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基(ji)礎(chu)信息(xi)Product information
產(chan)品(pin)名(ming)稱：普賽斯(si)PRECISE S300源表(biao)
產(chan)品(pin)型(xing)號：
更(geng)新時間(jian)：2025-06-11
產(chan)品(pin)簡(jian)介：
堅融實(shi)業——壹家致力於(yu)為(wei)祖國用戶提(ti)供普賽斯(si)PRECISE S300源表(biao)儀器設(she)備(bei)、測試方案、技術培訓、維(wei)修(xiu)計(ji)量全面(mian)服(fu)務(wu)
產(chan)品(pin)特(te)性(xing)Product characteristics
普賽斯(si)PRECISE S300源表(biao)應(ying)用領域
各(ge)種器(qi)件的I-V功(gong)能(neng)測試和特(te)征分析，包括：
離(li)散和無源元(yuan)件
–兩抽頭器(qi)件——傳(chuan)感器(qi)、磁(ci)盤(pan)驅(qu)動器(qi)頭、金(jin)屬氧化(hua)物可(ke)變(bian)電(dian)阻(MOV)、二極管、齊納二極管、電(dian)容(rong)、熱(re)敏電(dian)阻
–三(san)抽頭器(qi)件——小信號雙(shuang)極結型(xing)晶體(ti)管(BJT)、場效應(ying)晶體(ti)管(FET)等(deng)等(deng)
簡單(dan)IC器件(jian)——光學(xue)器(qi)件(jian)、驅動器(qi)、開(kai)關、傳(chuan)感(gan)器
集成(cheng)器件(jian)——小規模(mo)集成(cheng)(SSI)和大(da)規模(mo)集成(cheng)(LSI)
–模(mo)擬(ni)IC
–射頻集成(cheng)電(dian)路(lu)(RFIC)
–專用集成(cheng)電(dian)路(lu)(ASIC)
–片(pian)上系(xi)統(tong)(SoC)器件(jian)
光電(dian)器件，例如發(fa)光二極管(LED)、激光二極管、高亮(liang)度LED(HBLED)、垂直腔面(mian)發(fa)射激(ji)光(guang)器(VCSEL)、顯示(shi)器(qi)
圓(yuan)片(pian)級可靠性(xing)
- NBTI、TDDB、HCI、電(dian)遷移(yi)
太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)
電(dian)池(chi)
暫(zan)態(tai)抑(yi)制(zhi)器件
IC、RFIC、MMIC
激光(guang)二極管、激光二極管模(mo)塊、LED、光(guang)電(dian)檢(jian)測器(qi)
電(dian)路(lu)保(bao)護(hu)器件(jian):
TVS、MOV、熔(rong)絲(si)
安(an)全氣囊(nang)
連接器(qi)、開關、繼(ji)電(dian)器
碳納米(mi)管
半導(dao)體納米(mi)線
碳納米(mi)管 FET
納米(mi)傳(chuan)感(gan)器(qi)和陣列(lie)
單電(dian)子晶體(ti)管
分子電(dian)子
有(you)機電(dian)子
基(ji)本運(yun)放(fang)電(dian)路(lu)
二極管和電(dian)路(lu)
晶體(ti)管電(dian)路(lu)
測試：
漏流
低(di)壓、電(dian)阻
LIV
IDDQ
I-V特(te)征分析
隔離(li)與(yu)軌跡(ji)電(dian)阻
溫度系(xi)數(shu)
正(zheng)向電(dian)壓、反向(xiang)擊穿、漏電(dian)流
直流參(can)數(shu)測試
直流電(dian)源
HIPOT
介質(zhi)耐(nai)受性(xing)
雙(shuang)極結型(xing)晶體(ti)管設(she)計(ji)
結型(xing)場效(xiao)應晶體(ti)管設(she)計(ji)
金屬(shu)氧化(hua)物半導(dao)體場(chang)效應晶體(ti)管設(she)計(ji)
太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)和(he) LED 設(she)計(ji)
高電(dian)子遷移(yi)率(lv)晶體(ti)管設(she)計(ji)
復合(he)半導(dao)體器(qi)件設(she)計(ji)
分析納米(mi)材(cai)料(liao)和(he)實(shi)驗器件
碳(tan)納米(mi)管的電(dian)測量標(biao)準(zhun)
測量碳(tan)納米(mi)管電(dian)氣特(te)性(xing)
提(ti)高納米(mi)電(dian)子和分子電(dian)子器件的低(di)電(dian)流測量
在低(di)功率(lv)和(he)低壓應用中(zhong)實(shi)現準(zhun)確、可靠的電(dian)阻測量
納米(mi)級(ji)器(qi)件(jian)和材(cai)料(liao)的電(dian)氣測量
提(ti)高超高電(dian)阻和(he)電(dian)阻率(lv)測量的可(ke)重(zhong)復(fu)性(xing)
壹種(zhong)微分電(dian)導(dao)的改進(jin)測量方法(fa)
納米(mi)技(ji)術準確電(dian)氣測量的技(ji)術
納米(mi)級(ji)材(cai)料(liao)的電(dian)氣測量
降(jiang)低(di)外(wai)部(bu)誤(wu)差(cha)源(yuan)影(ying)響(xiang)的儀器技(ji)術
迎接65nm節點的測量挑(tiao)戰(zhan)
測量半導(dao)體材(cai)料(liao)的高電(dian)阻率(lv)和(he)霍爾電(dian)壓
用微微(wei)微(wei)安(an)量程測量電(dian)流
柵極電(dian)介質(zhi)電(dian)容(rong)電(dian)壓特性(xing)分析
評估(gu)氧化(hua)層的可(ke)靠(kao)性(xing)
新的半導(dao)體器(qi)件結構設(she)計(ji)和試驗低電(dian)阻、低(di)功耗半導(dao)體器(qi)
輸出(chu)極(ji)低(di)電(dian)流和(he)測量極(ji)低(di)電(dian)壓分析現代(dai)材(cai)料(liao)、半導(dao)體和(he)納米(mi)電(dian)子元件的電(dian)阻
低(di)阻測量(低(di)至10nΩ)分析導(dao)通(tong)電(dian)阻參(can)數(shu)、互(hu)連和低(di)功(gong)率(lv)半導(dao)體。
用於(yu)*進(jin)CMOS技(ji)術的脈沖(chong)可(ke)靠性(xing)測試
高K柵極電(dian)介質(zhi)電(dian)荷(he)俘(fu)獲(huo)行(xing)為的脈沖(chong)特(te)性(xing)分析
用6線歐姆測量技(ji)術進(jin)行(xing)更(geng)高準確(que)度的電(dian)阻測量
配(pei)置(zhi)分立電(dian)阻器(qi)驗證測試系統(tong)
電(dian)信激光二極管模(mo)塊的高吞吐(tu)率(lv)直流生(sheng)產(chan)測試
多臺(tai)數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)的觸(chu)發器(qi)同步
高亮(liang)度、可(ke)見(jian)光LED的生(sheng)產(chan)測試
OLED顯示(shi)器(qi)的直流生(sheng)產(chan)測試
在運(yun)行(xing)中(zhong)第5次(ci)測量用於(yu)偏置(zhi)溫度不(bu)穩定(ding)特(te)性(xing)分析
數(shu)字(zi)源(yuan)表(biao)的緩沖(chong)器(qi)以及(ji)如(ru)何用這(zhe)兩個(ge)緩沖(chong)器(qi)獲(huo)取多(duo)達(da)5000點(dian)數(shu)據(ju)
連(lian)接器(qi)的生(sheng)產(chan)測試方案
射頻功率(lv)晶體(ti)管的直流電(dian)氣特(te)性(xing)分析
VCSEL測試、光伏電(dian)池(chi)的I-V特(te)性(xing)、IDDQ測試和待機電(dian)流測試、產(chan)生(sheng)電(dian)流 (或(huo)電(dian)壓) 脈沖(chong)、提(ti)升多引腳器件的生(sheng)產(chan)量、創(chuang)建(jian)可擴縮(suo)、多(duo)引腳、多功能(neng)IC測試系統(tong)、激光二極管模(mo)塊和(he)VCSEL進(jin)行(xing)高吞吐(tu)率(lv)直流、二極管生(sheng)產(chan)測試、高亮(liang)度、可(ke)見(jian)光LED、驗證變(bian)阻器(qi)、電(dian)池(chi)放(fang)電(dian)/充(chong)電(dian)周(zhou)期、配(pei)置(zhi)電(dian)阻網(wang)絡、大電(dian)流變(bian)阻器(qi)、熱(re)敏電(dian)阻的生(sheng)產(chan)測試
規格參數(shu)
電(dian)壓 源 測量
量程 分辨(bian)率(lv) 準(zhun)確度±(% rdg.+volts) 分辨(bian)率(lv) 準(zhun)確度±(% rdg.+volts)
300mV 30uV 0.1%±300uV 30uV 0.1%±300uV
3V 300uV 0.1%±500uV 300uV 0.1%±500uV
30V 3mV 0.1%±3mV 3mV 0.1%±3mV
300V 30mV 0.1%±30mV 30mV 0.1%±30mV
電(dian)流 源(yuan) 測量
量程 分辨(bian)率(lv) 準(zhun)確度±(% rdg.+A) 分辨(bian)率(lv) 準(zhun)確度±(% rdg.+A)
100nA 10pA 0.1%±0.5nA 10pA 0.1%±0.5nA
1uA 100pA 0.1%±3nA 100pA 0.1%±3nA
10uA 1nA 0.1%±5nA 1nA 0.1%±5nA
100uA 10nA 0.1%±50nA 10nA 0.1%±50nA
1mA 100nA 0.1%±300nA 100nA 0.1%±300nA
10mA 1uA 0.1%±5uA 1uA 0.1%±5uA
100mA 10uA 0.1%±20uA 10uA 0.1%±20uA
1A 100uA 0.1%±2mA 100uA 0.1%±2mA
備(bei)註(zhu)：
大輸出(chu)功(gong)率(lv)：30W，4象(xiang)限源或肼(jing)模(mo)式(shi)；
源(yuan)限(xian)度：電(dian)壓源：±30V(≤1A量程)，±300V(≤100mA量程)；
電(dian)流源(yuan)：±1.05A(≤30V量程)，±105mA(≤300V量程)；
過量程：105%量程，源和(he)測量；
穩(wen)定(ding)負載電(dian)容(rong)：<22nF；
寬帶噪(zao)聲(20MHz)：2mV RMS(典型(xing)值)，<20mV Vp-p(典型(xing)值)；
線纜(lan)保護(hu)電(dian)壓：輸出(chu)阻抗(kang)1KΩ，輸出(chu)電(dian)壓偏移(yi)<80uV；
大(da)采(cai)樣速(su)率(lv)：1000S/s；
觸(chu)發：支(zhi)持IO觸(chu)發輸入(ru)及(ji)輸出(chu)，觸(chu)發極(ji)性(xing)可配(pei)置(zhi) 。
選(xuan)型(xing)指南(nan)
型(xing)號 S100 S200 S300
源(yuan)精(jing)度 0.1% 0.1% 0.1%
測量精(jing)度 0.1% 0.1% 0.1%
大(da)功(gong)率(lv) 30W 30W 30W
小電(dian)壓量程 300mV 300mV 300mV
大電(dian)壓量程 30V 100V 300V
小電(dian)流量程 100nA 100nA 100nA
大電(dian)流量程 1A 1A 1A
研發(fa)創新(xin)，替代(dai)進(jin)口
S系列(lie)源表(biao)是(shi)我(wo)公(gong)司歷時多年(nian)持續(xu)投資、持(chi)續攻堅打造的高精(jing)度、大(da)動態(tai)、數(shu)字(zi)觸(chu)摸源表(biao).普賽斯(si)PRECISE S300源表(biao)，作(zuo)為國產(chan)源(yuan)表(biao)在業界*推出(chu)。
把簡(jian)單(dan)帶給用戶
源(yuan)表(biao) = 高精(jing)度雙(shuang)極性(xing)可編(bian)程電(dian)源 + 高精(jing)度雙(shuang)極性(xing)可編(bian)程電(dian)子負載 + 數(shu)字(zi)萬用表(biao)，可(ke)以(yi)簡(jian)化(hua)復雜的 IV 測量任(ren)務(wu)，用於(yu)創(chuang)建快(kuai)速(su)、功(gong)能(neng)強(qiang)大的電(dian)子器件測試和測量系(xi)統(tong)。
傳統(tong)的萬用表(biao)-電(dian)源組合(he)方式(shi)需(xu)要(yao)編(bian)程實(shi)現設(she)備(bei)控制(zhi)及同(tong)步，這(zhe)種組合(he)的開(kai)發(fa)建(jian)立和(he)維(wei)護(hu)都需(xu)要(yao)時間(jian)，而(er)且(qie)購(gou)買(mai)整(zheng)體成(cheng)本高。源表(biao)不(bu)需要(yao)這(zhe)種多臺(tai)儀器相(xiang)關復(fu)雜同(tong)步連接問(wen)題，簡(jian)化(hua)了(le)測試本身(shen)，提(ti)升了(le)測試效率(lv)。而(er)且源及測量的準(zhun)確(que)度為(wei)0.1%，分辨(bian)率(lv)5數(shu)位，測量結果(guo)比傳(chuan)統方式(shi)更(geng)精(jing)確。
源(yuan)表(biao)同(tong)時精(jing)確提(ti)供和(he)測量電(dian)壓和/或(huo)電(dian)流，減少了(le)測試時間(jian)。如(ru)果(guo)被測設(she)備(bei)實(shi)際電(dian)壓值或(huo)者電(dian)流值(zhi)達(da)到了(le)用戶設(she)置(zhi)的限(xian)制(zhi)值(zhi)，那麽(me)電(dian)壓或者(zhe)電(dian)流會(hui)被精(jing)確的限(xian)制(zhi)住(zhu)，避免(mian)了(le)對(dui)被(bei)測設(she)備(bei)造成(cheng)損壞(huai)。
S系列(lie)源表(biao)讓(rang)復(fu)雜測量變(bian)得簡單(dan)
在進(jin)行(xing) IV 測量時，如果使用常規(gui)儀器比如(ru)電(dian)壓/電(dian)流源(yuan)、開(kai)關和(he)萬用表(biao)，那(na)麽(me)測量過(guo)程將會(hui)非常復(fu)雜和(he)耗(hao)時。用戶必(bi)須精(jing)通(tong)測量方法(fa)和(he)儀器方面(mian)的技(ji)術知識，才(cai)能(neng)實(shi)現精(jing)準的測量。
S系(xi)列(lie)源表(biao)支(zhi)持四(si)象(xiang)限(xian)工作(zuo)，既能(neng)擔當精(jing)密(mi)性(xing)電(dian)壓/電(dian)流源(yuan)(源(yuan)模(mo)式(shi))，又(you)能(neng)充(chong)當(dang)電(dian)氣負載被(bei)動吸(xi)收(shou)流入(ru)的電(dian)流(肼(jing)模(mo)式(shi))，而(er)且(qie)支(zhi)持豐(feng)富(fu)的掃(sao)描模(mo)式(shi)(線性(xing)掃(sao)描、指數(shu)掃(sao)描及用戶自(zi)定(ding)義掃(sao)描)，能(neng)夠(gou)執(zhi)行(xing)從(cong)直流到(dao)低(di)頻交流的各(ge)種測量，而(er)無需更(geng)改連接或(huo)使用其他(ta)設(she)備(bei)。
S系列(lie)源表(biao)讓(rang)復(fu)雜測量變(bian)得高效
源(yuan)表(biao)的輸出(chu)電(dian)壓(±300V)、電(dian)流範(fan)圍(wei)遠大(da)於(yu)常規(gui)電(dian)源，測試不(bu)同功(gong)率(lv)大(da)小的待測器(qi)件(DUT)基(ji)本不(bu)用更(geng)換設(she)備(bei)，其次(ci)源表(biao)在小電(dian)流測試時也具(ju)有(you)很高的精(jing)度，暗(an)電(dian)流測試準確(que)，而高精(jing)度的電(dian)流測試萬用表(biao)價格也是(shi)比較(jiao)高的，再次(ci)多臺(tai)源表(biao)間(jian)可(ke)以(yi)互(hu)聯(lian)觸(chu)發，支(zhi)持自(zi)動序(xu)列(lie)測試，測試速(su)度快(kuai)。
S系列(lie)源表(biao)內(nei)置(zhi)有(you)掃(sao)描功能(neng)，支(zhi)持豐(feng)富(fu)的掃(sao)描模(mo)式(shi)，用戶從(cong)儀器前面(mian)板上便可快(kuai)速(su)進(jin)行(xing)掃(sao)描測量並(bing)顯示(shi)掃(sao)描結果(guo)。綜(zong)合(he)的掃(sao)描測量功(gong)能(neng)可(ke)以(yi)顯著(zhu)提(ti)高效率(lv)並(bing)縮(suo)短(duan)測量設(she)置(zhi)時間(jian)。
S系(xi)列(lie)源表(biao)還內(nei)置(zhi)強(qiang)大的功(gong)能(neng)軟件，如LIV、PIV，加(jia)速(su)用戶完(wan)成(cheng)測試。
4 線測量功(gong)能(neng)可(ke)實(shi)現精(jing)確的低(di)電(dian)阻測量
當(dang)測量小電(dian)阻時，引線自身(shen)的電(dian)阻會(hui)造成(cheng)嚴(yan)重(zhong)的測量誤(wu)差(cha)。為(wei)解(jie)決(jue)這(zhe)壹問(wen)題，S系(xi)列(lie)支(zhi)持 4 線(也稱為開(kai)爾(er)文(wen)法(fa))測量功(gong)能(neng)。在 4 線方案中(zhong)，兩個(ge)連接器(qi)輸入(ru)電(dian)流，另外(wai)兩個(ge)連接器(qi)測量電(dian)壓。在這(zhe)種配(pei)置(zhi)下(xia)，迫(po)使測試電(dian)流(I)經過(guo)壹(yi)套(tao)測試引線流過(guo)被(bei)測電(dian)阻(R)；而(er)待測器(qi)件(DUT)兩端(duan)電(dian)壓則是(shi)通(tong)過(guo)稱(cheng)為(wei)檢(jian)測引線的第(di)二套(tao)引線來(lai)測量的。電(dian)壓檢(jian)測端(duan)為(wei)高阻輸入(ru)，檢(jian)測引線中(zhong)電(dian)流壹(yi)般為p*，同時由(you)於(yu)導(dao)線電(dian)阻很小，引線上的壓降可(ke)以忽略不(bu)計，因(yin)此采用四線模(mo)式(shi)可(ke)以(yi)精(jing)確的測量被(bei)測器(qi)件上的實(shi)際電(dian)壓。
創新(xin)的 GUI 和(he) 5寸(cun)觸(chu)摸顯示(shi)屏(ping)方便用戶使用臺式(shi)儀器執(zhi)行(xing)測試、調試和表(biao)征
S系列(lie)的前面(mian)板具(ju)有(you)多(duo)種功能(neng)特(te)性(xing)，可以(yi)快(kuai)速(su)簡(jian)便地(di)進(jin)行(xing)交互(hu)式(shi)操(cao)作(zuo)。這(zhe)些特性(xing)包括5寸(cun)800*480觸(chu)摸顯示(shi)屏(ping)、USB存(cun)儲(chu)器(qi)I/O 端(duan)口、快(kuai)捷鍵和(he)旋(xuan)鈕(niu)。觸(chu)摸屏(ping)支(zhi)持全圖形化(hua)操(cao)作(zuo)，使用戶可(ke)以快(kuai)速(su)進(jin)行(xing)測試設(she)置(zhi)和檢(jian)查(zha)測試結果(guo)。USB存(cun)儲(chu)器(qi)端(duan)口使數(shu)據(ju)存(cun)儲(chu)和(he)轉移(yi)變(bian)得十分方便。創新(xin)的圖(tu)形(xing)用戶界(jie)面(mian)極(ji)大改善(shan)了(le)使用臺式(shi)儀器進(jin)行(xing)測試、調試和表(biao)征的易(yi)用性(xing)和效(xiao)率(lv)。
上壹(yi)篇(pian):普賽斯(si)PRECISE S100源表(biao)
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