產品(pin)名稱(cheng):碳化矽SiC、氮化鎵GaN、IGBT曲(qu)線參數測試(shi)儀(yi)
產品(pin)型(xing)號(hao):
更(geng)新時(shi)間:2025-06-11
產品(pin)簡(jian)介:
碳化矽SiC、氮化鎵GaN、IGBT曲(qu)線參數測試(shi)儀(yi),適(shi)用於MOSFET、CMOS,IGBT,三極(ji)管,二極(ji)管等(deng)材(cai)料(liao)、工(gong)藝(yi)和半導(dao)體(ti)器件(jian)電(dian)流(liu)-電(dian)壓(ya) (I-V)、電容(rong)-電(dian)壓(ya) (C-V) 特性(xing)測(ce)試(shi)。日(ri)本(ben)巖(yan)崎IWATSU半導(dao)體(ti)特(te)性(xing)曲(qu)線圖(tu)示(shi)儀3KV-15KV,400A-8000A;CS-3300,CS-3200,CS-5400,CS-5300,CS-5200,CS-10800
專(zhuan)業儀器設備與測試(shi)方案(an)供應商(shang)——上海(hai)堅融(rong)實(shi)業有(you)限公司JETYOO INDUSTRIAL & 堅友(you)(上海(hai))測量(liang)儀器有(you)限公司JETYOO INSTRUMENTS,為(wei)原(yuan)安(an)捷(jie)倫Agilent【現(xian)是德(de)KEYSIGHT】品(pin)牌(pai)技(ji)術經(jing)理(li)-堅JET與(yu)吉(ji)時(shi)利KEITHLEY【現(xian)泰(tai)克Tektronix】品(pin)牌(pai)產品(pin)經(jing)理(li)-融(rong)YOO共同創(chuang)辦,專(zhuan)註(zhu)工業測試(shi)領(ling)域(yu)十(shi)六(liu)年,誌(zhi)在(zai)破(po)舊立(li)新(xin)!*進(jin)口(kou)儀器設備大(da)多(duo)數廠家僅(jin)在國(guo)內設銷(xiao)售(shou)點(dian),但技(ji)術支(zhi)持薄(bo)弱(ruo)甚至沒(mei)有(you),而代理經(jing)銷(xiao)商也(ye)只做商務(wu),不做售(shou)前技(ji)術支(zhi)持/測(ce)試(shi)方案(an)和售(shou)後使用培訓/維(wei)修(xiu)校(xiao)準的(de)空(kong)白(bai)。我(wo)們(men)的(de)技(ji)術型(xing)銷(xiao)售(shou)均為(wei)本科以(yi)上學歷,且均有(you)10年以(yi)上測試(shi)行業經(jing)驗,與(yu)客(ke)戶互(hu)惠(hui)互(hu)利合(he)作雙贏(ying),重在協(xie)助(zhu)用戶采(cai)購(gou)與技(ji)術工(gong)程(cheng)師的(de)工(gong)作(zuo),提(ti)供較有(you)競(jing)爭力的(de)供應鏈管理與售(shou)前售(shou)後技術支(zhi)持。堅融(rong)實(shi)業——壹(yi)家致力於為祖(zu)國(guo)用戶提(ti)供儀器設備、測試(shi)方案(an)、技(ji)術培訓、維(wei)修(xiu)計(ji)量(liang)全面(mian)服(fu)務的(de)儀(yi)器設備綜(zong)合(he)服(fu)務商(shang)。
碳(tan)化矽SiC、氮化鎵GaN、IGBT曲(qu)線參數測試(shi)儀(yi),適(shi)用於MOSFET、CMOS,IGBT,三極(ji)管,二極(ji)管等(deng)材(cai)料(liao)、工(gong)藝(yi)和半導(dao)體(ti)器件(jian)電(dian)流(liu)-電(dian)壓(ya) (I-V)、電容(rong)-電(dian)壓(ya) (C-V) 特性(xing)測(ce)試(shi)。
日(ri)本(ben)巖(yan)崎IWATSU半導(dao)體(ti)特(te)性(xing)曲(qu)線圖(tu)示(shi)儀3KV-15KV,400A-8000A;CS-3300,CS-3200,CS-5400,CS-5300,CS-5200,CS-10800適(shi)用於碳化矽SiC、氮化鎵GaN、IGBT、二極(ji)管,晶體(ti)管(guan),場效(xiao)應管(guan) MOS-FET, 可(ke)控矽 SCR,達林頓(dun)陣(zhen)列(lie),光(guang)電(dian)耦(ou)合(he),壓(ya)變電阻(zu) VARISTOR,繼電(dian)器 RELAY 等(deng)半導(dao)體(ti)器件(jian)反(fan)向(xiang) 恢(hui)復(fu)特(te)性(xing),短路(lu)特(te)性(xing),雪(xue)崩測試(shi),結(jie)電(dian)容(rong)/電(dian)阻(zu)測試(shi),漏(lou)電(dian)參數,擊穿參數,增(zeng)益參數,導(dao) 通(tong)參數,混合參數,電流-電壓(ya) (I-V)、電容(rong)-電(dian)壓(ya) (C-V) 特性(xing)測(ce)試(shi)。
日(ri)本(ben)IWATSU Curve Tracer CS-3300圖(tu)示(shi)儀是曲(qu)線圖(tu)示(shi)儀, 可(ke)以(yi)支(zhi)持Z大(da)峰值從(cong)3,000V/400A至15,000V/8,000A. CS系(xi)列不僅(jin)適(shi)用於高電(dian)壓(ya)或(huo)高電(dian)流(liu)功率(lv)器件(jian) (如 IGBT 和功率(lv) MOSFET) 的(de)特(te)性(xing)測(ce)試(shi), 還(hai)可(ke)用於各種(zhong)半導(dao)體(ti)器件(jian) (如晶體(ti)管(guan), 二極(ji)管和 LED) 的(de)特(te)性(xing)測(ce)試(shi), 及電力(li)電子(zi)器件(jian) (如 SiC 和 GaN) 的(de)電(dian)容(rong)測(ce)試(shi) (選件(jian) CS-603A/CS-605A). 測(ce)試(shi)結(jie)果(guo)可(ke)以(yi)存(cun)儲在(zai)內存中, 或(huo)通(tong)過(guo)標(biao)配(pei)的(de)USB 端口和 LAN 接口(kou)被(bei)發送到 PC.
產品(pin)特(te)點(dian)
顯示(shi)屏: 8.4″ 彩色TFT液晶顯示(shi)屏
正(zheng)確測(ce)試(shi)半導(dao)體(ti)如IGBTs, MOSFETs, 晶體(ti)管(guan)和二極(ji)管的(de)Z佳(jia)解(jie)決方案(an)
采(cai)用電(dian)路(lu)圖(tu)模(mo)式(shi)顯示(shi)內部的(de)配(pei)線(xian)狀(zhuang)態(tai) (CONFIGURATION), 更(geng)好地(di)避(bi)免(mian)模(mo)塊測試(shi)時(shi)的(de)誤(wu)操(cao)作(zuo)(附圖(tu))
WAVE模(mo)式(shi): 能確認(ren)實(shi)際(ji)印(yin)加(jia)電(dian)流(liu)和電壓(ya)波(bo)形的(de)監(jian)察模(mo)式(shi) (附圖(tu))
可(ke)以(yi)像(xiang)示(shi)波(bo)器壹樣(yang)通(tong)過(guo)觀(guan)察模(mo)塊上實際印加(jia)電(dian)流(liu)和電壓(ya)的(de)波(bo)形來(lai)確定脈(mai)寬和實際(ji)測(ce)試(shi)點(dian) (Timing)
可(ke)通(tong)關(guan)確認(ren)實(shi)際(ji)波(bo)形, 適(shi)時調整脈(mai)寬和測試(shi)點(dian)
避(bi)免(mian)示(shi)波(bo)器的(de)探(tan)棒(bang)影(ying)響(xiang), 可(ke)確認(ren)實(shi)時(shi)的(de)異(yi)常(chang)信(xin)號(hao)
可(ke)非(fei)常容(rong)易地(di)確認(ren)模(mo)塊發熱等(deng)引(yin)起的(de)振蕩等(deng)熱異(yi)常(chang)情(qing)況
可(ke)實現(xian)SiC和GaN等(deng)器件(jian)的(de)電(dian)容(rong)測(ce)試(shi) (選件(jian)CS-603A/CS-605A)
可(ke)實現(xian)晶圓(yuan)和芯片上的(de)電(dian)容(rong)測(ce)試(shi) (探(tan)針(zhen)臺和選件(jian)CS-603A/CS-605A)
標(biao)配(pei)LAN和USB接口(kou)
日(ri)本(ben)IWATSU Curve Tracer CS-3300圖(tu)示(shi)儀產品(pin)應(ying)用
適(shi)用於高電(dian)壓(ya)或(huo)高電(dian)流(liu)功率(lv)器件(jian) (如IGBT和功率(lv)MOSFET) 及半導(dao)體(ti)器件(jian) (如晶體(ti)管(guan), 二極(ji)管和 LED) 的(de)特(te)性(xing)測(ce)試(shi)
電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器件(jian) (如 SiC和GaN) 的(de)電(dian)容(rong)測(ce)量(liang) (選件(jian)CS-603A/CS-605A)
可(ke)實行晶圓(yuan)和芯片上的(de)電(dian)容(rong)測(ce)試(shi) (探(tan)針(zhen)臺和選件(jian)CS-603A/CS-605A)
靜(jing)態(tai)特(te)性(xing)測(ce)試(shi)包(bao)括(kuo)漏(lou)電(dian)流(liu), 飽和電壓(ya), VF和Vth (附圖(tu))
傳輸(shu)特(te)性(xing) (Vge-Ic/Vge-Vce) 和電路(lu)模(mo)塊的(de)測(ce)試(shi)功能
器件(jian)測(ce)試(shi)
可(ke)以(yi)在(zai)短時間內執(zhi)行多個(ge)器件(jian)的(de)測(ce)試(shi)和記(ji)錄. 操(cao)作(zuo)員只(zhi)需(xu)根據(ju)器件(jian)替換(huan)和連(lian)接(jie)更(geng)改來(lai)輸入(ru)樣(yang)本(ben)名稱(cheng), 以(yi)重復相同的(de)測(ce)試(shi). 在(zai)既(ji)定條件(jian)下(xia)判斷(duan) (通(tong)過(guo)/失(shi)敗(bai)) 將顯示(shi)每個(ge)測試(shi)與(yu)圖(tu)像(xiang)和波(bo)形數據(ju)也(ye)將自(zi)動(dong)存(cun)儲(附圖(tu))
半導(dao)體(ti)溫度特(te)性(xing)測(ce)試(shi)評(ping)估(gu)
CS-810控(kong)制(zhi)加(jia)熱(re)板. 儘(儘)管測(ce)試(shi)需(xu)要(yao)很(hen)長的(de)時(shi)間(jian) (如溫度測(ce)試(shi)), 仍可(ke)自(zi)動(dong)執(zhi)行 (附圖(tu))
痠勞(lao)測(ce)試(shi)
在(zai)痠勞(lao)測(ce)試(shi)中可(ke)以(yi)包(bao)含各種(zhong)各樣(yang)的(de)參數. CS-810 軟(ruan)件(jian)支(zhi)持長(chang)時(shi)間(jian)可(ke)靠性(xing)測(ce)試(shi). 通(tong)過(guo)曲(qu)線圖(tu)示(shi)CS-810監察電壓(ya)和電流(liu), 那(na)些(xie)曲(qu)線的(de)區(qu)別能被記(ji)錄下(xia)來(lai). 痠勞(lao)測(ce)試(shi)可(ke)以(yi)實(shi)現(xian)多種(zhong)參數的(de)自(zi)動(dong)測(ce)量(liang). 偏置會停止(zhi)超越(yue)電(dian)流(liu)或(huo)電(dian)壓(ya)的(de)限(xian)制(zhi)值並以(yi)此(ci)設定為(wei)下(xia)限和上限的(de)極(ji)限值. CS-810 軟(ruan)件(jian)測(ce)量(liang) Ic 或(huo) Vce (區(qu)間(jian): 10s 至 2h) 和保(bao)持(chi)壹定的(de)電(dian)壓(ya)或(huo)電(dian)流(liu) (10s 至 1,000h) (附圖(tu))
與(yu)探(tan)針(zhen)臺共用時(shi), 可(ke)實現(xian)晶圓(yuan)測(ce)試(shi) (附圖(tu))
碳(tan)化矽SiC、氮化鎵GaN、IGBT曲(qu)線參數測試(shi)儀(yi)產品(pin)功能
電(dian)子(zi)電(dian)力(li)元件(jian)或(huo)器件(jian)測(ce)試(shi)波(bo)形特性(xing)的(de)功能顯示(shi) (附圖(tu))
配(pei)備選件(jian) CS-603A (3kV) 或(huo) CS-605A (5kV), 可(ke)實現(xian)電子(zi)電力器件(jian)如SiC和GaN等(deng)的(de)電(dian)容(rong)測(ce)試(shi)
在(zai)3kV (CS-603A)/5 kV (CS-605A) 作(zuo)自(zi)動(dong)與(yu)掃(sao)描(miao)電容(rong)測(ce)試(shi)
曲(qu)線圖(tu)示(shi)儀的(de)測(ce)試(shi)適(shi)配器可(ke)用於各種(zhong)器件(jian)封(feng)裝(zhuang)類型
測(ce)試(shi)參數包括:
Cies, Ciss (輸(shu)入(ru)電(dian)容(rong))
Coss (輸(shu)出電容(rong))
Cres, Crss (反(fan)向(xiang)傳輸(shu)電(dian)容(rong))
Ct (端子間的(de)電(dian)容(rong))
Cgs, Cge/Cgd, Ccg/Cds, Cce (已計(ji)算(suan))
Rg (柵(zha)極(ji)電阻(zu))
可(ke)實行晶圓(yuan)和芯片上的(de)電(dian)容(rong)測(ce)試(shi) (探(tan)針(zhen)臺和選件(jian)CS-603A/CS-605A)
具(ju)有(you)外(wai)部聯(lian)鎖功能的(de)恒(heng)溫箱(xiang)高低(di)溫試(shi)驗
與(yu)電(dian)腦(nao)全(quan)自(zi)動(dong)化結(jie)合(he)
CS-810半導(dao)體(ti)參數測試(shi)軟(ruan)件(jian) (選件(jian))
通(tong)過(guo)對(dui)主(zhu)機(ji)的(de)遠(yuan)程(cheng)控(kong)制(zhi), 可(ke)實現(xian)各種(zhong)自(zi)動(dong)測(ce)試(shi)的(de)軟(ruan)件(jian). 傳統(tong)上通(tong)過(guo)曲(qu)線圖(tu)示(shi)儀難以(yi)進(jin)行的(de)疲(pi)勞(lao)測(ce)試(shi). 加(jia)熱(re)實(shi)驗或(huo)同時(shi)控制(zhi)恒(heng)溫箱(xiang)進(jin)行多溫度點(dian)實驗都(dou)可(ke)使用本(ben)軟(ruan)件(jian)來(lai)實現(xian) (附圖(tu))
USB 存(cun)儲器
圖(tu)像(xiang): 數據(ju)和設置條件(jian)
格(ge)式(shi): TIFF, BMP, PNG保(bao)存(cun)格式(shi) (背(bei)景(jing)可(ke)選擇(ze)為(wei)黑(hei)色(se)或(huo)白(bai)色(se), 彩色或(huo)單(dan)色(se))
波(bo)形數據(ju): 文本(ben)文件(jian)和二進制(zhi)文件(jian)
遠(yuan)程(cheng)控(kong)制(zhi)工具(ju)
如因保(bao)密(mi)需(xu)要(yao)而冇法使(shi)用USB存(cun)儲器時, 可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)安(an)裝(zhuang)在(zai)PC的(de)遠(yuan)程(cheng)控(kong)制(zhi)工具(ju)進行數據(ju)存(cun)取
以(yi)太(tai)網
標(biao)準(準)配(pei)置 (主機(ji)背(bei)面(mian))
測(ce)試(shi)點(dian)數可(ke)調整.可(ke)根據(ju)需(xu)要(yao)的(de)掃(sao)描(miao)速度(du)及分(fen)辨(bian)率(lv)來(lai)設置. 根據(ju)不同用途可(ke)改變(bian)掃(sao)描(miao)方向(xiang). 同時(shi)具有(you)客(ke)戶功能, 可(ke)以(yi)僅(jin)對(dui)某(mou)壹(yi)段(duan)進行掃(sao)描(miao), 特別是(shi)在(zai)自(zi)動(dong)測(ce)試(shi)時(shi)可(ke)以(yi)實(shi)現(xian)高速(su)且高分(fen)辨(bian)率(lv)的(de)測(ce)試(shi)(附圖(tu))
用戶友(you)好(hao)的(de)測(ce)量(liang)屏幕(mu)

圖(tu)形配置屏幕(mu) 晶體(ti)管(guan)V-I特(te)性(xing)示(shi)例(跟(gen)蹤(zong)模(mo)式(shi))

圖(tu)形配置選擇(ze) 晶體(ti)管(guan)I-V特(te)性(xing)示(shi)例(Trace模(mo)式(shi))

大(da)電(dian)流脈(mai)沖模(mo)式(shi)(波(bo)模(mo)式(shi))下的(de)Vbe和Ic波(bo)形
高電(dian)流(liu)脈(mai)沖模(mo)式(shi)(波(bo)模(mo)式(shi))下的(de)Vbe和Ic波(bo)形
IWATSU半導(dao)體(ti)特(te)性(xing)曲(qu)線圖(tu)示(shi)儀CS-3100,CS-3200,CS-3300規格參數指標
項目 | CS-3100 | CS-3200 | CS-3300 | ||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||
模(mo)式(shi) | 高電(dian)壓(ya) | AC、±全(quan)波(bo)整流(liu)、± DC、±LEAKAGE | |||||||||||||||||||||
大(da)電(dian)流 | - | 脈(mai)沖 | |||||||||||||||||||||
zui大(da)峰值功率(lv) | 120 mW、1.2 W、12 W、120 W、390 W *可(ke)以(yi)選擇(ze)390 W(不含(han)3000 V範(fan)圍下的(de)zui大(da)峰值電壓(ya)設置)。 | ||||||||||||||||||||||
- | 大(da)電(dian)流模(mo)式(shi)(400 W、4 kW) | 大(da)電(dian)流模(mo)式(shi)(400 W、4 kW、10 kW) | |||||||||||||||||||||
高電(dian)壓(ya)模(mo)式(shi) |
| ||||||||||||||||||||||
環路(lu)校(xiao)正 | 測(ce)試(shi)臺的(de)集(ji)電(dian)極(ji)引腳與(yu)接地(di)之間(jian)的(de)雜(za)散電(dian)容(rong)由(you)高電(dian)壓(ya)模(mo)式(shi)下的(de)硬(ying)件(jian)提(ti)供補償(chang),還可(ke)提(ti)供數字補償。 | ||||||||||||||||||||||
大(da)電(dian)流模(mo)式(shi)(脈(mai)沖) | - |
|
| ||||||||||||||||||||
脈(mai)沖寬度/測量(liang)點(dian) | - | 脈(mai)沖寬度可(ke)在50 - 400 μs範(fan)圍內變化。 可(ke)以(yi)測(ce)量(liang)點(dian)(分(fen)辨(bian)率(lv)為(wei)10 μs/步(bu)進)。 | |||||||||||||||||||||
數據(ju)點(dian)上限 | 每次(ci)跟(gen)蹤(zong)可(ke)以(yi)20 - 1000個(ge)點(dian)。 | ||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||
電(dian)流(liu)模(mo)式(shi) | 幅(fu)度範(fan)圍:50 nA - 200 mA,共21個(ge)範(fan)圍,步(bu)進為(wei)1-2-5 zui大(da)電(dian)流:±2A/偏移:步(bu)進幅(fu)度設置的(de)±10倍(bei) | ||||||||||||||||||||||
電(dian)壓(ya)模(mo)式(shi) | 幅(fu)度範(fan)圍:50 mV - 2 V,共6個(ge)範(fan)圍,步(bu)進為(wei)1-2-5 zui大(da)電(dian)壓(ya):±40V/偏移:步(bu)進幅(fu)度設置的(de)±10倍(bei) | ||||||||||||||||||||||
步(bu)進率(lv) | 梯(ti)形波(bo):50 Hz或(huo)60 Hz的(de)2倍(bei) (AC模(mo)式(shi)下為(wei)50 Hz或(huo)60 Hz) | 梯(ti)形波(bo):50 Hz或(huo)60 Hz的(de)2倍(bei)(AC模(mo)式(shi)下為(wei)50 Hz或(huo)60 Hz) 脈(mai)沖:脈(mai)沖變(bian)化範(fan)圍為80ms - 1000 ms。 (zui低(di)頻(pin)率(lv)受zui大(da)峰值功耗(hao)設置限制(zhi)。) | |||||||||||||||||||||
脈(mai)沖步(bu)進 | 脈(mai)沖寬度可(ke)在50μs - 400 μs範(fan)圍內變化(分(fen)辨(bian)率(lv)為(wei)10μs)。 | ||||||||||||||||||||||
步(bu)進數 | 0 - 20步(bu) | ||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||
範(fan)圍 | 關(guan)閉(bi),-40V - +40 V,按(an)100mV分(fen)辨(bian)率(lv)變(bian)化 | ||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||
集(ji)電(dian)極(ji)電流(liu) | 範(fan)圍 | 高電(dian)壓(ya)模(mo)式(shi):1 μA/div - 2 A/div,共20個(ge)範(fan)圍,步(bu)進為(wei)1-2-5。 | |||||||||||||||||||||
- | 高電(dian)流(liu)模(mo)式(shi):100 mA/div - 50 A/div,共9個(ge)範(fan)圍,步(bu)進為(wei)1-2-5。 | 高電(dian)流(liu)模(mo)式(shi):100 mA/div - 100 A/div,共10個(ge)範(fan)圍,步(bu)進為(wei)1-2-5。 | |||||||||||||||||||||
精(jing)度 | 2%讀數 + 0.05 × VERT/div設置值或(huo)更(geng)低(di)(下面(mian)的(de)內部環路(lu)校(xiao)正錯(cuo)誤(wu)必須(xu)加(jia)至左(zuo)邊的(de)公式(shi)中。) 3 kV範(fan)圍:6 μA、300 V 範(fan)圍:1 μA, 30 V 範(fan)圍:0.5 μA(僅(jin)針(zhen)對(dui)各(ge)電(dian)壓(ya)範(fan)圍面積(ji)的(de)10%或(huo)以(yi)上。) | ||||||||||||||||||||||
發(fa)射(she)極(ji)電流(liu)(泄漏(lou)) | 範(fan)圍 | 1 nA/div - 2 mA/div,共(gong)20個(ge)範(fan)圍,步(bu)進為(wei)1-2-5 | |||||||||||||||||||||
精(jing)度 | 2%讀數+ 0.05 × VERT/div設置值 + 1 nA 或(huo)更(geng)低(di) | ||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||
集(ji)電(dian)極(ji)電壓(ya) | 範(fan)圍 | 高電(dian)壓(ya)模(mo)式(shi):50 mV/div - 500 V/div,共13個(ge)範(fan)圍,步(bu)進為(wei)1-2-5 | |||||||||||||||||||||
- | 高電(dian)流(liu)模(mo)式(shi):50 mV/div - 5 V/div,共7個(ge)範(fan)圍,切(qie)換(huan)步(bu)進為(wei)1-2-5 | ||||||||||||||||||||||
精(jing)度 | 2%讀數 + 0.05 × HORIZ/div 設置值或(huo)更(geng)高 | ||||||||||||||||||||||
基(ji)極(ji)/發射(she)極(ji)電壓(ya) | 範(fan)圍 | 50 mV/div - 5 V/div,共(gong)7個(ge)範(fan)圍,步(bu)進為(wei)1-2-5 | |||||||||||||||||||||
精(jing)度 | 2%讀數 + 0.05 × HORIZ/div 設置值或(huo)更(geng)高 | ||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||
監(jian)視器 | 8.4英寸彩色TFT液晶屏(SVGA 800 x 600像(xiang)素) | ||||||||||||||||||||||
數據(ju)保(bao)存(cun)/讀取 | 內置:存儲器(設置:256,REF波(bo)形: 4) 外(wai)置:移動存(cun)儲器(連(lian)接(jie)至USB端口) (設置、波(bo)形保(bao)存(cun)/再調(tiao)用、屏幕(mu)硬(ying)拷(kao)貝(bei)) | ||||||||||||||||||||||
USB | 1個(ge)端口(USB1.1) | ||||||||||||||||||||||
遠(yuan)程(cheng)控(kong)制(zhi) | 通(tong)過(guo)局(ju)域(yu)網進行遠程(cheng)控(kong)制(zhi):1個(ge)端口(100BASE-TX) | ||||||||||||||||||||||
電(dian)源(yuan)/功耗(hao) | 電(dian)源(yuan)輸(shu)入(ru)範(fan)圍:100 - 240 V AC, 50/60 Hz 功耗(hao):500 VA | ||||||||||||||||||||||
配(pei)件(jian) | CS-301(S型(xing)測(ce)試(shi)臺)、 CS-500(測(ce)試(shi)適(shi)配器)、 操(cao)作(zuo)手(shou)冊、 電(dian)源(yuan)線(xian) | CS-302(M型(xing)測(ce)試(shi)臺)、 CS-500(測(ce)試(shi)適(shi)配器)、 線(xian)束(shu)、 操(cao)作(zuo)手(shou)冊、 電(dian)源(yuan)線(xian) | |||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||
尺(chi)寸(mm) | 424 (長(chang)) x 555.2 (寬) x 221 (H)(不含(han)外(wai)部凸出部分(fen)) | 424 (長(chang)) x 555.2 (寬) x 354.5 (H) (不含(han)外(wai)部凸出部分(fen)) | |||||||||||||||||||||
重量(liang) | 約(yue)30 kg(不含(han)選配(pei)件(jian)) | 約(yue)45 kg(不含(han)選配(pei)件(jian)) | |||||||||||||||||||||
環境條件(jian) | 工(gong)作(zuo)溫度:0 - +40 °C、 保(bao)證性(xing)能溫度:+10 - +35 ℃ | ||||||||||||||||||||||
CS-3100,CS-3200,CS-3300功能
觀(guan)察I-V曲(qu)線以(yi)及電壓(ya)和電流(liu)的(de)應(ying)用波(bo)形
電(dian)流(liu)和電壓(ya)脈(mai)沖在(zai)高電(dian)流(liu)模(mo)式(shi)下的(de)應(ying)用


應(ying)用電(dian)流和電壓(ya)的(de)脈(mai)沖寬度以(yi)及測量(liang)點(dian)額(e)定可(ke)設定為(wei)50 - 400 μs之間(jian)(CS-3200和CS-3300)。
MOSFET“電(dian)流(liu)"和“電壓(ya)"特性(xing)測(ce)量(liang)示(shi)例

可(ke)選擇(ze)“掃(sao)描(miao)類別"(SWEEP TYPE)
“掃(sao)描(miao)類別"包(bao)括(kuo)“下"(DOWN)、“上"(UP)和“定制(zhi)"(CUSTOM)(所有(you)模(mo)式(shi))。
如“定制(zhi)"模(mo)式(shi),可(ke)以(yi)掃(sao)描(miao)值之間(jian)的(de)範(fan)圍。

CS-800半導(dao)體(ti)參數搜索(可(ke)選)
該(gai)主控(kong)裝(zhuang)置軟(ruan)件(jian)選項支(zhi)持電(dian)壓(ya)和電流(liu)限(xian)制(zhi)功能,以(yi)及自(zi)動(dong)Vth測(ce)量(liang)功能。
限(xian)制(zhi)掃(sao)描(miao)(LIMIT SWEEP)
如果(guo)在“掃(sao)描(miao)"操(cao)作(zuo)前了(le)電(dian)壓(ya)和電流(liu)限(xian)值,操(cao)作(zuo)會在(zai)超過(guo)限(xian)值後的(de)下(xia)壹(yi)個(ge)測量(liang)點(dian)停止(zhi)執(zhi)行。
Vth和hFE設置
Vth和hFE可(ke)以(yi)自(zi)動(dong)測(ce)量(liang)。
Vth自(zi)動(dong)測(ce)量(liang)示(shi)例。
遠(yuan)程(cheng)工(gong)具
如果(guo)因安全(quan)原(yuan)因不允(yun)許使用USB存(cun)儲器,可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)局(ju)LAN將屏幕(mu)截(jie)圖(tu)、CSV格式(shi)測量(liang)結(jie)果(guo)及其他(ta)數據(ju)直(zhi)接傳輸(shu)到個(ge)人電(dian)腦(nao)上。
免(mian)費(fei)提(ti)供遠程(cheng)操(cao)作(zuo)軟(ruan)件(jian)。但使(shi)用該(gai)軟(ruan)件(jian)時(shi)必(bi)須(xu)安(an)裝(zhuang)NI VISA庫(ku)(需(xu)要(yao)收費)。
CS-810半導(dao)體(ti)參數測量(liang)(選件(jian))
這(zhe)是(shi)壹(yi)款(kuan)電腦(nao)應(ying)用程(cheng)序(xu),用於通(tong)過(guo)局(ju)域(yu)網將配有(you)CS-800的(de)主(zhu)控(kong)裝(zhuang)置連(lian)接(jie)到個(ge)人電(dian)腦(nao)上(可(ke)選)。該(gai)應用程(cheng)序(xu)可(ke)以(yi)根(gen)據(ju)個(ge)人電(dian)腦(nao)的(de)測(ce)量(liang)條件(jian)進(jin)行自(zi)動(dong)測(ce)量(liang),並確定數據(ju)的(de)正(zheng)確性(xing)。

CS-3100,CS-3200,CS-3300面(mian)板介紹

1顯示(shi)屏
8.4英寸亮麗(li)屏可(ke)以(yi)顯示(shi)詳細的(de)波(bo)形情(qing)況。采(cai)用大(da)尺(chi)寸屏幕(mu),可(ke)以(yi)顯示(shi)菜單(dan)和參數而不影(ying)響(xiang)波(bo)形網格。
2連(lian)接(jie)性(xing)
CS-3000系(xi)列前面(mian)板上配有(you)USB端口,方便(bian)生(sheng)成報(bao)告。按(an)下復制(zhi)(Copy)按鈕(niu)即(ji)可(ke)將屏幕(mu)截(jie)圖(tu)保(bao)存(cun)到USB設備。
3讀出顯示(shi)屏
讀出顯示(shi)屏采(cai)用不同顏(yan)色代表(biao)不同功能,操(cao)作(zuo)設置壹目(mu)了(le)然(ran)。
4斷(duan)路(lu)器
前面(mian)板上分(fen)別提(ti)供高電(dian)壓(ya)(所有(you)型號(hao))和高電(dian)流(liu)(CS-3200/3300)斷(duan)路(lu)器。
5菜(cai)單(dan)操(cao)作(zuo)
使(shi)用功能旋(xuan)鈕(niu)和功能鍵(jian)來(lai)操(cao)作(zuo)菜(cai)單(dan)。
6復(fu)制(zhi)(COPY)按鈕(niu)
7配(pei)置(CONFIGURATION)按鈕(niu)
用於顯示(shi)連(lian)接(jie)和信(xin)號(hao)應(ying)用狀(zhuang)態(tai)。
8階(jie)梯(ti)發(fa)生(sheng)器
使(shi)用該(gai)旋(xuan)鈕(niu)可(ke)以(yi)設置步(bu)進和偏移。
9查(zha)看/脈(mai)沖(VIEW/PULSE)按(an)鈕(niu)
用於切(qie)換(huan)跟(gen)蹤(zong)(TRACE)與(yu)波(bo)形(WAVE)視圖(tu)。
在(zai)波(bo)形視圖(tu)下,屏蔽(bi)顯示(shi)應用電(dian)壓(ya)和電流(liu)的(de)時(shi)間(jian)軸波(bo)形,常規(gui)曲(qu)線跟(gen)蹤(zong)器無法觀察到這(zhe)種(zhong)波(bo)形。
10垂(chui)直(zhi)(VERTICAL)和水平(ping)(HORIZONTAL)旋(xuan)鈕(niu)
這(zhe)些(xie)旋(xuan)鈕(niu)安裝(zhuang)在(zai)易於操(cao)作(zuo)的(de)地(di)方。
11變(bian)量(liang)(VARIABLE)旋(xuan)鈕(niu)
用於調節(jie)集(ji)電(dian)極(ji)電源(yuan)的(de)輸(shu)出電壓(ya)。
采(cai)用耐(nai)用型(xing)旋(xuan)鈕(niu)適(shi)合頻(pin)繁(fan)使(shi)用。