基(ji)礎(chu)信息Product information

產(chan)品名稱(cheng)：美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY數(shu)字(zi)源表

產(chan)品型號(hao)：2611B

更新時(shi)間(jian)：2025-06-07

產(chan)品簡介(jie)：

2611B美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY數(shu)字(zi)源表雙極(ji)結型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)設(she)計
結型(xing)場效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)設(she)計
金屬(shu)氧(yang)化物(wu)半導(dao)體(ti)場效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)設(she)計
太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池和 LED 設(she)計
高電(dian)子遷(qian)移率晶(jing)體(ti)管(guan)設(she)計
復合(he)半導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)設(she)計

產品特(te)性(xing)Product characteristics

    中國(guo)電子(zi)行業(ye)儀器(qi)優質供應商(shang)——堅融實(shi)業JETYOO INDUSTRIAL & 堅友儀器(qi)JETYOO INSTRUMENTS，專(zhuan)業(ye)為中國(guo)區(qu)用戶(hu)提(ti)供*進的儀器(qi)設(she)備、技(ji)術方(fang)案與售(shou)後服務，Support、銷(xiao)售Sale、服(fu)務Service，3S公(gong)司，為上海華東地區(qu)壹家以(yi)技(ji)術為導(dao)向(xiang)的儀器(qi)綜(zong)合(he)服(fu)務(wu)商，是您值得(de)信賴的電子(zi)行業(ye)儀器(qi)專(zhuan)家。

美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY數(shu)字(zi)源表2600B系(xi)列研(yan)究(jiu)領域(yu)：
各(ge)種(zhong)器(qi)件(jian)的I-V功能(neng)測(ce)試(shi)和特(te)征(zheng)分析，包括(kuo)：
 離(li)散(san)和無(wu)源(yuan)元件(jian) 
–兩(liang)抽頭器(qi)件(jian)——傳(chuan)感(gan)器(qi)、磁盤驅(qu)動(dong)器(qi)頭、金屬(shu)氧(yang)化物(wu)可(ke)變電阻(zu)（MOV）、二極(ji)管(guan)、齊(qi)納二極(ji)管(guan)、電容(rong)、熱(re)敏(min)電(dian)阻(zu)
–三(san)抽頭器(qi)件(jian)——小(xiao)信號雙極(ji)結型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)（BJT）、場效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)（FET）等等 
 簡單(dan)IC器(qi)件(jian)——光(guang)學(xue)器(qi)件(jian)、驅(qu)動(dong)器(qi)、開(kai)關(guan)、傳(chuan)感(gan)器(qi)
 集成器(qi)件(jian)——小(xiao)規(gui)模(mo)集成（SSI）和大(da)規(gui)模(mo)集成（LSI）
–模(mo)擬IC 
–射頻(pin)集成電路（RFIC）
–集(ji)成(cheng)電(dian)路（ASIC）
–片上系(xi)統（SoC）器(qi)件(jian)
 光(guang)電(dian)器(qi)件(jian)，例(li)如(ru)發(fa)光二極(ji)管(guan)（LED）、激光(guang)二極(ji)管(guan)、高亮(liang)度LED（HBLED）、垂直腔面(mian)發(fa)射(she)激光(guang)器(qi)（VCSEL）、顯示(shi)器(qi)
 圓片(pian)級(ji)可(ke)靠性(xing)
- NBTI、TDDB、HCI、電遷(qian)移
 太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池
 電池
暫(zan)態抑(yi)制器(qi)件(jian)
IC、RFIC、MMIC
激光(guang)二極(ji)管(guan)、激光(guang)二極(ji)管(guan)模(mo)塊、LED、光(guang)電(dian)檢測器(qi)
電路保(bao)護(hu)器(qi)件(jian):
TVS、MOV、熔(rong)絲(si)
安全(quan)氣(qi)囊
連(lian)接(jie)器(qi)、開(kai)關(guan)、繼(ji)電(dian)器(qi)
碳納米(mi)管(guan)
半導(dao)體(ti)納米(mi)線(xian)
碳(tan)納(na)米(mi)管(guan) FET
納米(mi)傳感(gan)器(qi)和陣列
單(dan)電(dian)子(zi)晶(jing)體(ti)管(guan)
分子電子
有機電(dian)子(zi)
基本(ben)運放電路
二極(ji)管(guan)和電(dian)路(lu)
晶(jing)體(ti)管(guan)電路(lu)

測試：
漏流
低(di)壓(ya)、電阻(zu)
LIV
IDDQ
I-V特(te)征(zheng)分析
隔離與軌(gui)跡(ji)電阻(zu)
溫度系(xi)數(shu)
正(zheng)向(xiang)電壓(ya)、反向(xiang)擊(ji)穿(chuan)、漏電流
直流參(can)數(shu)測(ce)試
直流(liu)電(dian)源
HIPOT
介(jie)質(zhi)耐(nai)受(shou)性(xing)

雙極(ji)結型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)設(she)計
結型(xing)場效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)設(she)計
金屬(shu)氧(yang)化物(wu)半導(dao)體(ti)場效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)設(she)計
太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池和 LED 設(she)計
高電(dian)子遷(qian)移率晶(jing)體(ti)管(guan)設(she)計
復合(he)半導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)設(she)計

分析納米(mi)材料和實(shi)驗器(qi)件(jian)
碳(tan)納(na)米(mi)管(guan)的電測(ce)量標(biao)準(zhun)
測(ce)量碳(tan)納米(mi)管(guan)電氣(qi)特(te)性(xing)
提高(gao)納米(mi)電子(zi)和分子電子器(qi)件(jian)的低(di)電(dian)流測量
在低(di)功(gong)率和低(di)壓(ya)應用中實(shi)現(xian)準(zhun)確(que)、可(ke)靠的電阻(zu)測量
納(na)米(mi)級(ji)器(qi)件(jian)和材(cai)料的電氣(qi)測量
提(ti)高超高(gao)電阻(zu)和電(dian)阻(zu)率測(ce)量的可(ke)重(zhong)復性(xing)
壹種(zhong)微分電導(dao)的改進(jin)測量方(fang)法
納米(mi)技(ji)術準(zhun)確(que)電(dian)氣(qi)測量的技(ji)術
納(na)米(mi)級(ji)材(cai)料的電氣(qi)測量
降低(di)外(wai)部誤差(cha)源(yuan)影響的儀器(qi)技(ji)術
迎(ying)接(jie)65nm節(jie)點的測量挑(tiao)戰(zhan)
測(ce)量半導(dao)體(ti)材料的高電(dian)阻(zu)率和霍(huo)爾(er)電壓(ya)
用微微微安量程測(ce)量電(dian)流
柵(zha)極(ji)電介(jie)質(zhi)電容電壓(ya)特(te)性(xing)分析
評估氧(yang)化層的可(ke)靠性(xing)

的半導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)結(jie)構(gou)設(she)計和試(shi)驗低(di)電(dian)阻(zu)、低(di)功(gong)耗半導(dao)體(ti)器(qi)
輸(shu)出(chu)極(ji)低(di)電(dian)流和測(ce)量極(ji)低(di)電(dian)壓(ya)分析現(xian)代材(cai)料、半導(dao)體(ti)和納(na)米(mi)電子(zi)元件(jian)的電阻(zu)
低(di)阻(zu)測量(低(di)至(zhi)10nΩ)分析導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)參(can)數(shu)、互(hu)連(lian)和低(di)功(gong)率半導(dao)體(ti)。
用於(yu)*進CMOS技(ji)術的脈沖可(ke)靠性(xing)測試(shi)
高K柵(zha)極(ji)電介(jie)質(zhi)電荷俘(fu)獲(huo)行(xing)為的脈沖特(te)性(xing)分析
用6線(xian)歐(ou)姆測(ce)量技(ji)術進(jin)行更高準(zhun)確(que)度的電阻(zu)測量
配(pei)置分立電阻(zu)器(qi)驗證(zheng)測(ce)試(shi)系(xi)統
電信激光(guang)二極(ji)管(guan)模(mo)塊的高吞(tun)吐率直(zhi)流(liu)生(sheng)產(chan)測試(shi)
多臺(tai)數(shu)字(zi)源表的觸發(fa)器(qi)同步(bu)
高(gao)亮度、可(ke)見光(guang)LED的生(sheng)產(chan)測試(shi)
OLED顯示(shi)器(qi)的直流(liu)生(sheng)產(chan)測試(shi)
在運(yun)行(xing)中第5次測量用於(yu)偏置溫度不穩定特(te)性(xing)分析
數(shu)字(zi)源表的緩沖器(qi)以(yi)及(ji)如(ru)何用這兩(liang)個(ge)緩沖器(qi)獲(huo)取(qu)多達5000點數(shu)據(ju)
連接(jie)器(qi)的生(sheng)產(chan)測試(shi)方(fang)案
射頻(pin)功率晶(jing)體(ti)管(guan)的直流(liu)電氣(qi)特(te)性(xing)分析

1. MOS 電容器(qi)
C-V 曲(qu)線(xian) (高(gao)頻(pin)：100kHz)：
摻(chan)雜類(lei)型 – 氧(yang)化層厚度 – 平帶(dai)電(dian)壓(ya) – 閾(yu)值電(dian)壓(ya) – 襯(chen)底摻(chan)雜 – zui大(da)耗盡(jin)層寬(kuan)度 – 反型層到平(ping)衡(heng)的靈(ling)敏(min)度：電壓(ya)掃描率和方(fang)向(xiang) – 光效(xiao)應和溫(wen)度效(xiao)應。
I-V 曲(qu)線(xian)分析：
電荷建(jian)立(li) (測量電(dian)壓(ya) - 時(shi)間(jian)圖(tu)，用低(di)電(dian)流源)； 氧(yang)化層電容(rong)測(ce)定； 與 C-V 曲(qu)線(xian)比(bi)較(jiao)。
C-V 曲(qu)線(xian) (準(zhun)靜(jing)態(tai)) 結(jie)合 C-V 曲(qu)線(xian)：
表(biao)面(mian)電(dian)位(wei) Ψs 與施(shi)加電壓(ya)的關系(xi) – Si (100) 的表面(mian)態密(mi)度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比(bi)：方(fang)向(xiang)和後處(chu)理退火(huo)的影響。
C-V 曲(qu)線(xian) (高(gao)頻(pin)：100kHz)：
移動氧化層電荷密(mi)度 (偏壓(ya)溫度應力：200°C，10 分鐘(zhong)，±10V)
 
2. 雙極(ji)結型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)
     主題
   正向(xiang)共(gong)發射極(ji)輸(shu)出(chu)特(te)性(xing)：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。
   正(zheng)向(xiang) CE 輸(shu)入特(te)性(xing)：Ib = f (Vbe) 對於(yu)幾個(ge) Vce 正值。
   正(zheng)向(xiang) Gummel 曲(qu)線(xian)： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確(que)定(ding)增(zeng)益(yi) βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的關系(xi)： 低(di)註(zhu)入和高(gao)註(zhu)入的效(xiao)果。
   非理想(xiang)特(te)性(xing)：爾(er)利電(dian)壓(ya)。
   反向(xiang) CE 輸(shu)出(chu)特(te)性(xing)： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向(xiang) CE 傳輸(shu)特(te)性(xing)：Ib=f(Vbe) 對於(yu)幾個(ge)Vce負(fu)值。
   反向(xiang) Gummel 曲(qu)線(xian)： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確(que)定(ding)增(zeng)益(yi) βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的關系(xi)： 低(di)註(zhu)入和高(gao)註(zhu)入的效(xiao)果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對於(yu)給定(ding)的 Ib 電流(liu)。
   Ebers Moll 模(mo)型構(gou)建(jian)並且(qie)與實(shi)驗做(zuo)比(bi)較(jiao)。
   BE 和 CE 結(jie)的 C-V 特(te)性(xing)分析。基區(qu)摻(chan)雜濃(nong)縮。
 
3. 亞(ya)微(wei)米(mi)集成(cheng) MOSFET
輸(shu)出(chu)特(te)性(xing)：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增(zeng)強或耗盡(jin))，溝道長(chang)度調制參(can)數(shu)(λ) 在飽(bao)和區(qu)域 (VDS<–3V) 有效(xiao)溝道長(chang)度與 VDS 的關系(xi)。
傳輸(shu)特(te)性(xing)：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯(chen)底偏壓(ya)特(te)性(xing)： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞(ya)閾(yu)值特(te)性(xing)：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chen)底電(dian)流(liu)特(te)性(xing)：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用長溝道和短溝道公(gong)式(shi)的輸(shu)出(chu)特(te)性(xing)模(mo)型：比較(jiao)實驗結(jie)果。

美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600數(shu)字(zi)源表進(jin)行(xing)VCSEL測試(shi)
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600測(ce)量光(guang)伏電(dian)池的I-V特(te)性(xing)
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2400系(xi)列數(shu)字(zi)源表的SCPI應用轉(zhuan)換為2600系(xi)列源表(biao)的腳本(ben)應用
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600系(xi)列數(shu)字(zi)源表進(jin)行(xing)IDDQ測試(shi)和待(dai)機電(dian)流(liu)測試(shi)
使用兩(liang)臺(tai)美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600型(xing)數(shu)字(zi)源表輸(shu)出(chu)2A電(dian)流(liu)
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600或(huo)其它(ta)非(fei)脈沖模(mo)式源表(biao)產生(sheng)電(dian)流 (或(huo)電壓(ya)) 脈沖
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600系(xi)列數(shu)字(zi)源表提(ti)升(sheng)多引腳器(qi)件(jian)的生(sheng)產(chan)量
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2602數(shu)字(zi)源表創建可(ke)擴(kuo)縮(suo)、多引腳、多功能(neng)IC測(ce)試(shi)系(xi)統
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2602數(shu)字(zi)源表對激光(guang)二極(ji)管(guan)模(mo)塊和VCSEL進(jin)行(xing)高吞(tun)吐率直(zhi)流(liu)生(sheng)產(chan)測試(shi)
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600系(xi)列數(shu)字(zi)源表進(jin)行(xing)二極(ji)管(guan)生(sheng)產(chan)測試(shi)
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600系(xi)列數(shu)字(zi)源表進(jin)行(xing)高亮(liang)度、可(ke)見光(guang)LED的生(sheng)產(chan)測試(shi)
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600系(xi)列數(shu)字(zi)源表進(jin)行(xing)IDDQ測試(shi)和待(dai)機電(dian)流(liu)測試(shi)
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600 數(shu)字(zi)源表驗證(zheng)變阻(zu)器(qi)
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600系(xi)列源表(biao)進行電池放電/充電(dian)周期(qi)
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600配(pei)置電阻(zu)網絡(luo)的生(sheng)產(chan)測試(shi)系(xi)統
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2651 2kW 脈沖源表(biao)進行(xing)大(da)電(dian)流(liu)變阻(zu)器(qi)的生(sheng)產(chan)測試(shi)
美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY2600數(shu)字(zi)源表進(jin)行(xing)熱(re)敏(min)電(dian)阻(zu)的生(sheng)產(chan)測試(shi)

2611B美(mei)國吉(ji)時(shi)利KEITHLEY數(shu)字(zi)源表SMU，單(dan)通(tong)道(dao)（100fA、200V、1.5A直流/10A脈沖）
源/測(ce)量功(gong)能(neng)  

- 單(dan)通(tong)道(dao)型號具有30W輸(shu)出(chu)功(gong)率
    - 4象(xiang)限(xian)源/測(ce)量具(ju)有6位(wei)半分辨率
    - 電(dian)流(liu)zui大(da)值/zui小(xiao)值：1.5A直(zhi)流(liu)、10A脈沖/100fA
    - 電壓(ya)zui大(da)值/zui小(xiao)值：200V/100nV

壹(yi)般特(te)性(xing)  

- 內建(jian)“即插(cha)即用"基於(yu)Java的I-V特(te)性(xing)分析和測(ce)試(shi)軟(ruan)件(jian)
    - TSP®（測(ce)試(shi)腳本(ben)處(chu)理）技(ji)術在測(ce)量儀器(qi)內嵌(qian)入了(le)完(wan)整(zheng)測(ce)試程序(xu)
    - TSP-Link®擴(kuo)展(zhan)技(ji)術面(mian)向(xiang)多通(tong)道(dao)並行測試(shi)
    - 軟(ruan)件(jian)仿(fang)真基(ji)於(yu)吉(ji)時(shi)利2400源(yuan)表SMU
    - 大(da)屏(ping)幕(mu)、易(yi)於(yu)閱讀、雙行(xing)顯(xian)示(shi)

作為2600B系(xi)列源表(biao)SMU系(xi)列產品的壹部分，2611B源表SMU是全新改(gai)良(liang)版單通(tong)道(dao)SMU，具有緊(jin)密(mi)集(ji)成的4象(xiang)限(xian)設(she)計，能(neng)同(tong)步(bu)源(yuan)和測(ce)量電(dian)壓(ya)/電流(liu)以(yi)提(ti)高研(yan)發到自(zi)動(dong)生(sheng)產(chan)測試(shi)等應用的生(sheng)產(chan)率。除(chu)保留(liu)了(le)2611A的全部產品特(te)點外，2611B還(hai)具有6位(wei)半分辨率、USB 2.0連(lian)接(jie)性(xing)以(yi)及(ji)能(neng)輕(qing)松(song)移植遺留(liu)測試(shi)代碼(ma)的2400源表(biao)SMU軟(ruan)件(jian)指(zhi)令仿(fang)真。2611B配(pei)備了(le)吉(ji)時(shi)利的高速(su)TSP®技(ji)術（比(bi)傳統PC至儀器(qi)的通(tong)信技(ji)術快200%），這極(ji)大(da)提(ti)高(gao)了(le)系(xi)統級(ji)速(su)度，降低(di)了(le)測試成(cheng)本。TSP-Link®接(jie)口實現(xian)了多通(tong)道(dao)並行測試(shi)並(bing)擴(kuo)展(zhan)了測(ce)試系(xi)統，沒(mei)有主(zhu)機開(kai)銷(xiao)。1.5A直(zhi)流(liu)、10A脈沖和200V輸(shu)出(chu)的寬(kuan)量程讓2611B適於(yu)測試寬(kuan)範圍(wei)較高電壓(ya)和較(jiao)大(da)電(dian)流(liu)器(qi)件(jian)、材(cai)料、組(zu)件(jian)和分裝件(jian)。

標(biao)配(pei)件(jian)
2600-KIT螺釘(ding)端(duan)子(zi)連(lian)接(jie)器(qi)套件(jian)
2600B源(yuan)表(biao)CD
2600B快速使(shi)用指(zhi)南
適(shi)用於(yu)2600B的2400仿(fang)真腳(jiao)本(ben)
7709-308A 型DB50公(gong)連(lian)接(jie)器(qi)套件(jian)（焊杯），帶(dai)外(wai)殼
CA-180-3A型(xing)TSP-Link電(dian)纜
KTS-850E02,測(ce)試腳本創建軟(ruan)件(jian)CD套件(jian)

2611B可(ke)選配(pei)件(jian)
2600-BAN型(xing)SMUt輸(shu)出(chu)至(zhi)香(xiang)蕉(jiao)頭測試線(xian)/適(shi)配(pei)器(qi)電纜
2600-KIT螺釘(ding)端(duan)子(zi)連(lian)接(jie)器(qi)套件(jian)
7078-TRX -1型(xing)低(di)噪聲(sheng)三(san)同軸(zhou)電(dian)纜，長度為0.3米(mi)（1 ft），（適用於(yu)236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -3型低(di)噪聲(sheng)三(san)同軸(zhou)電(dian)纜，長度為0.9米(mi)（3 ft），（適用於(yu)236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -5型低(di)噪聲(sheng)三(san)同軸(zhou)電(dian)纜，長度為1.5米(mi)（5 ft），（適用於(yu)236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -10型低(di)噪聲(sheng)三(san)同軸(zhou)電(dian)纜，長度為3米(mi)（10 ft），（適用於(yu)236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -12型低(di)噪聲(sheng)三(san)同軸(zhou)電(dian)纜，長度為3.5米(mi)（12 ft），（適用於(yu)236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -20型低(di)噪聲(sheng)三(san)同軸(zhou)電(dian)纜，長度為6.1米(mi)（20 ft），（適用於(yu)236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX- GND型無防(fang)護(hu)3槽公三(san)同軸(zhou)至(zhi)BNC適配(pei)器(qi)（適用於(yu)236、237、238、4801、6517A、7051、7072、7072-HV）
8606型高性(xing)能(neng)模(mo)塊化探頭套件(jian)（適(shi)用於(yu)2000、2001、2002、2010、2400系(xi)列）
2600-TLINK型數(shu)字(zi)I/O至TLINK適配(pei)電纜(lan)，長度為1米(mi)
CA-180-3A型TSP-Link電(dian)纜(lan)
7007-1：雙層屏(ping)蔽(bi)高級(ji)GPIB接(jie)口電纜(lan)，長度1米(mi)（3.3ft）（用於(yu)GPIB互(hu)連(lian)）
7007-2：雙層屏(ping)蔽(bi)高級(ji)GPIB接(jie)口電纜(lan)，長度2米(mi)（6.6ft）（用於(yu)GPIB互(hu)連(lian)）
KUSB-488A型(xing)IEEE-488.2 USB-GPIB接(jie)口適配(pei)器(qi)，適用於(yu)USB接(jie)口，內置2米(mi)（6.6ft）電纜(lan)
4299-1型(xing)單(dan)機架(jia)安裝(zhuang)套件(jian)，帶(dai)前(qian)支架(jia)和後支架
4299-2型(xing)雙機架(jia)安裝(zhuang)套件(jian)，帶(dai)前(qian)支架(jia)和後支架
8101-PIV，8101-PIV型(xing)成分測試夾具-優化低(di)電(dian)壓(ya)設(she)備測試(shi)
SC-200型屏(ping)蔽(bi)雙絞(jiao)線(xian)電(dian)纜(lan)
KPCI-488LPA，KPCI-488LPA型(xing) IEEE-488.2 PCI Bus 插(cha)件(jian)板(ban)
4299-5 1U通(tong)風(feng)面板(ban)

2611B SMU配(pei)套產品
Model 3706A Six-Slot System Switch with High Performance DMM
Model 3706A-NFP Six-Slot System Switch with High Performance DMM, without Front Panel Display and Keypad
Model 3706A-S Six-Slot System Switch
Model 3706A-SNFP Six-Slot System Switch, without Front Panel Display and Keypad
Model 707B 6-Slot, Semiconductor Switching Matrix w/ up to 576 Crosspoints - New Features and Improved Performance
7001，7001型80通(tong)道(dao)程控(kong)開(kai)關(guan)控(kong)制(zhi)器(qi)
ACS自動特(te)征(zheng)分析套件(jian)系(xi)統

SMU系(xi)列產品
2601B源表(biao)SMU，單通(tong)道(dao)（100fA、40V、3A直流/10A脈沖）
2602B源表(biao)SMU，雙通(tong)道(dao)（100fA、40V、3A直流/10A脈沖）
2612B源表(biao)SMU，雙通(tong)道(dao)（100fA、200V、1.5A直流/10A脈沖）
2635B源表(biao)SMU，單通(tong)道(dao)（0.1fA、200V、1.5A直流/10A脈沖）
2636B源表(biao)SMU，雙通(tong)道(dao)（0.1fA、200V、1.5A直流/10A脈沖）
2604B源表(biao)SMU，雙通(tong)道(dao)（100fA、40V、3A直流/10A脈沖），臺(tai)式版本
2614B源表(biao)SMU，雙通(tong)道(dao)（100fA、200V、1.5A直流/10A脈沖），臺(tai)式版本
2634B源表(biao)SMU，雙通(tong)道(dao)（1fA、200V、1.5A直流/10A脈沖），臺(tai)式版本
2611A型單(dan)通(tong)道(dao)系(xi)統數(shu)字(zi)源表（200V，10A脈沖）