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600系列(lie)數(shu)字(zi)源(yuan)表提(ti)升多引腳(jiao)器件的(de)生(sheng)產量(liang)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2602數字(zi)源(yuan)表創(chuang)建(jian)可(ke)擴縮、多引腳(jiao)、多功(gong)能(neng)IC測(ce)試系(xi)統
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2602數字(zi)源(yuan)表對(dui)激(ji)光(guang)二(er)極管(guan)模塊(kuai)和VCSEL進行(xing)高(gao)吞吐(tu)率(lv)直流生(sheng)產測(ce)試(shi)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600系列(lie)數(shu)字(zi)源(yuan)表進(jin)行(xing)二(er)極管(guan)生產測(ce)試(shi)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600系列(lie)數(shu)字(zi)源(yuan)表進(jin)行(xing)高(gao)亮度(du)、可(ke)見(jian)光(guang)LED的(de)生(sheng)產測(ce)試(shi)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600系列(lie)數(shu)字(zi)源(yuan)表進(jin)行(xing)IDDQ測(ce)試和待機電(dian)流測(ce)試
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600 數字(zi)源(yuan)表驗證變阻(zu)器
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600系列(lie)源(yuan)表進(jin)行(xing)電(dian)池放電/充電周(zhou)期
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600配置(zhi)電(dian)阻(zu)網(wang)絡的(de)生(sheng)產測(ce)試(shi)系(xi)統
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2651 2kW 脈沖(chong)源(yuan)表進(jin)行(xing)大(da)電(dian)流變阻(zu)器的(de)生(sheng)產測(ce)試(shi)
美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2600數字(zi)源(yuan)表進(jin)行(xing)熱敏電阻(zu)的(de)生(sheng)產測(ce)試(shi)

2651A，2657A美國(guo)吉(ji)時利keithley數字(zi)源(yuan)表概述(shu)
2651A型(xing)高(gao)功(gong)率(lv)系統數(shu)字(zi)源(yuan)表儀(yi)器的(de)脈(mai)沖(chong)功(gong)率(lv)2000W，200W直流電(dian)源(yuan)，PA和UV分(fen)辨(bian)率(lv)高達(da)50A @40V

美國(guo)吉(ji)時利KEITHLEY2657A數字(zi)源(yuan)表是(shi)壹種(zhong)高(gao)電(dian)壓，高功(gong)率(lv)，低電流源(yuan)測量(liang)單(dan)元(yuan)（SMU）儀(yi)器，可(ke)提(ti)供(gong)*的(de)力(li)量，精度(du)，速度(du)，靈(ling)活(huo)性(xing)和易於(yu)使用(yong)在R＆D，生(sheng)產測(ce)試(shi)，以(yi)提(ti)高生產力(li)和可(ke)靠性(xing)的(de)環(huan)境(jing)。型(xing)號2657A是(shi)專(zhuan)為(wei)表征(zheng)和測試(shi)高電壓(ya)電(dian)子(zi)和功率(lv)半導(dao)體(ti)器件，如二(er)極管(guan)，場效應(ying)晶(jing)體(ti)管和IGBT，以(yi)及其他(ta)組件和材(cai)料中，需(xu)要(yao)高(gao)電壓(ya)，響(xiang)應(ying)速度(du)快，和精確(que)的(de)測(ce)量(liang)的(de)電(dian)壓(ya)和電流的(de)。型(xing)號2657A加入吉時利2600A系列的(de)功(gong)率(lv)半導(dao)體(ti)器件表征(zheng)和測試(shi)解決(jue)方案(an)系(xi)列，提(ti)供(gong)zui高的(de)功(gong)率(lv)和低電流性(xing)能(neng)在業(ye)界(jie)。這(zhe)些自(zi)定義(yi)配置(zhi)的(de)解(jie)決(jue)方案(an)支(zhi)持業(ye)界(jie)zui強(qiang)大(da)的(de)參(can)數(shu)化(hua)特征的(de)軟(ruan)件平臺(tai)，與(yu)您共同(tong)成(cheng)長，為(wei)您的(de)應(ying)用(yong)程(cheng)序的(de)發(fa)展。

型號2657A壹樣(yang)，每(mei)個2600A系列數字(zi)源(yuan)表儀(yi)器，提(ti)供(gong)了壹個具有(you)高度(du)靈(ling)活(huo)性(xing)，四象(xiang)限(xian)電壓(ya)和電流源(yuan)/負載，再(zai)加上精密電(dian)壓(ya)和電流表(biao)。它可(ke)以(yi)被用(yong)來作(zuo)為(wei)
半導(dao)體(ti)特性(xing)分(fen)析(xi)儀(yi)
 V或(huo)I波形(xing)發(fa)生(sheng)器
 V或(huo)電流脈(mai)沖(chong)發(fa)生(sheng)器
精密電(dian)源(yuan)V和I回讀(du)
真正(zheng)的(de)電(dian)流源(yuan)
數字(zi)萬(wan)用(yong)表（DCV，DCI，歐姆，功(gong)率(lv)6½位分(fen)辨(bian)率(lv)）
精密電(dian)子(zi)負載

標配件
2600-KIT螺釘端(duan)子連接(jie)器套件
2600B源(yuan)表CD
2600B快速使(shi)用(yong)指(zhi)南
適用(yong)於2600B的(de)2400仿(fang)真(zhen)腳(jiao)本(ben)
7709-308A 型DB50公連接(jie)器套件（焊杯(bei)），帶外(wai)殼(ke)
CA-180-3A型TSP-Link電(dian)纜(lan)
KTS-850E02,測試(shi)腳(jiao)本(ben)創(chuang)建(jian)軟(ruan)件CD套件

額(e)外(wai)選購(gou)配(pei)件
2600-BAN型SMUt輸(shu)出至香(xiang)蕉(jiao)頭(tou)測(ce)試線/適配器電(dian)纜
8606型(xing)高性(xing)能(neng)模(mo)塊(kuai)化(hua)探(tan)頭(tou)套件（適用(yong)於2000、2001、2002、2010、2400系列(lie)）
屏蔽(bi)雙絞線
2600-TLINK型(xing)數字(zi)I/O至TLINK適配電纜，長度(du)為(wei)1米
CA-126-1A型，公(gong)對DB25 母(mu)線(xian)，數(shu)字(zi) I/O 線(xian) ，1.5米（適用(yong)於213型）
7007-1：雙層(ceng)屏(ping)蔽(bi)高級(ji)GPIB接(jie)口(kou)電纜，長度(du)1米（3.3ft）（用(yong)於GPIB互連(lian)）
7007-2：雙層(ceng)屏(ping)蔽(bi)高級(ji)GPIB接(jie)口(kou)電纜，長度(du)2米（6.6ft）（用(yong)於GPIB互連(lian)）
KPCI-488LPA，KPCI-488LPA型 IEEE-488.2 PCI Bus 插(cha)件板(ban)
4299-1型單(dan)機架(jia)安裝(zhuang)套件，帶前(qian)支(zhi)架(jia)和後支(zhi)架(jia)
4299-2型雙機架安裝(zhuang)套件，帶前(qian)支(zhi)架(jia)和後支(zhi)架(jia)
4299-5 1U通(tong)風面(mian)板(ban)
KUSB-488B型 IEEE-488.2 USB-to-GPIB USB接(jie)口適配器
自(zi)動特性(xing)分(fen)析(xi)套件（ACS）基本(ben)版(ban)本(ben)，適合(he)元(yuan)件特性(xing)分(fen)析(xi)
2600-FIX-TRX 2600SMU與(yu)HI、LO TRiAX鏈接(jie)線(xian)(2線傳(chuan)感)
2600-TRIAX型(xing)SMU連(lian)接頭(tou)（適用(yong)於四線(xian)傳感）
8101-4TRX，8101-4TRX型(xing)成(cheng)分(fen)測(ce)試夾(jia)具-優化(hua)低電壓(ya)設(she)備(bei)測試
8101-PIV，8101-PIV型成(cheng)分(fen)測(ce)試夾(jia)具-優化(hua)低電壓(ya)設(she)備(bei)測試