基礎信息(xi)Product information

產(chan)品(pin)名(ming)稱：吉時(shi)利KEITHLEY霍爾(er)效(xiao)應與範德堡測試

產(chan)品(pin)型(xing)號(hao)：

更(geng)新時(shi)間：2025-06-09

產品(pin)簡(jian)介：

吉時(shi)利KEITHLEY霍爾(er)效(xiao)應與範德堡測試。測量所(suo)有半(ban)導體(ti)材(cai)料包括(kuo)Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN（N型(xing)&P型均可測量）I-V曲線及(ji)I-R曲線，實(shi)驗(yan)結果(guo)由軟件自動(dong)計算得到(dao)，可同(tong)時得(de)到(dao)體載流(liu)子(zi)濃度 （Bulk Carrier Concentration）、表(biao)面(mian)載流(liu)子(zi)濃度 （Sheet Carrier Concentration）、遷移率 （Mobility）、

產(chan)品(pin)特性Product characteristics

吉時(shi)利KEITHLEY最(zui)經(jing)典(dian)的霍(huo)爾(er)效(xiao)應與範德堡測試方法(fa)。方案壹(yi):2400/2600系(xi)列高精(jing)度源表(biao)+高(gao)低(di)溫(wen)平(ping)臺(tai)+範(fan)德(de)堡爾(er)法(fa)則(ze)終(zhong)端(duan)轉(zhuan)換器(qi)；方案二：6221電(dian)流(liu)源+7001多路(lu)開(kai)關控(kong)制器(qi)+2182A納伏(fu)表(biao)。測量所(suo)有半(ban)導體(ti)材(cai)料包括(kuo)Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型(xing)&P型均可測量)I-V曲線及(ji)I-R曲線，實(shi)驗(yan)結果(guo)由軟件自動(dong)計算得到(dao)，可同(tong)時得(de)到(dao)體載流(liu)子(zi)濃度 (Bulk Carrier Concentration)、表(biao)面(mian)載流(liu)子(zi)濃度 (Sheet Carrier Concentration)、遷移率 (Mobility)、電(dian)阻率 (Resistivity)、霍(huo)爾(er)系(xi)數 (Hall Coefficient)、磁致電(dian)阻(Magnetoresistance)、電阻的縱(zong)橫(heng)比(bi)率(Vertical/ Horizontal ratio of resistance) 等。

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   堅(jian)忍不拔(ba)  圓(yuan)融(rong)通達 是(shi)我(wo)們秉(bing)承(cheng)的(de)理(li)念。嚶(ying)其鳴(ming)矣(yi)  求其友(you)聲 我們渴(ke)望(wang)跟(gen)更(geng)多誌(zhi)同(tong)道(dao)合的同(tong)仁共建(jian)至(zhi)真至誠(cheng)的合作，為祖(zu)國(guo)電(dian)子(zi)事業(ye)添(tian)磚(zhuan)加(jia)瓦(wa)！