基礎(chu)信息Product information

產品(pin)名稱：國(guo)產源(yuan)表替(ti)代(dai)進口(kou)美(mei)國(guo)是(shi)德(de)KEYSIGHT B2901A

產品(pin)型(xing)號：

更新(xin)時(shi)間(jian)：2025-06-11

產品(pin)簡介(jie)：

中(zhong)國(guo)制造！國(guo)產源(yuan)表替(ti)代(dai)進口(kou)美(mei)國(guo)是(shi)德(de)KEYSIGHT B2901A，B2911A系列(lie)源(yuan)表，KEITHLEY2400，2450，2460，2600系(xi)列(lie)源(yuan)表

產(chan)品(pin)特(te)性Product characteristics

專業(ye)儀器(qi)設備(bei)與測(ce)試(shi)方(fang)案(an)供應(ying)商——上海堅融(rong)實業(ye)有限公司(si)JETYOO INDUSTRIAL & 堅友(you)（上海）測(ce)量(liang)儀器(qi)有限公司(si)JETYOO INSTRUMENTS，為原安捷倫Agilent【現(xian)是(shi)德(de)KEYSIGHT】品(pin)牌技術(shu)經(jing)理(li)-堅JET與(yu)吉(ji)時(shi)利KEITHLEY【現泰(tai)克(ke)Tektronix】品(pin)牌產(chan)品(pin)經(jing)理(li)-融YOO共同創辦，專註(zhu)工業(ye)測(ce)試(shi)領(ling)域十六年(nian)，致力(li)於為祖(zu)國(guo)用戶(hu)提(ti)供儀器(qi)設備(bei)、測(ce)試(shi)方(fang)案(an)、技術(shu)培訓(xun)、維(wei)修計量全面(mian)服務(wu)的儀器(qi)設備(bei)綜合(he)服務(wu)商。

中(zhong)國(guo)制造！國(guo)產源(yuan)表替(ti)代(dai)進口(kou)美(mei)國(guo)是(shi)德(de)KEYSIGHT B2901A，B2911A系列(lie)源(yuan)表，KEITHLEY2400，2450，2460，2600系(xi)列(lie)源(yuan)表應(ying)用領(ling)域

各種器件的I-V功(gong)能(neng)測(ce)試(shi)和特(te)征(zheng)分析(xi)，包括(kuo)：

離(li)散(san)和無(wu)源(yuan)元(yuan)件

–兩抽(chou)頭器件——傳(chuan)感器(qi)、磁(ci)盤驅動器頭、金(jin)屬(shu)氧(yang)化物可(ke)變(bian)電(dian)阻(zu)（MOV）、二極(ji)管(guan)、齊納(na)二極(ji)管(guan)、電容、熱(re)敏(min)電阻

–三(san)抽頭器件——小信號雙極(ji)結型(xing)晶體(ti)管(guan)（BJT）、場(chang)效(xiao)應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)（FET）等(deng)等(deng)

簡(jian)單(dan)IC器件——光(guang)學器(qi)件、驅動器、開(kai)關、傳(chuan)感器(qi)

集成(cheng)器件——小規(gui)模(mo)集成(cheng)（SSI）和大(da)規模(mo)集成(cheng)（LSI）

–模(mo)擬(ni)IC

–射頻集(ji)成(cheng)電路(lu)（RFIC）

–專用集(ji)成(cheng)電路(lu)（ASIC）

–片上系統（SoC）器(qi)件

光(guang)電器(qi)件，例如發(fa)光(guang)二極(ji)管(guan)（LED）、激光(guang)二極(ji)管(guan)、高亮(liang)度(du)LED（HBLED）、垂直(zhi)腔面(mian)發(fa)射(she)激(ji)光(guang)器（VCSEL）、顯(xian)示器

圓片級(ji)可靠性(xing)

- NBTI、TDDB、HCI、電遷移(yi)

太陽能(neng)電(dian)池

電(dian)池(chi)

暫態抑制器件

IC、RFIC、MMIC

激(ji)光(guang)二極(ji)管(guan)、激光(guang)二極(ji)管(guan)模(mo)塊、LED、光(guang)電檢測(ce)器(qi)

電路保(bao)護器(qi)件:

TVS、MOV、熔(rong)絲(si)

安全(quan)氣囊

連接器、開(kai)關、繼電(dian)器(qi)

碳(tan)納(na)米管(guan)

半(ban)導(dao)體納(na)米線(xian)

碳(tan)納(na)米管(guan) FET

納(na)米傳(chuan)感器(qi)和陣(zhen)列(lie)

單(dan)電子(zi)晶體(ti)管(guan)

分(fen)子(zi)電子

有(you)機(ji)電(dian)子(zi)

基本(ben)運(yun)放電(dian)路(lu)

二極(ji)管(guan)和電(dian)路

晶體(ti)管(guan)電路

測(ce)試(shi)：

漏流

低(di)壓、電阻(zu)

LIV

IDDQ

I-V特(te)征(zheng)分析(xi)

隔離(li)與(yu)軌(gui)跡(ji)電(dian)阻

溫(wen)度(du)系(xi)數(shu)

正(zheng)向電壓、反(fan)向擊穿(chuan)、漏電(dian)流(liu)

直(zhi)流(liu)參數(shu)測(ce)試(shi)

直(zhi)流(liu)電(dian)源(yuan)

HIPOT

介質耐(nai)受(shou)性(xing)

雙極(ji)結型(xing)晶體(ti)管(guan)設計

結型(xing)場(chang)效(xiao)應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)設計

金(jin)屬(shu)氧(yang)化物半(ban)導體場(chang)效(xiao)應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)設計

太陽能(neng)電(dian)池和 LED 設(she)計

高電(dian)子(zi)遷移(yi)率(lv)晶(jing)體(ti)管(guan)設計

復(fu)合半(ban)導體(ti)器件設計

分(fen)析(xi)納(na)米材(cai)料(liao)和實驗(yan)器(qi)件

碳(tan)納(na)米管(guan)的電測(ce)量(liang)標(biao)準

測(ce)量(liang)碳(tan)納(na)米管(guan)電氣特(te)性

提(ti)高納(na)米電(dian)子(zi)和分(fen)子電子器件的低(di)電(dian)流(liu)測(ce)量(liang)

在低功率(lv)和低(di)壓應(ying)用中(zhong)實現(xian)準確、可(ke)靠(kao)的電(dian)阻(zu)測(ce)量(liang)

納(na)米級(ji)器件和材(cai)料的電氣測(ce)量(liang)

提(ti)高超(chao)高電(dian)阻(zu)和電(dian)阻率(lv)測(ce)量(liang)的(de)可重復(fu)性

壹(yi)種微分(fen)電導的改(gai)進測(ce)量(liang)方(fang)法(fa)

納(na)米技術(shu)準確電(dian)氣測(ce)量(liang)的(de)技術(shu)

納(na)米級(ji)材料的(de)電(dian)氣測(ce)量(liang)

降低(di)外部(bu)誤(wu)差源(yuan)影(ying)響的儀器(qi)技術(shu)

迎接65nm節點(dian)的測(ce)量(liang)挑(tiao)戰

測(ce)量(liang)半(ban)導體材料的(de)高電(dian)阻(zu)率(lv)和霍(huo)爾(er)電壓

用微(wei)微(wei)微安量(liang)程(cheng)測(ce)量(liang)電(dian)流

柵極(ji)電(dian)介質電(dian)容(rong)電壓特(te)性分(fen)析(xi)

評(ping)估(gu)氧化層的(de)可(ke)靠(kao)性

新(xin)的(de)半導體器(qi)件結構設(she)計和試(shi)驗低電阻、低(di)功耗(hao)半(ban)導體(ti)器(qi)

輸出極(ji)低(di)電流和測(ce)量(liang)極(ji)低(di)電壓分析(xi)現代(dai)材(cai)料、半導(dao)體和納(na)米電(dian)子(zi)元(yuan)件的電(dian)阻(zu)

低阻(zu)測(ce)量(liang)(低(di)至(zhi)10nΩ)分析(xi)導通電阻參數(shu)、互(hu)連(lian)和低(di)功率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)。

用於*進CMOS技術(shu)的(de)脈(mai)沖(chong)可靠性測(ce)試(shi)

高K柵極(ji)電(dian)介質電(dian)荷(he)俘獲(huo)行(xing)為的(de)脈(mai)沖(chong)特(te)性分(fen)析(xi)

用6線(xian)歐姆測(ce)量(liang)技術(shu)進行(xing)更高準確度(du)的(de)電阻(zu)測(ce)量(liang)

配(pei)置分立電阻器(qi)驗(yan)證測(ce)試(shi)系(xi)統

電信激光(guang)二極(ji)管(guan)模(mo)塊的高吞吐率(lv)直(zhi)流(liu)生(sheng)產(chan)測(ce)試(shi)

多(duo)臺(tai)數(shu)字(zi)源(yuan)表的(de)觸(chu)發器(qi)同步

高亮(liang)度(du)、可見(jian)光(guang)LED的生(sheng)產測(ce)試(shi)

OLED顯示器的(de)直(zhi)流(liu)生(sheng)產(chan)測(ce)試(shi)

在運(yun)行(xing)中(zhong)第(di)5次(ci)測(ce)量(liang)用於偏(pian)置溫度不(bu)穩定(ding)特(te)性分(fen)析(xi)

數(shu)字(zi)源(yuan)表的(de)緩沖器以及如何(he)用這兩個緩沖器獲取(qu)多(duo)達5000點(dian)數(shu)據(ju)

連接器的(de)生產測(ce)試(shi)方(fang)案(an)

射(she)頻功(gong)率(lv)晶(jing)體(ti)管(guan)的直(zhi)流(liu)電(dian)氣特(te)性分(fen)析(xi)

VCSEL測(ce)試(shi)、光(guang)伏電池的I-V特(te)性、IDDQ測(ce)試(shi)和待(dai)機(ji)電(dian)流(liu)測(ce)試(shi)、產(chan)生電流 (或電(dian)壓) 脈(mai)沖(chong)、提(ti)升多(duo)引腳(jiao)器(qi)件的生(sheng)產(chan)量(liang)、創(chuang)建可(ke)擴(kuo)縮(suo)、多(duo)引腳(jiao)、多(duo)功能(neng)IC測(ce)試(shi)系(xi)統、激光(guang)二極(ji)管(guan)模(mo)塊和VCSEL進行(xing)高吞吐率(lv)直(zhi)流(liu)、二極(ji)管(guan)生產測(ce)試(shi)、高亮(liang)度(du)、可見(jian)光(guang)LED、驗證變(bian)阻(zu)器(qi)、電(dian)池(chi)放電(dian)/充電(dian)周期、配(pei)置電阻網絡、大(da)電流變(bian)阻(zu)器(qi)、熱(re)敏(min)電阻的生(sheng)產測(ce)試(shi)

規格(ge)參數(shu)

電(dian)壓 源(yuan) 測(ce)量(liang)

量程 分辨(bian)率(lv) 準確度(du)±(% rdg.+volts) 分(fen)辨(bian)率(lv) 準確度(du)±(% rdg.+volts)

300mV 30uV 0.1%±300uV 30uV 0.1%±300uV

3V 300uV 0.1%±500uV 300uV 0.1%±500uV

30V 3mV 0.1%±3mV 3mV 0.1%±3mV

300V 30mV 0.1%±30mV 30mV 0.1%±30mV

電流(liu) 源(yuan) 測(ce)量(liang)

量程 分辨(bian)率(lv) 準確度(du)±(% rdg.+A) 分(fen)辨(bian)率(lv) 準確度(du)±(% rdg.+A)

100nA 10pA 0.1%±0.5nA 10pA 0.1%±0.5nA

1uA 100pA 0.1%±3nA 100pA 0.1%±3nA

10uA 1nA 0.1%±5nA 1nA 0.1%±5nA

100uA 10nA 0.1%±50nA 10nA 0.1%±50nA

1mA 100nA 0.1%±300nA 100nA 0.1%±300nA

10mA 1uA 0.1%±5uA 1uA 0.1%±5uA

100mA 10uA 0.1%±20uA 10uA 0.1%±20uA

1A 100uA 0.1%±2mA 100uA 0.1%±2mA

備(bei)註：

大(da)輸出功率(lv)：30W，4象(xiang)限源(yuan)或(huo)肼模(mo)式；

源(yuan)限度(du)：電壓源(yuan)：±30V（≤1A量(liang)程(cheng)），±300V（≤100mA量(liang)程(cheng)）；

電流(liu)源(yuan)：±1.05A（≤30V量(liang)程(cheng)），±105mA（≤300V量(liang)程(cheng)）；

過量(liang)程：105%量程，源(yuan)和測(ce)量(liang)；

穩定負載電容：<22nF；

寬帶噪(zao)聲(sheng)(20MHz)：2mV RMS（典型(xing)值(zhi)），<20mV Vp-p（典型(xing)值(zhi)）；

線纜(lan)保(bao)護電(dian)壓：輸出阻抗1KΩ，輸出電壓偏(pian)移(yi)<80uV；

大(da)采樣速(su)率(lv)：1000S/s；

觸(chu)發(fa)：支(zhi)持IO觸(chu)發輸入(ru)及輸出，觸發極(ji)性(xing)可配(pei)置 。

選(xuan)型(xing)指(zhi)南

型(xing)號 JY-S100 JY-S200 JY-S300

源(yuan)精度(du) 0.1% 0.1% 0.1%

測(ce)量(liang)精度(du) 0.1% 0.1% 0.1%

大功率(lv) 30W 30W 30W

小電(dian)壓量程(cheng) 300mV 300mV 300mV

大電壓量程(cheng) 30V 100V 300V

小電(dian)流量程(cheng) 100nA 100nA 100nA

大(da)電(dian)流量(liang)程 1A 1A 1A

研發(fa)創新(xin)，替(ti)代(dai)進口(kou)

S系列(lie)源(yuan)表是(shi)我公司(si)歷時(shi)多(duo)年持續(xu)投(tou)資、持續(xu)攻堅打(da)造(zao)的高精度(du)、大(da)動態、數(shu)字(zi)觸(chu)摸(mo)源(yuan)表，中(zhong)國(guo)制造！國(guo)產源(yuan)表替(ti)代(dai)進口(kou)美(mei)國(guo)是(shi)德(de)KEYSIGHT B2901A，B2911A系列(lie)源(yuan)表，KEITHLEY2400，2450，2460，2600系(xi)列(lie)源(yuan)表，作(zuo)為(wei)國(guo)產源(yuan)表在(zai)業(ye)界(jie)*推(tui)出。

把(ba)簡單(dan)帶給(gei)用戶(hu)

源(yuan)表 = 高精度(du)雙(shuang)極(ji)性(xing)可編程電(dian)源(yuan) + 高精度(du)雙(shuang)極(ji)性(xing)可編程電(dian)子(zi)負(fu)載 + 數(shu)字(zi)萬(wan)用表，可(ke)以(yi)簡化(hua)復(fu)雜(za)的 IV 測(ce)量(liang)任(ren)務(wu)，用於創建快(kuai)速(su)、功能(neng)強大(da)的(de)電(dian)子器件測(ce)試(shi)和測(ce)量(liang)系(xi)統。

傳(chuan)統的(de)萬(wan)用表-電(dian)源(yuan)組(zu)合方(fang)式需(xu)要編程實現(xian)設(she)備(bei)控制及同步，這種組(zu)合的(de)開(kai)發建立和維(wei)護都(dou)需(xu)要(yao)時(shi)間(jian)，而且購買整體成(cheng)本(ben)高。源(yuan)表不(bu)需要(yao)這種多(duo)臺(tai)儀器(qi)相(xiang)關復(fu)雜(za)同步連接問題(ti)，簡化(hua)了測(ce)試(shi)本(ben)身(shen)，提(ti)升了測(ce)試(shi)效(xiao)率(lv)。而且源(yuan)及測(ce)量(liang)的(de)準確度(du)為(wei)0.1%，分辨(bian)率(lv)5數(shu)位(wei)，測(ce)量(liang)結果比(bi)傳(chuan)統方(fang)式(shi)更精確(que)。

源(yuan)表同時(shi)精確(que)提(ti)供和測(ce)量(liang)電(dian)壓和/或(huo)電流，減少了測(ce)試(shi)時(shi)間(jian)。如果被(bei)測(ce)設(she)備(bei)實際電壓值(zhi)或(huo)者電流(liu)值(zhi)達到了用戶(hu)設(she)置的限制值(zhi)，那(na)麽電壓或者電流(liu)會被(bei)精確(que)的(de)限制住(zhu)，避免(mian)了對(dui)被(bei)測(ce)設(she)備(bei)造成(cheng)損壞(huai)。

S系(xi)列源(yuan)表讓復(fu)雜(za)測(ce)量(liang)變(bian)得簡(jian)單(dan)

在進行(xing) IV 測(ce)量(liang)時(shi)，如果使(shi)用常規(gui)儀器(qi)比(bi)如電(dian)壓/電流(liu)源(yuan)、開(kai)關和萬(wan)用表，那(na)麽(me)測(ce)量(liang)過(guo)程將會非常復(fu)雜(za)和耗(hao)時(shi)。用戶(hu)必(bi)須(xu)精通測(ce)量(liang)方(fang)法(fa)和儀器(qi)方面(mian)的(de)技術(shu)知(zhi)識，才(cai)能(neng)實現(xian)精準的測(ce)量(liang)。

S系列源(yuan)表支(zhi)持四(si)象限工作(zuo)，既(ji)能(neng)擔(dan)當精密(mi)性電(dian)壓/電流(liu)源(yuan)（源(yuan)模(mo)式），又能(neng)充當(dang)電(dian)氣負載被(bei)動吸收(shou)流入(ru)的電(dian)流(liu)（肼模(mo)式），而且支(zhi)持豐(feng)富(fu)的(de)掃(sao)描模(mo)式（線性掃(sao)描、指(zhi)數(shu)掃(sao)描及用戶(hu)自(zi)定義(yi)掃(sao)描），能(neng)夠(gou)執行(xing)從(cong)直(zhi)流(liu)到(dao)低(di)頻交(jiao)流的(de)各種(zhong)測(ce)量(liang)，而無(wu)需更(geng)改(gai)連接或使(shi)用其(qi)他(ta)設備(bei)。

S系(xi)列(lie)源(yuan)表讓復(fu)雜(za)測(ce)量(liang)變(bian)得高效(xiao)

源(yuan)表的(de)輸出電壓（±300V）、電流(liu)範圍(wei)遠(yuan)大於常規(gui)電源(yuan)，測(ce)試(shi)不(bu)同功率(lv)大(da)小的(de)待測(ce)器(qi)件（DUT）基本(ben)不(bu)用更(geng)換(huan)設備(bei)，其(qi)次(ci)源(yuan)表在(zai)小電(dian)流測(ce)試(shi)時(shi)也具(ju)有很(hen)高的(de)精度(du)，暗電流測(ce)試(shi)準確，而高精度(du)的(de)電流測(ce)試(shi)萬(wan)用表價(jia)格(ge)也是(shi)比(bi)較高的(de)，再次(ci)多(duo)臺(tai)源(yuan)表間(jian)可以互(hu)聯觸發(fa)，支(zhi)持自(zi)動序列(lie)測(ce)試(shi)，測(ce)試(shi)速(su)度快(kuai)。

S系列源(yuan)表內(nei)置有掃(sao)描功(gong)能(neng)，支(zhi)持豐(feng)富(fu)的(de)掃(sao)描模(mo)式，用戶(hu)從(cong)儀器(qi)前面(mian)板(ban)上便可快(kuai)速(su)進行(xing)掃(sao)描測(ce)量(liang)並(bing)顯示掃(sao)描結果。綜(zong)合(he)的掃(sao)描測(ce)量(liang)功(gong)能(neng)可(ke)以顯著提(ti)高效(xiao)率(lv)並(bing)縮(suo)短測(ce)量(liang)設(she)置時(shi)間(jian)。

S系(xi)列(lie)源(yuan)表還(hai)內(nei)置強大(da)的(de)功(gong)能(neng)軟件，如LIV、PIV，加(jia)速(su)用戶(hu)完(wan)成(cheng)測(ce)試(shi)。

4 線測(ce)量(liang)功(gong)能(neng)可(ke)實現(xian)精確(que)的(de)低電阻測(ce)量(liang)

當測(ce)量(liang)小電(dian)阻時(shi)，引線自(zi)身(shen)的電(dian)阻(zu)會造成(cheng)嚴(yan)重的(de)測(ce)量(liang)誤(wu)差。為解(jie)決(jue)這壹問(wen)題(ti)，S系列(lie)支(zhi)持 4 線(xian)（也稱為(wei)開(kai)爾文(wen)法(fa)）測(ce)量(liang)功(gong)能(neng)。在(zai) 4 線方案(an)中(zhong)，兩個連(lian)接器輸入(ru)電流(liu)，另(ling)外兩個連(lian)接器測(ce)量(liang)電(dian)壓。在這種配(pei)置下(xia)，迫使(shi)測(ce)試(shi)電(dian)流（I）經(jing)過(guo)壹套測(ce)試(shi)引線流(liu)過被(bei)測(ce)電(dian)阻(zu)（R）；而待(dai)測(ce)器(qi)件（DUT）兩端電(dian)壓則(ze)是(shi)通過稱為檢測(ce)引線的(de)第(di)二套引線來(lai)測(ce)量(liang)的(de)。電壓檢測(ce)端為(wei)高阻(zu)輸入(ru)，檢測(ce)引線中(zhong)電(dian)流壹(yi)般(ban)為(wei)p*，同時(shi)由於導線電(dian)阻(zu)很(hen)小，引線上的壓降可(ke)以忽(hu)略(lve)不(bu)計，因此(ci)采用四(si)線(xian)模(mo)式可以精確(que)的(de)測(ce)量(liang)被(bei)測(ce)器(qi)件上的實際電壓。

創(chuang)新(xin)的(de) GUI 和 5寸(cun)觸(chu)摸顯(xian)示屏(ping)方(fang)便用戶(hu)使(shi)用臺(tai)式儀器(qi)執行(xing)測(ce)試(shi)、調試和表征(zheng)

S系(xi)列(lie)的前面(mian)板(ban)具(ju)有(you)多(duo)種功(gong)能(neng)特(te)性，可(ke)以(yi)快(kuai)速(su)簡便(bian)地進行(xing)交(jiao)互式(shi)操作(zuo)。這些(xie)特(te)性包(bao)括(kuo)5寸(cun)800*480觸(chu)摸顯(xian)示屏(ping)、USB存(cun)儲器I/O 端口(kou)、快(kuai)捷鍵和旋(xuan)鈕。觸(chu)摸(mo)屏(ping)支(zhi)持全(quan)圖形化(hua)操作(zuo)，使(shi)用戶(hu)可(ke)以快(kuai)速(su)進行(xing)測(ce)試(shi)設(she)置和檢查測(ce)試(shi)結果。USB存(cun)儲器端口(kou)使(shi)數(shu)據(ju)存(cun)儲和轉(zhuan)移(yi)變(bian)得十(shi)分(fen)方(fang)便。創新(xin)的(de)圖形用戶(hu)界(jie)面(mian)極(ji)大(da)改(gai)善了使(shi)用臺(tai)式儀器(qi)進行(xing)測(ce)試(shi)、調試和表征(zheng)的易(yi)用性(xing)和效(xiao)率(lv)。