基(ji)礎(chu)信息Product information

產品(pin)名稱(cheng)：美(mei)國(guo)吉(ji)時(shi)利(li)KEITHLEY2410源(yuan)表(biao)

產(chan)品型(xing)號：

更(geng)新(xin)時間：2025-06-09

產品(pin)簡介：

專(zhuan)業(ye)儀(yi)器(qi)設備和(he)測試方案供(gong)應商(shang)——上(shang)海堅融實業(ye)有(you)限公(gong)司JETYOO INDUSTRIAL 、堅友（上(shang)海）測量(liang)儀(yi)器(qi)有限公(gong)司JETYOO INSTRUMENTS，特別(bie)供(gong)應美(mei)國(guo)吉(ji)時(shi)利(li)KEITHLEY2410源(yuan)表(biao)

產(chan)品特性(xing)Product characteristics

     專業(ye)儀(yi)器(qi)設備和(he)測試方案供(gong)應商(shang)——上(shang)海堅融實業(ye)有(you)限公(gong)司JETYOO INDUSTRIAL & 堅友（上(shang)海）測量(liang)儀(yi)器(qi)有限公(gong)司JETYOO INSTRUMENTS，由(you)前安捷(jie)倫(lun)Agilent【現(xian) 是德KEYSIGHT】產(chan)品(pin)工(gong)程師(shi)——堅 JET 和(he) 吉(ji)時(shi)利(li)KEITHLEY【現(xian) 泰(tai)克(ke)Tektronix】忠(zhong)實用(yong)戶使用工(gong)程師(shi)——融 YOO於2011年共(gong)同(tong)創(chuang)立，誌在(zai)破舊立新(xin)！*電子測量(liang)行(xing)業(ye)代(dai)理經銷商(shang)只(zhi)專(zhuan)業(ye)做(zuo)商(shang)務(wu)銷(xiao)售(shou)，不專業(ye)做(zuo)售(shou)前測試方案，不專業(ye)做(zuo)售(shou)後使用培(pei)訓(xun)的(de)空白(bai)。我們的(de)技(ji)術(shu)銷(xiao)售(shou)工(gong)程師(shi)均(jun)為本科(ke)以上學(xue)歷(li)，且均有10年以上儀(yi)器(qi)行(xing)業(ye)工(gong)作經(jing)驗，專(zhuan)業(ye)為中(zhong)國(guo)區用(yong)戶提(ti)供(gong)儀(yi)器(qi)設備、測(ce)試方案、技(ji)術(shu)培(pei)訓(xun)和(he)維修(xiu)服(fu)務(wu)，為上(shang)海華(hua)東地(di)區(qu)壹家(jia)以技(ji)術(shu)為導(dao)向(xiang)的(de)儀器(qi)代理(li)經銷(xiao)商。

美(mei)國(guo)吉(ji)時(shi)利(li)KEITHLEY2410源(yuan)表(biao)高壓(ya)源(yuan)表(biao)功(gong)率(lv)為20W，能(neng)夠(gou)提(ti)供(gong)和(he)測量(liang)從±5μV（源）和(he)±1μV（測量(liang)）到(dao)±1100V的(de)電壓(ya)，及(ji)從±10pA到(dao)±1A的(de)電流(liu)。由(you)於具(ju)有較(jiao)高的(de)電壓(ya)源(yuan)範(fan)圍(wei)，2410非常適(shi)合(he)於(yu)電阻和(he)電壓(ya)系(xi)數測試、變阻(zu)器(qi)、高壓(ya)二(er)極(ji)管、開(kai)關(guan)、齊(qi)納(na)管、射(she)頻(pin) 二(er)極(ji)管和(he)整(zheng)流(liu)器(qi)的(de)測試。2410在提(ti)供(gong)1100V電壓(ya)的(de)同(tong)時能(neng)夠(gou)測(ce)量(liang)20mA的(de)電流(liu)，具(ju)有精(jing)確(que)測(ce)試所(suo)需的(de)特殊分(fen)辨(bian)率(lv)。

美(mei)國(guo)吉(ji)時(shi)利(li)KEITHLEY2410源(yuan)表(biao)系(xi)列(lie)應用(yong)領(ling)域(yu)
各種器(qi)件的(de)I-V功能(neng)測(ce)試和(he)特征分析(xi)，包(bao)括(kuo)：

• 離(li)散(san)和(he)無源元(yuan)件

–兩(liang)抽(chou)頭器(qi)件——傳(chuan)感器(qi)、磁盤(pan)驅(qu)動(dong)器(qi)頭、金(jin)屬氧(yang)化(hua)物可(ke)變電阻（MOV）、二(er)極(ji)管、齊(qi)納(na)二(er)極(ji)管、電容(rong)、熱敏電阻

–三抽頭器(qi)件——小信號雙極(ji)結型(xing)晶(jing)體(ti)管（BJT）、場(chang)效(xiao)應(ying)晶(jing)體(ti)管（FET）等(deng)等(deng)

• 簡單IC器(qi)件——光(guang)學器(qi)件、驅(qu)動(dong)器(qi)、開關(guan)、傳(chuan)感器(qi)

• 集(ji)成(cheng)器(qi)件——小規(gui)模(mo)集(ji)成(cheng)（SSI）和(he)大規(gui)模(mo)集(ji)成(cheng)（LSI）

–模(mo)擬(ni)IC

–射頻集(ji)成(cheng)電路(lu)（RFIC）

–集(ji)成(cheng)電路(lu)（ASIC）

–片(pian)上(shang)系統（SoC）器(qi)件

• 光(guang)電器(qi)件，例(li)如發光(guang)二(er)極(ji)管（LED）、激(ji)光(guang)二(er)極(ji)管、高亮度LED（HBLED）、垂(chui)直(zhi)腔(qiang)面(mian)發射(she)激(ji)光(guang)器(qi)（VCSEL）、顯示(shi)器(qi)

• 圓片(pian)級可(ke)靠性(xing)

- NBTI、TDDB、HCI、電遷(qian)移

• 太(tai)陽能(neng)電池(chi)

• 電池(chi)

暫(zan)態(tai)抑制(zhi)器(qi)件

IC、RFIC、MMIC

激(ji)光(guang)二(er)極(ji)管、激(ji)光(guang)二(er)極(ji)管模(mo)塊(kuai)、LED、光(guang)電檢測(ce)器(qi)

電路(lu)保(bao)護(hu)器(qi)件:

TVS、MOV、熔絲

安全(quan)氣囊(nang)

連(lian)接(jie)器(qi)、開關(guan)、繼(ji)電器(qi)

碳納(na)米管

半(ban)導(dao)體(ti)納(na)米線

碳(tan)納(na)米管 FET

納(na)米傳感器(qi)和(he)陣列(lie)

單電子晶(jing)體(ti)管

分(fen)子(zi)電子

有機電子

基(ji)本運(yun)放(fang)電路(lu)

二(er)極(ji)管和(he)電路(lu)

晶(jing)體(ti)管電路(lu)

測(ce)試：

漏流(liu)

低(di)壓(ya)、電阻

LIV

IDDQ

I-V特征分析(xi)

隔離(li)與(yu)軌(gui)跡電阻

溫度(du)系(xi)數

正向電壓(ya)、反(fan)向(xiang)擊穿(chuan)、漏電流(liu)

直(zhi)流(liu)參(can)數測試

直(zhi)流(liu)電源

HIPOT

介(jie)質耐受(shou)性(xing)

雙極(ji)結型(xing)晶(jing)體(ti)管設計

結型(xing)場(chang)效(xiao)應(ying)晶(jing)體(ti)管設計

金(jin)屬氧(yang)化(hua)物半導體場(chang)效(xiao)應(ying)晶(jing)體(ti)管設計

太(tai)陽能(neng)電池(chi)和(he) LED 設計

高電子遷(qian)移率(lv)晶(jing)體(ti)管設計

復合(he)半(ban)導體器(qi)件設計

分析納(na)米材料(liao)和(he)實驗器(qi)件

碳(tan)納米管的(de)電測量(liang)標準(zhun)

測量(liang)碳(tan)納(na)米管電氣特性(xing)

提(ti)高納米電子和(he)分子電子器(qi)件的(de)低(di)電流(liu)測(ce)量(liang)

在低(di)功(gong)率(lv)和(he)低(di)壓(ya)應(ying)用(yong)中實現(xian)準(zhun)確、可(ke)靠的(de)電阻測量(liang)

納米級器(qi)件和(he)材料(liao)的(de)電氣測量(liang)

提(ti)高超高電阻和(he)電阻率(lv)測(ce)量(liang)的(de)可(ke)重復(fu)性(xing)

壹種微分電導的(de)改進(jin)測量(liang)方法

納(na)米技(ji)術(shu)準(zhun)確電氣測量(liang)的(de)技(ji)術(shu)

納(na)米級材料(liao)的(de)電氣測量(liang)

降(jiang)低(di)外(wai)部誤差源(yuan)影(ying)響的(de)儀器(qi)技(ji)術(shu)

迎(ying)接65nm節點(dian)的(de)測量(liang)挑(tiao)戰(zhan)

測(ce)量(liang)半(ban)導(dao)體材料(liao)的(de)高電阻率(lv)和(he)霍爾(er)電壓(ya)

用微微微安量(liang)程(cheng)測(ce)量(liang)電流(liu)

柵極電介質電容(rong)電壓(ya)特性(xing)分(fen)析(xi)

評估(gu)氧(yang)化(hua)層的(de)可(ke)靠性(xing)

半(ban)導(dao)體器(qi)件結構設計和(he)試驗低(di)電阻、低(di)功(gong)耗半導(dao)體(ti)器(qi)

輸出極低(di)電流(liu)和(he)測量(liang)極(ji)低(di)電壓(ya)分(fen)析(xi)現(xian)代材料(liao)、半導(dao)體和(he)納米電子元件(jian)的(de)電阻

低(di)阻(zu)測量(liang)(低(di)至10nΩ)分(fen)析(xi)導通(tong)電阻參(can)數、互連(lian)和(he)低(di)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)。

用於*進(jin)CMOS技(ji)術(shu)的(de)脈沖(chong)可(ke)靠性(xing)測試

高K柵極(ji)電介質電荷(he)俘獲行(xing)為的(de)脈沖(chong)特性(xing)分(fen)析(xi)

用(yong)6線歐(ou)姆(mu)測(ce)量(liang)技(ji)術(shu)進(jin)行(xing)更高準(zhun)確度(du)的(de)電阻測量(liang)

配(pei)置分立電阻器(qi)驗證(zheng)測試系統

電信激光(guang)二(er)極(ji)管模(mo)塊(kuai)的(de)高吞(tun)吐率(lv)直(zhi)流(liu)生產測試

多臺數字源表(biao)的(de)觸(chu)發器(qi)同(tong)步

高亮度、可(ke)見光(guang)LED的(de)生產測試

OLED顯示(shi)器(qi)的(de)直(zhi)流(liu)生產測試

在(zai)運(yun)行(xing)中第(di)5次(ci)測量(liang)用(yong)於(yu)偏置溫度(du)不穩定特性(xing)分(fen)析(xi)

數字源表(biao)的(de)緩沖(chong)器(qi)以及如(ru)何(he)用這(zhe)兩(liang)個緩沖(chong)器(qi)獲取多達5000點(dian)數據(ju)

連(lian)接(jie)器(qi)的(de)生產測試方案

射(she)頻(pin)功率(lv)晶(jing)體(ti)管的(de)直(zhi)流(liu)電氣特性(xing)分(fen)析(xi)

1. MOS 電容(rong)器(qi)

C-V 曲線 (高頻：100kHz)：

摻雜類(lei)型(xing) – 氧(yang)化(hua)層厚度(du) – 平帶(dai)電壓(ya) – 閾(yu)值電壓(ya) – 襯(chen)底摻雜(za) – 耗盡層(ceng)寬(kuan)度(du) – 反(fan)型(xing)層(ceng)到(dao)平衡(heng)的(de)靈敏度：電壓(ya)掃(sao)描(miao)率(lv)和(he)方向 – 光(guang)效(xiao)應(ying)和(he)溫度(du)效(xiao)應(ying)。

I-V 曲線分(fen)析(xi)：

電荷(he)建(jian)立 (測量(liang)電壓(ya) - 時(shi)間圖，用(yong)低(di)電流(liu)源(yuan))； 氧(yang)化(hua)層電容(rong)測(ce)定； 與(yu) C-V 曲(qu)線比(bi)較(jiao)。

C-V 曲(qu)線 (準(zhun)靜(jing)態(tai)) 結合(he) C-V 曲(qu)線：

表(biao)面(mian)電位 Ψs 與(yu)施加電壓(ya)的(de)關(guan)系(xi) – Si (100) 的(de)表(biao)面(mian)態密度(du) Dit = f (Ψs) 與(yu) Si (111) 的(de)相(xiang)比：方向和(he)後處理退(tui)火的(de)影響(xiang)。

C-V 曲線 (高頻：100kHz)：

移動(dong)氧(yang)化(hua)層電荷(he)密度(du) (偏(pian)壓(ya)溫度(du)應(ying)力：200°C，10 分鐘(zhong)，±10V)

2. 雙極(ji)結型(xing)晶(jing)體(ti)管

    主(zhu)題

   正向共發射(she)極(ji)輸出特性(xing)：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(ce)量(liang)。

   正向 CE 輸入特性(xing)：Ib = f (Vbe) 對於(yu)幾個 Vce 正值。

   正向(xiang) Gummel 曲(qu)線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).

   確(que)定(ding)增益(yi) βf = Ic/Ib 和(he) af。

   Βf 與(yu) log(Ic) 的(de)關(guan)系(xi)： 低(di)註入和(he)高註入的(de)效(xiao)果(guo)。

   非理想(xiang)特性(xing)：爾(er)利(li)電壓(ya)。

   反(fan)向(xiang) CE 輸出特性(xing)： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).

   反(fan)向(xiang) CE 傳輸特性(xing)：Ib=f(Vbe) 對於(yu)幾個Vce負值。

   反(fan)向(xiang) Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).

   確(que)定(ding)增益(yi) βr = Ie/Ib 和(he) ar。

   Βr 與(yu) log(Ie) 的(de)關(guan)系(xi)： 低(di)註入和(he)高註入的(de)效(xiao)果(guo)。

   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確(que)定(ding)，對於(yu)給定的(de) Ib 電流(liu)。

   Ebers Moll 模(mo)型(xing)構(gou)建(jian)並且與(yu)實驗做(zuo)比(bi)較。

   BE 和(he) CE 結的(de) C-V 特性(xing)分(fen)析(xi)。基(ji)區摻(chan)雜濃(nong)縮。

3. 亞(ya)微米集(ji)成(cheng) MOSFET

輸出特性(xing)：IDS = f(VDS,VGS):

p型(xing) MOSFET (增(zeng)強(qiang)或(huo)耗盡)，溝(gou)道(dao)長(chang)度調制參(can)數(λ) 在飽和(he)區域 (VDS<–3V) 有(you)效(xiao)溝(gou)道(dao)長(chang)度與(yu) VDS 的(de)關(guan)系(xi)。

傳輸特性(xing)

襯底偏壓(ya)特性(xing)

亞(ya)閾(yu)值特性(xing)

襯底電流(liu)特性(xing)

VCSEL測(ce)試、光(guang)伏電池(chi)的(de)I-V特性(xing)、IDDQ測(ce)試和(he)待(dai)機電流(liu)測(ce)試、產生電流(liu) (或(huo)電壓(ya)) 脈(mai)沖(chong)、提(ti)升(sheng)多引(yin)腳器(qi)件的(de)生產量(liang)、創(chuang)建可(ke)擴縮(suo)、多引(yin)腳、多功能(neng)IC測(ce)試系統、激光(guang)二(er)極(ji)管模(mo)塊(kuai)和(he)VCSEL進(jin)行(xing)高吞(tun)吐率(lv)直(zhi)流(liu)、二(er)極(ji)管生產測試、高亮度、可(ke)見光(guang)LED、驗證(zheng)變阻(zu)器(qi)、電池(chi)放(fang)電/充電周期、配(pei)置電阻網(wang)絡、大(da)電流(liu)變(bian)阻器(qi)、熱敏電阻的(de)生產測試

（SourceMeter） 選型(xing)指(zhi)南 

標配(pei)自帶(dai)配(pei)件
8605型(xing)高性能(neng)模(mo)塊(kuai)化(hua)測試線，長(chang)度為0.9米（3 ft），（適用(yong)於(yu)2000、2001、2002、2010、2400系(xi)列(lie)）

額外付(fu)費選配(pei)件 
1754型(xing)2線通(tong)用10片裝(zhuang)測(ce)試線套(tao)件(jian)（適(shi)用(yong)於175A、197A、2000、2001、2002、2010） 
2499-DIGIO數字I/O擴展器(qi)配(pei)件（2400系列(lie)） 
4288-1型(xing)單機架(jia)安(an)裝(zhuang)套(tao)件(jian)（適用(yong)於428、486、487、776、2700、2000系列(lie)、2182、2300 系列(lie)、2400系列(lie)、2500系列(lie)、6514、6517A、7001、6430、6485） 
4288-2型(xing)雙機架(jia)安(an)裝(zhuang)套(tao)件(jian)（適用(yong)於428、486、487、776、2000系列(lie)、2182、2300 系列(lie)、2400系列(lie)、6514、6517A、7001、2700、6430、6485） 
5804型(xing)Kelvin（4線）10件(jian)裝(zhuang)的(de)通(tong)用測試線套(tao)件(jian)（適(shi)用(yong)於580、2400系(xi)列(lie)、數字多用表(biao)） 
5805型(xing)Kelvin（4線）帶(dai)彈簧的(de)探頭，長(chang)度為0.9米（3 ft）（適用(yong)於(yu)580、數字多用表(biao)） 
5806型(xing)Kelvin（4線）特大(da)號鱷魚(yu)夾測(ce)試線，長(chang)度為0.9米（3 ft）（適用(yong)於(yu)580、2400系(xi)列(lie)、數字多用表(biao)） 
7007-1：雙層(ceng)屏蔽(bi)高級GPIB接(jie)口(kou)電纜，長(chang)度1米（3.3ft）（用於(yu)GPIB互(hu)連(lian)） 
7007-2：雙層(ceng)屏蔽(bi)高級GPIB接(jie)口(kou)電纜，長(chang)度2米（6.6ft）（用於(yu)GPIB互(hu)連(lian)） 
7009-5型(xing)屏蔽(bi)RS-232電纜，長(chang)度為1.5米（5 ft）（適用(yong)於(yu)2000、2010、6517A、2400系(xi)列(lie)） 
8501-1型(xing)DIN至DIN觸(chu)發連(lian)接(jie)電纜，長(chang)度為1米（3.3 ft），（適用(yong)於(yu)6517A、2400系(xi)列(lie)、KPC-TM、觸(chu)發連(lian)接(jie)輸(shu)入） 
8501-2型(xing)DIN至DIN觸(chu)發連(lian)接(jie)電纜，長(chang)度為2米（6.6 ft），（適用(yong)於(yu)6517A、2400系(xi)列(lie)、KPC-TM、觸(chu)發連(lian)接(jie)輸(shu)入） 
8502型(xing)觸(chu)發連(lian)接(jie)至BNC中(zhong)斷(duan)盒(he)（適(shi)用於7001、7002、2000系列(lie)、2400系列(lie)、KPC-TM） 
8503型(xing)DIN至雙BNC觸(chu)發連(lian)接(jie)電纜，長(chang)度為1米（3.3 ft），（適用(yong)於(yu)2000、2010、2400系(xi)列(lie)、觸(chu)發連(lian)接(jie)輸(shu)入） 
8505型(xing)公(gong)DIN至2 母DIN Y型(xing)適(shi)配(pei)器(qi)電纜，長(chang)度為0.3米（1 ft）,（適用(yong)於(yu)觸(chu)發連(lian)接(jie)） 
8606型(xing)高性能(neng)模(mo)塊(kuai)化(hua)探頭套件（適(shi)用(yong)於2000、2001、2002、2010、2400系列(lie)） 
8607型(xing)1kV，2根(gen)香(xiang)蕉插頭測試電纜，長(chang)度為1米（3.3 ft），（適用(yong)於(yu)2410、6430、6514、6517A） 
CA -18-1型(xing)屏蔽(bi)電纜，兩(liang)端(duan)接雙香(xiang)蕉插頭，長(chang)度為1.2米（4 ft），（適於(yu)輸(shu)入端子(zi)） 
5808型(xing)低(di)成(cheng)本單探針，Kelvin探頭 
5809型(xing)低(di)成(cheng)本Kelvin夾測(ce)試線組(zu) 
8620型(xing)通(tong)用4線數字多用表(biao)短(duan)路(lu)插頭 
KPCI-488LPA，KPCI-488LPA型(xing) IEEE-488.2 PCI Bus 插件(jian)板(ban) 
KUSB-488A型(xing)IEEE-488.2 USB-GPIB接(jie)口(kou)適配(pei)器(qi)，適用(yong)於USB接(jie)口，內置2米（6.6ft）電纜 
4288-4型(xing)固定(ding)機架(jia)安(an)裝(zhuang)套(tao)件(jian)（適用(yong)於195A、196、220、224、230、230-1、263、428、486、487、595、617、740、775A、776、2000系列(lie)、2182、2300系列(lie)、2400系列(lie)、6512、6514、6517A、7001） 
4288-5型(xing)固定(ding)機架(jia)安(an)裝(zhuang)套(tao)件(jian)（適用(yong)於428、486、487、2000系列(lie)、2182、2300 系列(lie)、2400系列(lie)、6514、6517A、7001） 
4288-9 支架(jia)固定(ding)件(jian)套件
2499-DIGIO數字I/O擴展器(qi)配(pei)件（2400系列(lie)）
7001，7001型(xing)80通(tong)道(dao)程控開(kai)關(guan)控制(zhi)器(qi) 
7002，7002型(xing)400通(tong)道(dao)程控開(kai)關(guan)控制(zhi)器(qi) 
7011-C型(xing)四(si)1×10多路(lu)選通(tong)器(qi)，帶(dai)集(ji)中(zhong)端接器(qi)（適用(yong)於7001和(he)7002） 
7011-S型(xing)四(si)1×10多路(lu)選通(tong)器(qi)，帶(dai)螺釘(ding)端(duan)子(zi)（適(shi)用(yong)於7001和(he)7002） 
7012-C型(xing)4×10矩(ju)陣(zhen)卡，帶(dai)集(ji)中(zhong)端接器(qi)（適用(yong)於7001和(he)7002） 
7012-S型(xing)4×10矩(ju)陣(zhen)卡，帶(dai)螺釘(ding)端(duan)子(zi)（適(shi)用(yong)於7001和(he)7002） 
7019-C型(xing)6線歐(ou)姆(mu)矩(ju)陣(zhen)卡，帶(dai)96針集(ji)中(zhong)端接器(qi)（適用(yong)於7001和(he)7002） 
2182A型(xing)納(na)伏表(biao) 
7053高電流(liu)，10通(tong)道(dao)掃(sao)描(miao)卡(ka)，具(ju)有5A接(jie)觸(chu)（適用(yong)於(yu)7001和(he)7002）