基(ji)礎(chu)信息Product information

產品(pin)名(ming)稱：美(mei)國吉時利數(shu)字(zi)源(yuan)表源測(ce)量單元(yuan)SMU

產品(pin)型號(hao)：KEITHLEY2450

更(geng)新時間(jian)：2025-06-07

產品(pin)簡介：

中國電子行業儀(yi)器優質供(gong)應(ying)商(shang)——堅(jian)融實(shi)業JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售(shou)Sale、服(fu)務(wu)Service，3S公司(si)，提供(gong)解決方(fang)案(an)、測(ce)試測(ce)量技(ji)術(shu)改(gai)進(jin)、技術培(pei)訓(xun)、采(cai)購(gou)管(guan)理、售(shou)後(hou)維修服(fu)務(wu)。吉時利KEITHLEY2400系列源(yuan)表研(yan)究(jiu)領(ling)域(yu)：
各種(zhong)器件(jian)的I-V功能(neng)測(ce)試和特征分析，包括(kuo)：
離(li)散和(he)無(wu)源(yuan)元件(jian)
–兩抽頭(tou)器件(jian)——傳感(gan)器、磁盤驅(qu)動器頭、金屬氧(yang)化物(wu)可變(bian)電阻（MOV）、二極管(guan)、

產品(pin)特性(xing)Product characteristics

 中國電子行業儀(yi)器優質供(gong)應(ying)商(shang)——堅(jian)融實(shi)業JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售(shou)Sale、服(fu)務(wu)Service，3S公司(si)，提供(gong)解決方(fang)案(an)、測(ce)試測(ce)量技(ji)術(shu)改(gai)進(jin)、技術培(pei)訓(xun)、采(cai)購(gou)管(guan)理、售(shou)後(hou)維修服(fu)務(wu)。

吉時利KEITHLEY2400系列源(yuan)表研(yan)究(jiu)領(ling)域(yu)：
各種(zhong)器件(jian)的I-V功能(neng)測(ce)試和特征分析，包括(kuo)：
 離(li)散和(he)無(wu)源(yuan)元件(jian) 
–兩抽頭(tou)器件(jian)——傳感(gan)器、磁盤驅(qu)動器頭、金屬氧(yang)化物(wu)可變(bian)電阻（MOV）、二極管(guan)、齊(qi)納(na)二極管(guan)、電容(rong)、熱敏(min)電阻
–三抽頭(tou)器件(jian)——小(xiao)信(xin)號(hao)雙(shuang)極結型晶體(ti)管(guan)（BJT）、場(chang)效(xiao)應(ying)晶體(ti)管(guan)（FET）等等 
 簡單IC器件(jian)——光(guang)學器件(jian)、驅動器、開(kai)關(guan)、傳(chuan)感(gan)器
 集(ji)成(cheng)器件(jian)——小(xiao)規(gui)模(mo)集(ji)成(cheng)（SSI）和(he)大規(gui)模(mo)集(ji)成(cheng)（LSI）
–模(mo)擬IC 
–射(she)頻(pin)集(ji)成(cheng)電路（RFIC）
–集(ji)成(cheng)電路（ASIC）
–片(pian)上(shang)系統(tong)（SoC）器件(jian)
 光(guang)電器件(jian)，例(li)如發光(guang)二極管(guan)（LED）、激(ji)光(guang)二極管(guan)、高(gao)亮度(du)LED（HBLED）、垂(chui)直腔(qiang)面發射激(ji)光(guang)器（VCSEL）、顯示器
 圓片(pian)級(ji)可(ke)靠(kao)性(xing)
- NBTI、TDDB、HCI、電遷(qian)移
 太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)
 電池(chi)
暫態抑制器件(jian)
IC、RFIC、MMIC
激光(guang)二極管(guan)、激(ji)光(guang)二極管(guan)模(mo)塊(kuai)、LED、光(guang)電檢(jian)測(ce)器
電路保(bao)護(hu)器件(jian):
TVS、MOV、熔絲
安全(quan)氣囊(nang)
連(lian)接(jie)器、開(kai)關(guan)、繼(ji)電器
碳(tan)納(na)米(mi)管(guan)
半(ban)導(dao)體(ti)納(na)米(mi)線(xian)
碳(tan)納(na)米(mi)管(guan) FET
納(na)米(mi)傳(chuan)感(gan)器和陣列
單電子晶體(ti)管(guan)
分(fen)子電子
有(you)機(ji)電子
基(ji)本(ben)運放電路
二極管(guan)和(he)電路
晶體(ti)管(guan)電路

測(ce)試：
漏流
低(di)壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離(li)與軌跡(ji)電阻
溫度系數(shu)
正向電壓、反(fan)向擊穿(chuan)、漏電流(liu)
直流參數(shu)測(ce)試
直流(liu)電源(yuan)
HIPOT
介質耐受(shou)性(xing)

雙極(ji)結型晶體(ti)管(guan)設計(ji)
結型場(chang)效(xiao)應(ying)晶體(ti)管(guan)設計(ji)
金屬(shu)氧化物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)場效(xiao)應(ying)晶體(ti)管(guan)設計(ji)
太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)和 LED 設計(ji)
高電子遷(qian)移率(lv)晶體(ti)管(guan)設計(ji)
復合(he)半(ban)導(dao)體(ti)器件(jian)設計(ji)

分析(xi)納(na)米(mi)材(cai)料(liao)和實(shi)驗(yan)器件(jian)
碳(tan)納(na)米(mi)管(guan)的(de)電測(ce)量標(biao)準(zhun)
測(ce)量碳(tan)納(na)米(mi)管(guan)電氣(qi)特性(xing)
提高納(na)米(mi)電子和分子電子器件(jian)的低(di)電流(liu)測(ce)量
在(zai)低(di)功(gong)率(lv)和低(di)壓應(ying)用(yong)中實(shi)現(xian)準(zhun)確(que)、可靠的電阻測(ce)量
納(na)米(mi)級(ji)器件(jian)和材料(liao)的(de)電氣(qi)測(ce)量
提高超(chao)高電阻和(he)電阻率(lv)測(ce)量的(de)可(ke)重(zhong)復(fu)性(xing)
壹種(zhong)微(wei)分(fen)電導(dao)的(de)改(gai)進(jin)測(ce)量方(fang)法
納(na)米(mi)技(ji)術(shu)準(zhun)確(que)電氣(qi)測(ce)量的(de)技(ji)術
納(na)米(mi)級(ji)材(cai)料(liao)的(de)電氣(qi)測(ce)量
降低(di)外(wai)部(bu)誤差源影(ying)響(xiang)的儀(yi)器技術
迎接(jie)65nm節點(dian)的測(ce)量挑(tiao)戰(zhan)
測(ce)量半(ban)導(dao)體(ti)材料的(de)高電阻率(lv)和(he)霍爾(er)電壓
用(yong)微(wei)微(wei)微(wei)安量程測(ce)量電流(liu)
柵極(ji)電介(jie)質電容(rong)電壓特性(xing)分析(xi)
評(ping)估氧化層的(de)可靠(kao)性(xing)

的半(ban)導(dao)體(ti)器件(jian)結構(gou)設計(ji)和試驗低(di)電阻、低(di)功(gong)耗(hao)半(ban)導(dao)體(ti)器
輸(shu)出極(ji)低(di)電流(liu)和測(ce)量極(ji)低(di)電壓分(fen)析(xi)現(xian)代材料(liao)、半(ban)導(dao)體(ti)和納(na)米(mi)電子元件(jian)的電阻
低(di)阻測(ce)量(低(di)至(zhi)10nΩ)分(fen)析導(dao)通(tong)電阻參數(shu)、互連(lian)和(he)低(di)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)。
用(yong)於*進CMOS技(ji)術(shu)的(de)脈(mai)沖(chong)可靠性(xing)測(ce)試
高K柵極(ji)電介(jie)質電荷俘獲行為(wei)的脈(mai)沖(chong)特性(xing)分析(xi)
用(yong)6線(xian)歐(ou)姆測(ce)量技(ji)術(shu)進行更(geng)高(gao)準(zhun)確(que)度的電阻測(ce)量
配(pei)置(zhi)分(fen)立(li)電阻器驗證測(ce)試系統(tong)
電信(xin)激光(guang)二極管(guan)模(mo)塊(kuai)的高吞吐(tu)率(lv)直(zhi)流生產測(ce)試
多臺數(shu)字(zi)源(yuan)表的觸(chu)發(fa)器同(tong)步(bu)
高(gao)亮度(du)、可(ke)見光(guang)LED的生產測(ce)試
OLED顯示(shi)器的直流生產測(ce)試
在運行中第(di)5次(ci)測(ce)量用(yong)於偏置(zhi)溫度不穩定特性(xing)分析(xi)
數(shu)字(zi)源(yuan)表的緩(huan)沖(chong)器以及如何(he)用(yong)這兩個(ge)緩(huan)沖(chong)器獲取多達(da)5000點(dian)數(shu)據(ju)
連(lian)接(jie)器的生產測(ce)試方案(an)
射頻(pin)功(gong)率(lv)晶體(ti)管(guan)的(de)直流電氣(qi)特性(xing)分析(xi)

1. MOS 電容(rong)器
C-V 曲線(xian) (高頻(pin)：100kHz)：
摻(chan)雜類(lei)型 – 氧(yang)化層厚度 – 平(ping)帶電壓 – 閾(yu)值電壓 – 襯(chen)底(di)摻(chan)雜 – zui大(da)耗(hao)盡層(ceng)寬度(du) – 反(fan)型層(ceng)到(dao)平(ping)衡(heng)的靈敏(min)度(du)：電壓掃描率和方向 – 光(guang)效(xiao)應(ying)和(he)溫度效(xiao)應(ying)。
I-V 曲線(xian)分析：
電荷建(jian)立(li) (測(ce)量電壓 - 時(shi)間(jian)圖，用(yong)低(di)電流(liu)源)； 氧化層電容(rong)測(ce)定； 與(yu) C-V 曲線(xian)比較(jiao)。
C-V 曲線(xian) (準(zhun)靜態(tai)) 結合(he) C-V 曲線(xian)：
表面電位(wei) Ψs 與施(shi)加(jia)電壓的(de)關(guan)系 – Si (100) 的(de)表面態密(mi)度(du) Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相(xiang)比：方(fang)向和後(hou)處理退(tui)火(huo)的影(ying)響。
C-V 曲線(xian) (高頻(pin)：100kHz)：
移(yi)動(dong)氧(yang)化層電荷密(mi)度(du) (偏壓溫度應(ying)力(li)：200°C，10 分鐘(zhong)，±10V)
 
2. 雙極(ji)結型晶體(ti)管(guan)
     主(zhu)題
   正(zheng)向共發(fa)射極(ji)輸(shu)出特性(xing)：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(ce)量。
   正(zheng)向 CE 輸(shu)入特性(xing)：Ib = f (Vbe) 對(dui)於幾(ji)個(ge) Vce 正值。
   正(zheng)向 Gummel 曲線(xian)： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增(zeng)益(yi) βf = Ic/Ib 和(he) af。
   Βf 與(yu) log(Ic) 的(de)關系： 低(di)註(zhu)入和高(gao)註(zhu)入的效(xiao)果。
   非(fei)理想(xiang)特性(xing)：爾利電壓。
   反(fan)向 CE 輸(shu)出特性(xing)： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 傳輸(shu)特性(xing)：Ib=f(Vbe) 對(dui)於幾(ji)個(ge)Vce負值。
   反(fan)向 Gummel 曲線(xian)： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定增(zeng)益(yi) βr = Ie/Ib 和(he) ar。
   Βr 與(yu) log(Ie) 的(de)關系： 低(di)註(zhu)入和高(gao)註(zhu)入的效(xiao)果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確(que)定，對(dui)於給(gei)定的(de) Ib 電流(liu)。
   Ebers Moll 模(mo)型構(gou)建(jian)並且(qie)與實(shi)驗做(zuo)比較(jiao)。
   BE 和(he) CE 結的(de) C-V 特性(xing)分析(xi)。基(ji)區(qu)摻(chan)雜濃縮(suo)。
 
3. 亞(ya)微(wei)米(mi)集(ji)成(cheng) MOSFET
輸(shu)出特性(xing)：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增(zeng)強(qiang)或耗(hao)盡)，溝(gou)道長(chang)度調制參數(shu)(λ) 在飽和(he)區(qu)域(yu) (VDS<–3V) 有(you)效(xiao)溝道(dao)長度(du)與 VDS 的關系。
傳(chuan)輸(shu)特性(xing)：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底(di)偏壓特性(xing)： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞(ya)閾(yu)值特性(xing)：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯底(di)電流(liu)特性(xing)：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用(yong)長溝道(dao)和(he)短(duan)溝道(dao)公式(shi)的(de)輸(shu)出特性(xing)模(mo)型：比較(jiao)實(shi)驗結果(guo)。

美(mei)國吉時利KEITHLEY2400數(shu)字(zi)源(yuan)表進行VCSEL測(ce)試
美國吉時利KEITHLEY2400測(ce)量光(guang)伏電池(chi)的I-V特性(xing)
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shu)字(zi)源(yuan)表的SCPI應(ying)用(yong)轉換為(wei)2600系列源(yuan)表的腳本應(ying)用(yong)
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shu)字(zi)源(yuan)表進行IDDQ測(ce)試和待(dai)機(ji)電流(liu)測(ce)試
使用(yong)兩臺美(mei)國吉時利KEITHLEY2400型數(shu)字(zi)源(yuan)表輸(shu)出2A電流(liu)
美國吉時利KEITHLEY2400或其(qi)它非(fei)脈(mai)沖(chong)模(mo)式(shi)源(yuan)表產生電流(liu) (或電壓) 脈(mai)沖(chong)
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shu)字(zi)源(yuan)表提升(sheng)多引(yin)腳器件(jian)的生產量
美(mei)國吉時利KEITHLEY2400數(shu)字(zi)源(yuan)表創(chuang)建(jian)可擴(kuo)縮(suo)、多引(yin)腳、多功能(neng)IC測(ce)試系統(tong)
美國吉時利KEITHLEY2402數(shu)字(zi)源(yuan)表對(dui)激光(guang)二極管(guan)模(mo)塊(kuai)和VCSEL進行高吞吐(tu)率(lv)直(zhi)流生產測(ce)試
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shu)字(zi)源(yuan)表進行二極管(guan)生產測(ce)試
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shu)字(zi)源(yuan)表進行高亮度(du)、可(ke)見光(guang)LED的生產測(ce)試
美國吉時利KEITHLEY2400系列數(shu)字(zi)源(yuan)表進行IDDQ測(ce)試和待(dai)機(ji)電流(liu)測(ce)試
美國吉時利KEITHLEY2400 數(shu)字(zi)源(yuan)表驗證變(bian)阻器
美國吉時利KEITHLEY2400系列源(yuan)表進行電池(chi)放電/充(chong)電周期(qi)
美國吉時利KEITHLEY2400配置(zhi)電阻網(wang)絡(luo)的生產測(ce)試系統(tong)
美國吉時利KEITHLEY2430 1kW 脈(mai)沖(chong)源表進行大電流(liu)變(bian)阻器的生產測(ce)試
美國吉時利KEITHLEY2400數(shu)字(zi)源(yuan)表進行熱敏(min)電阻的(de)生產測(ce)試

美國吉時利KEITHLEY2450是吉(ji)時(shi)利的新壹代數(shu)字(zi)源(yuan)表源測(ce)量單元(yuan)（SMU），並(bing)且(qie)能在(zai)您(nin)指(zhi)尖(jian)真正實(shi)現(xian)歐(ou)姆定律（電流(liu)、電壓和(he)電阻）測(ce)試。其(qi)新穎(ying)的圖(tu)形用(yong)戶接(jie)口（GUI）和*進(jin)的(de)容(rong)性(xing)觸(chu)摸(mo)屏(ping)技(ji)術(shu)方(fang)便(bian)直觀(guan)使用(yong)。此技術(shu)能(neng)讓學習曲線(xian)zui短(duan)並讓工程師(shi)和科(ke)學家(jia)更(geng)輕(qing)松(song)地創(chuang)造、更(geng)聰(cong)明(ming)地工作而且(qie)更(geng)快(kuai)速地學習。2450是壹款(kuan)適(shi)合(he)所有(you)人的通用(yong)SMU，特別(bie)適(shi)於(yu)分析(xi)當今現(xian)代縮微(wei)半(ban)導(dao)體(ti)、納(na)米(mi)器件(jian)和材料(liao)、有(you)機(ji)半(ban)導(dao)體(ti)、印制電子產品(pin)及(ji)其(qi)它小(xiao)尺(chi)寸(cun)和(he)低(di)功(gong)率(lv)器件(jian)的特性(xing)。所有(you)這壹切，加(jia)上(shang)傳奇(qi)的(de)吉(ji)時利高精(jing)度(du)、高分辨率(lv)、高(gao)準(zhun)確(que)度和高可(ke)靠(kao)性(xing)，為(wei)工程師(shi)和科(ke)學家(jia)提供(gong)全新層次(ci)的(de)Touch, Test, Invent™以(yi)獲得(de)全(quan)新、直觀(guan)的源測(ce)試體(ti)驗。

美國吉時利KEITHLEY2450數(shu)字(zi)源(yuan)表源測(ce)量單元(yuan)（SMU）性(xing)能特點(dian)
5英(ying)寸(cun)、高(gao)分辨率(lv)容(rong)性(xing)觸(chu)摸(mo)屏(ping)圖(tu)形(xing)用(yong)戶界(jie)面
0.012%基(ji)本(ben)測(ce)量準(zhun)確(que)度和6位半(ban)分(fen)辨率(lv)
增(zeng)強(qiang)靈敏(min)度(du)20mV和(he)10nA源(yuan)/測(ce)量範(fan)圍(wei)
源和(he)阱(jing)（4象限）操(cao)作
4種(zhong)“個(ge)性(xing)”模(mo)式(shi)用(yong)於快(kuai)速設置(zhi)和(he)測(ce)量
上(shang)下文相(xiang)關(guan)的前面板幫助(zhu)
前面板輸(shu)入香(xiang)蕉頭插(cha)座(zuo)；後(hou)面板輸(shu)入三同(tong)軸(zhou)連(lian)接(jie)
2450型增(zeng)強(qiang)SCPI和TSP®腳本編(bian)程模(mo)式(shi)
2400型SCPI兼(jian)容編(bian)程模(mo)式(shi)
前(qian)面板USB內存(cun)端口用(yong)於數(shu)據(ju)/編(bian)程/配(pei)置(zhi)I/O

標(biao)配附件(jian)
8608    高性(xing)能測(ce)試引(yin)線(xian)
USB-B-1    USB電纜(lan)，Type A  ～Type B, 1m (3.3 ft)
C S -1616 -3    安全(quan)互鎖(suo)配套連(lian)接(jie)器
CA-180-3A  TSP-Link/以太(tai)網(wang)電纜(lan)
文檔(dang)CD
2450儀(yi)器快(kuai)速啟(qi)動指(zhi)南
TSB 軟件(jian)(CD包含)
KickStart啟(qi)動(dong)軟(ruan)件(jian)(CD包含)
LabVIEW與(yu)IVI驅(qu)動(dong)

美(mei)國吉時利KEITHLEY2450數(shu)字(zi)源(yuan)表源測(ce)量單元(yuan)（SMU）另(ling)外選(xuan)購配件(jian)
1754型2線(xian)通用(yong)10片(pian)裝測(ce)試線(xian)套件(jian)（適(shi)用(yong)於175A、197A、2000、2001、2002、2010）
5804型Kelvin（4線(xian)）10件(jian)裝的(de)通(tong)用(yong)測(ce)試線(xian)套件(jian)（適(shi)用(yong)於580、2400系列、數(shu)字(zi)多用(yong)表）
5805型Kelvin（4線(xian)）帶彈(dan)簧的(de)探頭(tou)，長度為(wei)0.9米（3 ft）（適(shi)用(yong)於580、數(shu)字(zi)多用(yong)表）
5806型Kelvin（4線(xian)）特大(da)號(hao)鱷(e)魚(yu)夾(jia)測(ce)試線(xian)，長度為(wei)0.9米（3 ft）（適(shi)用(yong)於580、2400系列、數(shu)字(zi)多用(yong)表）
5808型低(di)成(cheng)本(ben)單探針(zhen)，Kelvin探頭(tou)
5809型低(di)成(cheng)本(ben)Kelvin夾(jia)測(ce)試線(xian)組(zu)
8605型高(gao)性(xing)能模(mo)塊(kuai)化測(ce)試線(xian)，長度為(wei)0.9米（3 ft），（適(shi)用(yong)於2000、2001、2002、2010、2400系列）
8606型高(gao)性(xing)能模(mo)塊(kuai)化探頭(tou)套件(jian)（適(shi)用(yong)於2000、2001、2002、2010、2400系列）
237-ALG-2型低(di)噪(zao)聲(sheng)三同(tong)軸(zhou)輸(shu)入電纜(lan)，壹端(duan)接(jie)3槽(cao)公三同(tong)軸(zhou)連(lian)接(jie)器另(ling)壹端(duan)接(jie)3個(ge)鱷(e)魚(yu)夾(jia)，長(chang)度(du)為(wei)2米（6.6 ft），（適(shi)用(yong)於236、237、238、486、487、6514、6517A）
237-BAN-3A型三同(tong)軸(zhou)至(zhi)香(xiang)蕉插(cha)頭(tou)（適(shi)用(yong)於7072、7072-HV、7172、數(shu)字(zi)多用(yong)表）
7078-TRX -1型低(di)噪(zao)聲(sheng)三同(tong)軸(zhou)電纜(lan)，長度為(wei)0.3米（1 ft），（適(shi)用(yong)於236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -3型低(di)噪(zao)聲(sheng)三同(tong)軸(zhou)電纜(lan)，長度為(wei)0.9米（3 ft），（適(shi)用(yong)於236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -5型低(di)噪(zao)聲(sheng)三同(tong)軸(zhou)電纜(lan)，長度為(wei)1.5米（5 ft），（適(shi)用(yong)於236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -10型低(di)噪(zao)聲(sheng)三同(tong)軸(zhou)電纜(lan)，長度為(wei)3米（10 ft），（適(shi)用(yong)於236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -12型低(di)噪(zao)聲(sheng)三同(tong)軸(zhou)電纜(lan)，長度為(wei)3.5米（12 ft），（適(shi)用(yong)於236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -20型低(di)噪(zao)聲(sheng)三同(tong)軸(zhou)電纜(lan)，長度為(wei)6.1米（20 ft），（適(shi)用(yong)於236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX- GND型無(wu)防(fang)護(hu)3槽(cao)公三同(tong)軸(zhou)至(zhi)BNC適(shi)配(pei)器（適(shi)用(yong)於236、237、238、4801、6517A、7051、7072、7072-HV）
8607型1kV，2根(gen)香(xiang)蕉插(cha)頭(tou)測(ce)試電纜(lan)，長度為(wei)1米（3.3 ft），（適(shi)用(yong)於2410、6430、6514、6517A）
CA -18-1型屏(ping)蔽(bi)電纜(lan)，兩端(duan)接雙(shuang)香(xiang)蕉插(cha)頭(tou)，長(chang)度(du)為(wei)1.2米（4 ft），（適(shi)於(yu)輸(shu)入端子）
CAP-31型保(bao)護(hu)屏(ping)蔽(bi)/罩（適(shi)用(yong)於3接線(xian)柱三同(tong)軸(zhou)連(lian)接(jie)器）
KPCI-488LPA，KPCI-488LPA型 IEEE-488.2 PCI Bus 插(cha)件(jian)板
KUSB-488B型 IEEE-488.2 USB-to-GPIB USB接(jie)口適(shi)配(pei)器
7007-1：雙層屏(ping)蔽(bi)高(gao)級(ji)GPIB接(jie)口電纜(lan)，長度1米(mi)（3.3ft）（用(yong)於GPIB互連(lian)）
7007-2：雙(shuang)層(ceng)屏(ping)蔽(bi)高(gao)級(ji)GPIB接(jie)口電纜(lan)，長度2米(mi)（6.6ft）（用(yong)於GPIB互連(lian)）
CA-180-3A型TSP-Link電纜(lan)
8501-1型DIN至(zhi)DIN觸(chu)發(fa)連(lian)接(jie)電纜(lan)，長度為(wei)1米（3.3 ft），（適(shi)用(yong)於6517A、2400系列、KPC-TM、觸(chu)發(fa)連(lian)接(jie)輸(shu)入）
8501-2型DIN至(zhi)DIN觸(chu)發(fa)連(lian)接(jie)電纜(lan)，長度為(wei)2米（6.6 ft），（適(shi)用(yong)於6517A、2400系列、KPC-TM、觸(chu)發(fa)連(lian)接(jie)輸(shu)入）
8101-PIV，8101-PIV型成(cheng)分(fen)測(ce)試夾(jia)具(ju)-優化低(di)電壓設備(bei)測(ce)試

美國吉時利KEITHLEY2450數(shu)字(zi)源(yuan)表源測(ce)量單元(yuan)（SMU）系列產品(pin)
Model 2450-NFP Advanced Touchscreen SourceMeter SMU Instrument - No Front Panel
Model 2450-RACK Advanced Touchscreen SourceMeter SMU Instrument without Handle
Model 2450-NFP-RACK Advanced Touchscreen SourceMeter SMU Instrument - No Front Panel/Handle