基礎(chu)信(xin)息(xi)Product information

產品(pin)名(ming)稱(cheng)：美(mei)國(guo)KEYSIGHT是德LCR電橋(qiao)E4980A

產(chan)品(pin)型號：

更(geng)新時間(jian)：2025-06-11

產(chan)品(pin)簡(jian)介：

堅(jian)融(rong)實業(ye)——專註(zhu)工(gong)業測(ce)試行(xing)業十六年！
致(zhi)力(li)於(yu)美(mei)國(guo)KEYSIGHT是德LCR電橋(qiao)E4980A儀(yi)器(qi)設備售(shou)前(qian)演示(shi)實測(ce)、測(ce)試方(fang)案應用(yong)、技術(shu)使(shi)用(yong)培訓(xun)及(ji)售(shou)後(hou)維修服務。
堅(jian)融(rong)實業(ye)——壹家(jia)真正有技術(shu)支(zhi)持的(de)儀(yi)器(qi)儀表(biao)設備供應商！

產品(pin)特性(xing)Product characteristics

堅(jian)融(rong)實業(ye)——專註(zhu)工(gong)業測(ce)試行(xing)業十六年！

致(zhi)力(li)於(yu)儀(yi)器(qi)設備售(shou)前(qian)演示(shi)實測(ce)、測(ce)試方(fang)案應用(yong)、技術(shu)使(shi)用(yong)培訓(xun)及(ji)售(shou)後(hou)維修服務。

堅(jian)融(rong)實業(ye)——壹家(jia)真正有技術(shu)支(zhi)持的(de)儀(yi)器(qi)儀表(biao)設備供應商！

美(mei)國(guo)是德Keysight LCR電橋(qiao)E4980AL-032    20Hz to 300 kHz with DCR
美(mei)國(guo)是德Keysight LCR電橋(qiao)E4980AL-052    20Hz to 500 kHz with DCR
美(mei)國(guo)是德Keysight LCR電橋(qiao)E4980AL-102    20Hz to 1 MHz with DCR
美(mei)國(guo)是德KEYSIGHT E4980AL LCR電橋(qiao) 精密LCR表(biao)，20 Hz至2 MHz

測(ce)量(liang)參(can)數(shu)

– Cp-D、 Cp-Q、 Cp-G、 Cp-Rp

– Cs-D、 Cs-Q、 Cs-Rs

– Lp-D、 Lp-Q、 Lp-G、 Lp-Rp、 Lp-Rdc

– Ls-D、 Ls-Q、 Ls-Rs、 Ls-Rdc

– R-X

– Z-qd、 Z-qr

– G-B

– Y-qd、 Y-qr

– Vdc-Idc1

定(ding)義(yi)

Cp 通(tong)過(guo)並(bing)聯等(deng)效電(dian)路(lu)模(mo)型測(ce)得(de)的(de)電(dian)容(rong)值

Cs 通(tong)過(guo)串聯等(deng)效電(dian)路(lu)模(mo)型測(ce)得(de)的(de)電(dian)容(rong)值

Lp 通(tong)過(guo)並(bing)聯等(deng)效電(dian)路(lu)模(mo)型測(ce)得(de)的(de)電(dian)感(gan)值

Ls 通(tong)過(guo)串聯等(deng)效電(dian)路(lu)模(mo)型測(ce)得(de)的(de)電(dian)感(gan)值

D 損耗(hao)因數(shu)

Q 品(pin)質(zhi)因數(shu)（D 的(de)倒(dao)數(shu)）

G 通(tong)過(guo)並(bing)聯等(deng)效電(dian)路(lu)模(mo)型測(ce)得(de)的(de)等(deng)效並(bing)聯電(dian)導

Rp 通(tong)過(guo)並(bing)聯等(deng)效電(dian)路(lu)模(mo)型測(ce)得(de)的(de)等(deng)效並(bing)聯電(dian)阻(zu)

Rs 通(tong)過(guo)串聯等(deng)效電(dian)路(lu)模(mo)型測(ce)得(de)的(de)等(deng)效串聯電(dian)阻(zu)

Rdc 直流電阻(zu)

R 電阻(zu)

X 電抗(kang)

Z 阻(zu)抗(kang)

Y 導納

qd 阻(zu)抗(kang)/導納相位角（角(jiao)度(du)）

qr 阻(zu)抗(kang)/導納相位角（弧(hu)度(du)）

B 電納

Vdc 直流電壓(ya)

Idc 直流電流

偏差測(ce)量(liang)功(gong)能： 參(can)考(kao)值偏差以及(ji)參(can)考(kao)值偏差百分比可以作(zuo)為(wei)結果輸出(chu)。

測(ce)量(liang)等(deng)效電(dian)路(lu)： 並(bing)聯、串聯

阻(zu)抗(kang)範圍選擇(ze)： 自動(dong)（自動(dong)範圍模(mo)式）、手動（保(bao)持範(fan)圍模(mo)式）

觸發模(mo)式： 內(nei)部觸發(fa)（ INT）、手(shou)動(dong)觸發(fa)（ MAN）、外部觸(chu)發(fa)（ EXT）、 GPIB 觸發（BUS）

美(mei)國(guo)KEYSIGHT是德LCR電橋(qiao)E4980A基本(ben)技術(shu)指標

1. 觸發時延(yan)範(fan)圍(wei) 0 s - 999 s

分辨率(lv) 100 µs (0 s - 100 s)

1 ms (100 s - 999 s)

表 2. 階躍時(shi)延(yan)

範圍 0 s - 999 s

分辨率(lv) 100 µs (0 s - 100 s)

1 ms (100 s - 999 s)

測(ce)量(liang)端(duan)子(zi)： 四端(duan)子(zi)對

測(ce)試線(xian)纜長度： 0 m、 1 m、 2 m、 4 m

測(ce)量(liang)時(shi)間模(mo)式：短時間(jian)（SHORT）模(mo)式、中等(deng)長度時(shi)間（MED）模(mo)式、長時間(jian)（LONG）模(mo)式。

表 3. 平均值

範圍 1 - 256 次測(ce)量(liang)

分辨率(lv) 1

測(ce)試信(xin)號

表 4. 測(ce)試頻(pin)率(lv)

測(ce)試頻(pin)率(lv) 20 Hz - 2 MHz (E4980A)

20 Hz - 1 MHz (E4980AL-102)

20 Hz - 500 kHz (E4980AL-052)

20 Hz - 300 kHz (E4980AL-032)

分辨率(lv) 0.01 Hz (20 Hz - 99.99 Hz)

0.1 Hz (100 Hz - 999.9 Hz)

1 Hz (1 kHz - 9.999 kHz)

10 Hz (10 kHz - 99.99 kHz)

100 Hz (100 kHz - 999.9 kHz)

1 kHz (1 MHz - 2 MHz)

測(ce)量(liang)精度 ±0.01%

表 5. 測(ce)試信(xin)號模(mo)式

常規 在測(ce)量(liang)端(duan)子(zi)開(kai)路或(huo)短(duan)路時(shi)，程序分別選擇(ze)的(de)電(dian)壓(ya)或(huo)電(dian)流。

恒定(ding) 無論(lun)被測(ce)器(qi)件阻(zu)抗(kang)如何變化，均在被測(ce)器(qi)件上(shang)維(wei)持(chi)選定(ding)的(de)電(dian)壓(ya)或(huo)電(dian)流。

表 6. 測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)

範圍 0 Vrms - 2.0 Vrms

分辨率(lv) 100 µVrms (0 Vrms - 0.2 Vrms)

200 µVrms (0.2 Vrms - 0.5 Vrms)

500 µVrms (0.5 Vrms - 1 Vrms)

1 mVrms (1 Vrms - 2 Vrms)

精度 常(chang)規(gui) ±(10% + 1 mVrms) 測(ce)試頻(pin)率(lv) ≤ 1 MHz：技(ji)術(shu)指標

測(ce)試頻(pin)率(lv) > 1 MHz：典(dian)型值

恒定(ding)1 ±(6% + 1 mVrms) 測(ce)試頻(pin)率(lv) ≤ 1 MHz：技(ji)術(shu)指標

測(ce)試頻(pin)率(lv) > 1 MHz：典(dian)型值

表 7. 測(ce)試信(xin)號電(dian)流(liu)

範圍 0 Arms - 20 mArms

分辨率(lv) 1 µArms (0 Arms - 2 mArms)

2 µArms (2 mArms - 5 mArms)

5 µArms (5 mArms - 10 mArms)

10 µArms (10 mArms - 20 mArms)

精度 常(chang)規(gui) ±(10% + 10 µArms) 測(ce)試頻(pin)率(lv) ≤ 1 MHz：技(ji)術(shu)指標

測(ce)試頻(pin)率(lv) > 1 MHz：典(dian)型值

恒定(ding)1 ±(6% + 10 µArms) 測(ce)試頻(pin)率(lv) ≤ 1 MHz：技(ji)術(shu)指標

測(ce)試頻(pin)率(lv) > 1 MHz：典(dian)型值

輸出(chu)阻(zu)抗(kang)： 100 Ω（標稱值(zhi)）

測(ce)試信(xin)號電(dian)平(ping)監(jian)測(ce)功(gong)能(neng)

– 可以監(jian)測(ce)測(ce)試信(xin)號的(de)電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流(liu)。

– 電平監(jian)測(ce)精度：

表 8. 測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)監(jian)測(ce)精度（Vac）

測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)2 測(ce)試頻(pin)率(lv) 技(ji)術(shu)指標

5 mVrms - 2 Vrms ≤ 1 MHz ±（讀數(shu)的(de) 3% + 0.5 mVrms）

> 1 MHz ±（讀數(shu)的(de) 6% + 1 mVrms）

表 9. 測(ce)試信(xin)號電(dian)流(liu)監(jian)測(ce)精度（lac）

測(ce)試信(xin)號電(dian)流(liu)2 測(ce)試頻(pin)率(lv) 技(ji)術(shu)指標

50 µArms - 20 mArms ≤ 1 MHz

> 1 MHz

±（讀數(shu)的(de) 3% + 5 µArms）

±（讀數(shu)的(de) 6% + 10 µArms）

1. 當自動(dong)電平控制(zhi)功(gong)能(neng)開(kai)啟時(shi)。

2. 這不是輸出(chu)值，而是顯(xian)示(shi)的(de)測(ce)試信(xin)號電(dian)平(ping)。

表 10 列出(chu)了屏(ping)幕(mu)上可以顯(xian)示(shi)的(de)測(ce)量(liang)值(zhi)範圍。對於(yu)有(you)效的(de)測(ce)量(liang)範(fan)圍，參(can)見圖(tu) 1 中的(de)阻(zu)抗(kang)

測(ce)量(liang)精度示(shi)例。

表 10. 允(yun)許(xu)的(de)測(ce)量(liang)值(zhi)顯(xian)示(shi)範圍(wei)

參(can)數(shu) 測(ce)量(liang)顯(xian)示(shi)範圍(wei)

Cs、 Cp ± 1.000000 aF 至 999.9999 EF

Ls、 Lp ±1.000000 aH 至 999.9999 EH

D ±0.000001 至 9.999999

Q ±0.01 至 99999.99

R、 Rs、 Rp、 X、 Z、 Rdc ±1.000000 aΩ 至 999.9999 EΩ

G、 B、 Y ±1.000000 aS 至 999.9999 ES

Vdc ±1.000000 aV 至 999.9999 EV

Idc ±1.000000 aA 至 999.9999 EA

qr ±1.000000 arad 至 3.141593 rad

qd ±0.0001 deg 至 180.0000 deg

∆% ±0.0001% 至 999.9999%

a： 1 x 10-18、 E: 1 x 1018

絕對測(ce)量(liang)精度

絕對精度使(shi)用(yong)以下方程(cheng)式來(lai)計(ji)算(suan)。

|Z|、 |Y|、 L、 C、 R、 X、 G、 B 的(de)絕(jue)對(dui)精度 Aa（當(dang)Dx ≤ 0.1 時(shi)， L、 C、 X 和(he) B 精度適(shi)

用(yong)，當 Qx ≤ 0.1 時， R 和 G 精度適(shi)用(yong)）

當 Dx ≥ 0.1，用(yong) Acal 乘(cheng)以(yi) √1+D2x， 得(de)到(dao) L、 C、 X 和(he) B 精度

當 Qx ≥ 0.1，用(yong) Acal 乘(cheng)以(yi) √1+Q2x ，得(de)到(dao) R 和(he) G 精度

在交流磁(ci)場中(zhong)，可以使(shi)用(yong)以下方程(cheng)式來(lai)計(ji)算(suan)測(ce)量(liang)精度。

A x (1 + B x ( 2 + 0.5 / Vs))

其(qi)中(zhong) A 絕(jue)對(dui)精度

B 磁(ci)感應強度(du) [Gauss]

Vs 測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)電(dian)平(ping) [V]

方程式 1： Aa = Ae + Acal

Aa 絕對精度（讀(du)數(shu)的(de) %）

Ae 相對(dui)精度（讀(du)數(shu)的(de) %）

Acal 校(xiao)準精度（%）

其(qi)中(zhong)， G 精度僅適(shi)用(yong)於(yu) G-B 測(ce)量(liang)。

D 精度（當(dang) Dx ≤ 0.1 時(shi)）

方程式 2： De +qcal

Dx 測(ce)得(de)的(de) D 值(zhi)

De D 的(de)相對(dui)精度

qcal q 的(de)校(xiao)準精度（弧(hu)度(du)）

當 0.1 < Dx ≤ 1 時，用(yong) qcal 乘(cheng)以(yi) (1 + Dx)

Q 精度（當(dang) Qx × Da < 1 時(shi)）

方程式 3： (Qx2 × Da)

± ————————————

(1 ± Qx × Da)

Qx 測(ce)得(de)的(de) Q 值(zhi)

Da D 的(de)絕(jue)對(dui)精度

q 精度

方程式 4： qe + qcal

qe q 的(de)相對(dui)精度（角(jiao)度(du)）

qcal q 的(de)校(xiao)準精度（角(jiao)度(du)）G 精度（當(dang) Dx ≤ 0.1 時(shi)）

方程式 5： Bx + Da (S)

1

Bx = 2πfCx = ——————

2πfLx

Dx 測(ce)得(de)的(de) D 值(zhi)

Bx 測(ce)得(de)的(de) B 值(zhi) (S)

Da D 的(de)絕(jue)對(dui)精度

f 測(ce)量(liang)頻(pin)率(lv) (Hz)

Cx 測(ce)得(de)的(de) C 值(zhi) (F)

Lx 測(ce)得(de)的(de) L 值(zhi) (H)

其(qi)中(zhong)， G 精度適(shi)用(yong)於(yu) Cp-G 測(ce)量(liang)。

Rp 的(de)絕(jue)對(dui)精度（當(dang) Dx ≤ 0.1 時(shi)）

方程式 6： Rpx × Da

±————————— (Ω)

Dx± Da

Rpx 測(ce)得(de)的(de) Rp 值(zhi) (Ω)

Dx 測(ce)得(de)的(de) D 值(zhi)

Da D 的(de)絕(jue)對(dui)精度

Rs 的(de)絕(jue)對(dui)精度（當(dang) Dx ≤ 0.1 時(shi)）

方程式 7： Xx × Da (Ω)

1

Xx = ——————= 2πfLx

2πfCx

Dx 測(ce)得(de)的(de) D 值(zhi)

Xx 測(ce)得(de)的(de) X 值(zhi) (Ω)

Da D 的(de)絕(jue)對(dui)精度

f 測(ce)試頻(pin)率(lv) (Hz)

Cx 測(ce)得(de)的(de) C 值(zhi) (F)

Lx 測(ce)得(de)的(de) L 值(zhi) (H)

1. 當計算結果為負值(zhi)時(shi)，應用(yong) 0 A。

相對(dui)精度

相對(dui)精度包(bao)括穩(wen)定(ding)度(du)、溫度系數(shu)、線(xian)性(xing)度(du)、重復(fu)度以及校(xiao)準內(nei)插值誤(wu)差(cha)。相對(dui)精度是(shi)在(zai)滿(man)足以下所有(you)條件時(shi)規(gui)定(ding)的(de)：

– 預熱(re)時間(jian)： 30 分鐘

– 測(ce)試線(xian)纜長度： 0 m、 1 m、 2 m 或(huo) 4 m（Keysight 16048A/D/E）

– 沒有顯(xian)示(shi)“信(xin)號源過(guo)載"警(jing)告(gao)。

當測(ce)試信(xin)號電(dian)流(liu)超(chao)過(guo)下面表(biao) 11 中的(de)值(zhi)時(shi)， LCR 表會(hui)顯(xian)示(shi)“信(xin)號源過(guo)載"警(jing)告(gao)。

表 11.

測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya) 測(ce)試頻(pin)率(lv) 條(tiao)件1

≤ 2 Vrms – –

> 2 Vrms ≤ 1 MHz 110 mA 或(huo) 130 mA - 0.0015 × Vac × (Fm / 1 MHz) ×

(L_cable + 0.5)，取(qu)較小(xiao)值

> 1 MHz 70 mA - 0.0015 × Vac × (Fm / 1 MHz) × (L_cable + 0.5)

Vac [V] 測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)

Fm [Hz] 測(ce)試頻(pin)率(lv)

L_cable [m] 線(xian)纜長度

– 已(yi)進行(xing)了開(kai)路和(he)短路(lu)校(xiao)正。

– 偏置電流隔離(li)：關(guan)閉(bi)

– 直流偏置電流不會(hui)超(chao)過(guo)每(mei)個直(zhi)流(liu)偏置電流範圍(wei)內(nei)的(de)設(she)定(ding)值(zhi)

– 通(tong)過(guo)將(jiang)被測(ce)器(qi)件的(de)阻(zu)抗(kang)與有效測(ce)量(liang)範(fan)圍匹(pi)配(pei)，選擇(ze)最佳阻(zu)抗(kang)範圍。

|Z|、 |Y|、 L、 C、 R、 X、 G 和 B 精度（當(dang) Dx ≤ 0.1 時(shi)， L、 C、 X 和(he) B 精度適(shi)用(yong)；當 Qx ≤0.1 時， R 和 G 精度適(shi)用(yong)）

當 Dx > 0.1 時，用(yong) Ae 乘(cheng)以(yi) √1+D2x ，得(de)到(dao) L、 C、 X 和(he) B 精度

當 Qx > 0.1 時，用(yong) Ae 乘(cheng)以(yi) √1+Q2x ，得(de)到(dao) R 和(he) G 精度

相對(dui)精度 Ae 按(an)下式計算：

方程式 8： Ae = [Ab + Zs /|Zm| × 100 + Yo × |Zm| × 100 ] × Kt

Zm 被測(ce)器(qi)件阻(zu)抗(kang)

Ab 基本(ben)精度

Zs 短路偏置

Yo 開(kai)路偏置

Kt 溫度系數(shu)

D 精度

當 Dx ≤ 0.1 時， D 精度 De 按(an)下式計算：

方程式 9： De = ±Ae/100

Dx 測(ce)得(de)的(de) D 值(zhi)

Ae |Z|、 |Y|、 L、 C、 R、 X、 G 和 B 的(de)相對(dui)精度

當 0.1 < Dx ≤ 1 時，用(yong) De 乘(cheng)以(yi) (1 + Dx)

Q 精度（當(dang) Q x De < 1 時(shi)）

Q 精度 Qe 按(an)下式計算：

方程式 10： (Qx2 × De)

Qe = ± —————————————

(1± Qx × De)

Qx 測(ce)得(de)的(de) Q 值(zhi)

De 相對(dui) D 精度

q 精度

q 精度 θ e 按(an)下式計算：

方程式 11: 180 × Ae

qe = (deg)

π × 100

Ae |Z|、 |Y|、 L、 C、 R、 X、 G 和 B 的(de)相對(dui)精度

G 精度（當(dang) Dx ≤ 0.1 時(shi)）

G 精度 Ge 按(an)下式計算：

方程式 12： Ge = Bx × De (S)

1

Bx = 2πfCx = ——————

2πfLx

Ge G 相對(dui)精度

Dx 測(ce)得(de)的(de) D 值(zhi)

Bx 測(ce)得(de)的(de) B 值(zhi)

De D 相對(dui)精度

f 測(ce)試頻(pin)率(lv) (Hz)

Cx 測(ce)得(de)的(de) C 值(zhi) (F)

Lx 測(ce)得(de)的(de) L 值(zhi) (H)

Rp 精度（當(dang) Dx ≤ 0.1 時(shi)）

Rp 精度 Rpe 按(an)下式計算：

方程式 13： Rpx × De (Ω)

Rpe = ± ———————————

Dx ± De

Rpe Rp 相對(dui)精度

Rpx 測(ce)得(de)的(de) Rp 值(zhi) (Ω)

Dx 測(ce)得(de)的(de) D 值(zhi)

De D 的(de)相對(dui)精度

Rs 精度（當(dang) Dx ≤ 0.1 時(shi)）

Rs 精度 Rse 按(an)下式計算：

方程式 14： Rse = Xx × De (Ω)

1

Xx = —————–—= 2πfLx

2πfCx

Rse Rs 的(de)相對(dui)精度

Dx 測(ce)得(de)的(de) D 值(zhi)

Xx 測(ce)得(de)的(de) X 值(zhi) (Ω)

De D 的(de)相對(dui)精度

f 測(ce)試頻(pin)率(lv) (Hz)

Cx 測(ce)得(de)的(de) C 值(zhi) (F)

Lx 測(ce)得(de)的(de)L 值(zhi) (H)

C-D 精度計(ji)算(suan)示(shi)例

測(ce)量(liang)條(tiao)件

測(ce)試頻(pin)率(lv)： 1 kHz

測(ce)得(de)的(de) C 值(zhi)： 100 nF

測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)： 1 Vrms

測(ce)量(liang)時(shi)間模(mo)式： MED

測(ce)量(liang)溫度： 23°C

Ab = 0.05%

|Zm| = 1 / (2π × 1 × 103 × 100 × 10-9) = 1590 Ω

Zs = 0.6 mΩ × (1 + 0.400/1) × (1 + √(1000/1000) = 1.68 mΩ

Yo = 0.5 nS × (1 + 0.100/1) × (1 + √(100/1000) = 0.72 nS

C 精度： Ae = [0.05 + 1.68 m/1590 × 100 + 0.72 n × 1590 × 100] × 1 = 0.05%

D 精度： De = 0.05/100 = 0.0005

基本(ben)精度

基本(ben)精度 Ab 可通(tong)過(guo)表 12、 13、 14、 15 獲(huo)得。

表 12. 測(ce)量(liang)時(shi)間模(mo)式 = SHORT

測(ce)試

頻率(lv) [Hz]

測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)

5 mVrms ≤ -

< 50 mVrms

50 mVrms ≤ -

< 0.3 Vrms

0.3 Vrms ≤ -

1 Vrms

1 Vrms < -

≤ 10 Vrms

10 Vrms < -

≤ 20 Vrms

20 - 125 (0.6%) ×

(50 mVrms/Vs)

0.60% 0.30% 0.30% 0.30%

125 - 1 M (0.2%) ×

(50 mVrms/Vs)

0.20% 0.10% 0.15% 0.15%

1 M - 2 M (0.4%) ×

(50 mVrms/Vs)

0.40% 0.20% 0.30% 0.30%

表 13. 測(ce)量(liang)時(shi)間模(mo)式 = MED、 LONG

測(ce)試

頻率(lv) [Hz]

測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)

5 mVrms ≤ -

< 30 mVrms

30 mVrms ≤ -

< 0.3 Vrms

0.3 Vrms ≤ -

≤ 1 Vrms

1 Vrms < -

≤ 10 Vrms

10 Vrms < -

≤ 20 Vrms

20 - 100 (0.25%) ×

(30 mVrms/Vs)

0.25% 0.10% 0.15% 0.15%

100 - 1 M (0.1%) ×

(30 mVrms/Vs)

0.10% 0.05% 0.10% 0.15%

1 M - 2 M (0.2%) ×

(30 mVrms/Vs)

0.20% 0.10% 0.20% 0.30%

Vs [Vrms] 測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)

被測(ce)器(qi)件阻(zu)抗(kang)的(de)效應

表 14. 被測(ce)器(qi)件阻(zu)抗(kang)低於(yu) 30 Ω 時(shi)，添(tian)加(jia)以(yi)下值。

測(ce)試頻(pin)率(lv) [Hz] 被測(ce)器(qi)件阻(zu)抗(kang)

1.08 Ω ≤ |Zx| < 30 Ω |Zx| < 1.08 Ω

20 - 1 M 0.05% 0.10%

1 M - 2 M 0.10% 0.20%

表 15. 被測(ce)器(qi)件阻(zu)抗(kang)高於(yu) 9.2 k Ω 時(shi)，添(tian)加(jia)以(yi)下值。

測(ce)試頻(pin)率(lv) [Hz] 被測(ce)器(qi)件的(de)阻(zu)抗(kang)

9.2 kΩ < |Zx| ≤ 92 kΩ 92 kΩ < |Zx|

10 k - 100 k 0% 0.05%

100 k - 1 M 0.05% 0.05%

1 M - 2 M 0.10% 0.10%

電纜延(yan)長的(de)效應

當電纜延(yan)長時，每(mei)壹米增加(jia)以(yi)下元(yuan)素。

0.015 % × (Fm/1 MHz)2 × (L_cable)2

Fm [Hz] 測(ce)試頻(pin)率(lv)

L_cable [m] 電纜長度

短路偏置 Zs

表 16. 被測(ce)器(qi)件阻(zu)抗(kang) > 1.08 Ω

測(ce)試

頻率(lv) [Hz]

測(ce)量(liang)時(shi)間模(mo)式

SHORT MED、 LONG

20 - 2 M 2.5 mΩ × (1 + 0.400/Vs) ×

(1 + √(1000/Fm))

0.6 mΩ × (1 + 0.400/Vs) ×

(1 + √(1000/Fm))

表 17. 被測(ce)器(qi)件阻(zu)抗(kang) ≤ 1.08 Ω

測(ce)試

頻率(lv) [Hz]

測(ce)量(liang)時(shi)間模(mo)式

SHORT MED、 LONG

20 - 2 M 1 mΩ × (1 + 1/Vs) × (1 + √(1000/Fm)) 0.2 mΩ× (1 + 1/Vs)× (1 + √(1000/Fm))

Vs [Vrms] 測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)

Fm [Hz] 測(ce)試頻(pin)率(lv)

電纜延(yan)長的(de)效應（短路偏置）

表 18. 當電纜延(yan)長後， Zs 增加(jia)以(yi)下值（與(yu)測(ce)量(liang)時(shi)間模(mo)式無關(guan)）。

測(ce)試

頻率(lv) [Hz]

電纜長度

0 米 1 米 2 米 4 米

20 - 1 M 0 0.25 mΩ 0.5 mΩ 1 mΩ

1 M - 2 M 0 1 mΩ 2 mΩ 4 mΩ

開(kai)路偏置 Yo

表 19. 測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya) ≤ 2.0 Vrms

測(ce)試

頻率(lv) [Hz]

測(ce)量(liang)時(shi)間模(mo)式

SHORT MED、 LONG

20 - 100 k 2 nS × (1 + 0.100/Vs) × (1 + √(100/Fm)) 0.5 nS × (1 + 0.100/Vs) × (1 + √(100/Fm))

100 k - 1 M 20 nS × (1 + 0.100/Vs) 5 nS × (1 + 0.100/Vs)

1 M - 2 M 40 nS × (1 + 0.100/Vs) 10 nS × (1 + 0.100/Vs)

表 20. 測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya) > 2.0 Vrms

測(ce)試

頻率(lv) [Hz]

測(ce)量(liang)時(shi)間模(mo)式

SHORT MED、 LONG

20 - 100 k 2 nS × (1 + 2/Vs) × (1 + √(100/Fm)) 0.5 nS × (1 + 2/Vs) × (1 + √(100/Fm))

100 k - 1 M 20 nS × (1 + 2/Vs) 5 nS × (1 + 2/Vs)

1 M - 2 M 40 nS × (1 + 2/Vs) 10 nS × (1 + 2/Vs)

Vs [Vrms] 測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)

Fm [Hz] 測(ce)試頻(pin)率(lv)

說明(ming)

由於(yu)剩余(yu)響(xiang)應，在 40 至 70 kHz 和(he) 80 至 100 kHz

範圍內(nei)，開(kai)路偏置可能變大為(wei)原(yuan)來(lai)的(de)三(san)倍。

電纜長度的(de)效應

表 21. 當電纜延(yan)長後，用(yong) Yo 乘(cheng)以(yi)以(yi)下因數(shu)。

測(ce)試

頻率(lv) [Hz]

電纜長度

0 米 1 米 2 米 4 米

補償功能

表 28. E4980A 提供了三(san)種(zhong)補(bu)償(chang)功(gong)能(neng)：開(kai)路補(bu)償、短(duan)路(lu)補償和(he)負載(zai)補(bu)償(chang)。

補償類型 描述(shu)

開(kai)路補(bu)償 補(bu)償(chang)測(ce)試夾具(ju)的(de)雜(za)散(san)導納(na)（C, G）導致(zhi)的(de)誤(wu)差(cha)。

短路補償 補(bu)償(chang)測(ce)試夾具(ju)的(de)剩余(yu)阻(zu)抗(kang)（L, R）導致(zhi)的(de)誤(wu)差(cha)。

負載(zai)補(bu)償(chang) 補(bu)償(chang)用(yong)戶所需的(de)測(ce)量(liang)條(tiao)件下實際測(ce)量(liang)值(zhi)與已(yi)知(zhi)標準值(zhi)之間(jian)的(de)誤(wu)差(cha)。

列表(biao)掃描(miao)

點(dian)數(shu)： 最大點(dian)數(shu)為 201 點(dian)。

第(di)壹個掃描(miao)參(can)數(shu)（壹次參(can)數(shu)）： 測(ce)試頻(pin)率(lv)、測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)、測(ce)試信(xin)號電(dian)流(liu)、直流(liu)偏置信(xin)號的(de)測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)、直(zhi)流(liu)偏置信(xin)號的(de)測(ce)試信(xin)號電(dian)流(liu)、直流(liu)電源電壓(ya)。

第(di)二(er)個掃描(miao)參(can)數(shu)（二次(ci)參(can)數(shu)）： 無、阻(zu)抗(kang)範圍、測(ce)試頻(pin)率(lv)、測(ce)試信(xin)號頻(pin)率(lv)、測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)、測(ce)試信(xin)號電(dian)流(liu)、直流(liu)偏置信(xin)號的(de)測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)、直(zhi)流(liu)偏置信(xin)號的(de)測(ce)試信(xin)號電(dian)流(liu)、直流(liu)電源電壓(ya)

觸發模(mo)式

順序模(mo)式： 壹旦觸(chu)發(fa) E4980A，它(ta)會(hui)在所(suo)有掃描(miao)點(dian)測(ce)量(liang)器(qi)件。 /EOM/INDEX 只(zhi)輸出(chu)壹次。

步進模(mo)式： 每(mei)次觸(chu)發(fa) E4980A 時(shi)，掃描(miao)點(dian)都(dou)會(hui)遞增。在(zai)每(mei)個點(dian)上(shang)都(dou)會(hui)輸出(chu) /EOM/INDEX，但只有在最(zui)後壹個/EOM 輸出(chu)後，列表(biao)掃描(miao)的(de)比較器(qi)功能(neng)才會(hui)提供結果。

說明(ming)

為兩(liang)個參(can)數(shu)中的(de)其(qi)中(zhong)壹個擇(ze)的(de)參(can)數(shu)無法(fa)再(zai)為(wei)另壹個參(can)數(shu)選中。無法(fa)設(she)置測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)與(yu)測(ce)試信(xin)號電(dian)流(liu)組合(he)，或(huo)直(zhi)流偏置信(xin)號的(de)測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)與(yu)直(zhi)流(liu)偏置信(xin)號的(de)測(ce)試信(xin)號電(dian)流(liu)組合(he)之壹。

二次參(can)數(shu)只能(neng)通(tong)過(guo) SCPI 命令設(she)置。

美(mei)國(guo)KEYSIGHT是德LCR電橋(qiao)E4980A

列表(biao)掃描(miao)的(de)比較器(qi)功能(neng)： 比較器(qi)功能(neng)支(zhi)持為(wei)每(mei)個測(ce)量(liang)點(dian)設(she)置壹對上(shang)下限(xian)值。

您(nin)可以選擇(ze)： 通(tong)過(guo)第(di)壹個掃描(miao)參(can)數(shu)進行(xing)判斷(duan)/通(tong)過(guo)第(di)二(er)個參(can)數(shu)進行(xing)判斷(duan)/不用(yong)於(yu)每(mei)對

限(xian)值。

時間戳功能(neng)： 在(zai)順序模(mo)式下，可以將(jiang) FW 檢測(ce)到(dao)觸(chu)發(fa)信(xin)號的(de)時(shi)間(jian)定(ding)義(yi)為 0，以記(ji)錄每(mei)個

測(ce)量(liang)點(dian)上(shang)的(de)測(ce)量(liang)開(kai)始時(shi)間，而(er)後(hou)通(tong)過(guo) SCPI 命令獲(huo)取(qu)該時(shi)間。

比較器(qi)功能(neng)

Bin 排序： 壹次參(can)數(shu)可以排(pai)序為 9 個 BIN、 OUT_OF_BINS、 AUX_BIN 和(he) LOW_C_

REJECT。二次參(can)數(shu)排序為 HIGH、 IN 和 LOW。可以選擇(ze)順序模(mo)式和容限(xian)模(mo)式作(zuo)為(wei)分類模(mo)式。

限(xian)值設置： 設置中可以使(shi)用(yong)絕對值、偏差值 和(he) % 偏差值。

BIN 計數(shu)： 可從 0 記(ji)錄至 999999。

直流偏置信(xin)號

表 29. 測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)

範圍 0 V 至 +2 V

分辨率(lv) 僅限(xian) 0 V / 1.5 V / 2 V

精度 0.1% + 2 mV (23°C ± 5°C)

(0.1% + 2 mV) × 4

(0 至 18°C 或(huo) 28 至 55°C）

輸出(chu)阻(zu)抗(kang)： 100 Ω（標稱值(zhi)）

輔助測(ce)量(liang)功(gong)能

數(shu)據緩(huan)存(cun)功能(neng)： 每(mei)個批(pi)次最多(duo)可以讀(du)取(qu) 201 個測(ce)量(liang)結果。

保存(cun)/調用(yong)功能：

– 可以向(xiang)內(nei)置非(fei)易失性(xing)存(cun)儲器(qi)中寫(xie)入或(huo)從(cong)其(qi)中(zhong)讀(du)出(chu)最多(duo) 10 個設(she)置條件。

– 可以向(xiang) USB 存(cun)儲器(qi)中寫(xie)入或(huo)從(cong)其(qi)中(zhong)讀(du)出(chu)最多(duo) 10 個設(she)置條件。

– 在將(jiang)設置條件寫(xie)入(ru)到(dao) USB 存(cun)儲器(qi)的(de)寄(ji)存(cun)器(qi) 10 時，執(zhi)行(xing)自動(dong)調用(yong)功能。

按鍵鎖定(ding)功(gong)能(neng)： 可以鎖定(ding)前(qian)面板(ban)按(an)鍵。

GPIB： 引腳 D-Sub（D-24 型），陰頭(tou)；符合(he) IEEE488.1、 2 和 SCPI 標準

USB 主機端口(kou)： 通(tong)用(yong)串行(xing)總(zong)線(xian)插座(zuo)， Type-A（4 個觸(chu)點(dian)位置，觸點(dian) 1 位於(yu)您(nin)的(de)左(zuo)側），

陰頭(tou)（僅限(xian)連接 USB 存(cun)儲器(qi)）。

USB 接口(kou)端口(kou)： 通(tong)用(yong)串行(xing)總(zong)線(xian)插座(zuo)， Type Mini-B（ 4 個觸(chu)點(dian)位置）；符合(he) USBTMC-USB488 和 USB 2.0 標準；陰(yin)頭(tou)；用(yong)於(yu)連(lian)接(jie)外部控(kong)制(zhi)器(qi)。

USBTMC： USB 測(ce)試與(yu)測(ce)量(liang)分類的(de)縮(suo)寫(xie)

LAN： 10/100 BaseT 以太(tai)網， 8 個引腳（兩(liang)個速(su)度(du)選項(xiang)）

LXI 壹致(zhi)性(xing)： C 類(lei)（僅適(shi)用(yong)於(yu)固(gu)化(hua)軟件版(ban)本(ben) A.02.00 或(huo)更(geng)高版(ban)本(ben)的(de)設(she)備）

說明(ming)

可以使(shi)用(yong)以下 USB 存(cun)儲器(qi)。

符合(he) USB 1.1 標準；大容(rong)量(liang)存(cun)儲器(qi)類別，

FAT16/FAT32 格式；最大消耗(hao)電(dian)流低於(yu) 500 mA。

推薦使(shi)用(yong)的(de) USB 存(cun)儲器(qi)： 4 GB USB 閃存(cun)

（Keysight PN 1819-0637）和 16GB USB 閃

存(cun)（Keysight PN 1819-1235）。

使(shi)用(yong)專門(men)推(tui)薦 E4980A 使(shi)用(yong)的(de) USB 存(cun)儲器(qi)，

否(fou)則，以(yi)前(qian)保存(cun)的(de)數(shu)據可能被清除(chu)。如果您(nin)沒

有使(shi)用(yong)推薦的(de) USB 存(cun)儲器(qi)，那(na)麽(me)數(shu)據可能無

法正常保存(cun)或(huo)調(tiao)用(yong)。

對於(yu)因使(shi)用(yong) E4980A 導致(zhi)的(de) USB 存(cun)儲器(qi)數(shu)據丟(diu)失，是(shi)德科技(ji)不承(cheng)擔責任(ren)。

當直流偏置隔離(li)設(she)置為開(kai)啟時(shi)，開(kai)路偏置 Yo 增加(jia)以(yi)下值。

方程式 20： Yo_DCI1 × (1 + 1/(Vs)) × (1 + √(500/Fm)) + Yo_DCI2

Zm [Ω] 被測(ce)器(qi)件阻(zu)抗(kang)

Fm [Hz] 測(ce)試頻(pin)率(lv)

Vs [V] 測(ce)試信(xin)號電(dian)壓(ya)

Yo_DCI1,2 [S] 利用(yong)表 61 和 62 計算(suan)此值

Idc [A] 直流偏置隔離(li)電(dian)流(liu)

表 66. Yo_DCI1 值

直流偏置電流範圍(wei) 測(ce)量(liang)時(shi)間模(mo)式

SHORT MED、 LONG

20 µA 0 S 0 S

200 µA 0.25 nS 0.05 nS

2 mA 2.5 nS 0.5 nS

20 mA 25 nS 5 nS

100 mA 250 nS 50 nS

表 67. Yo_DCI2 值

直流偏置電流

範圍

測(ce)量(liang)時(shi)間模(mo)式

≤ 100 Ω 300 Ω, 1 k Ω 3 k Ω, 10 k Ω 30 k Ω, 100 k Ω

20 µA 0 S 0 S 0 S 0 S

200 µA 0 S 0 S 0 S 0 S

2 mA 0 S 0 S 0 S 3 nS

20 mA 0 S 0 S 30 nS 30 nS

100 mA 0 S 300 nS 300 nS 300 nS

直流偏置建(jian)立時(shi)間(jian)

當直流偏置設置為開(kai)啟時(shi)，建(jian)立時(shi)間(jian)增加(jia)以(yi)下值：

表 68. 直流偏置建(jian)立時(shi)間(jian)

偏置 建(jian)立時(shi)間(jian)

1 標配(pei) 被測(ce)器(qi)件電(dian)容(rong) × 100 × loge (2/1.8 m) + 3 m

2 選件 001 被測(ce)器(qi)件電(dian)容(rong) × 100 × loge (40/1.8 m) + 3 m

10 msec

100 msec

1 sec

10 sec

100 sec

1.

2.

1 µF 10 µF 100 µF 1 mF 10 mF 100 mF

被測(ce)器(qi)件電(dian)容(rong)

圖(tu) 建(jian)立時(shi)間(jian)

12. 直流偏置建(jian)立時(shi)間(jian)