基(ji)礎信息Product information

產品名稱(cheng)：方(fang)阻(zu)儀/方(fang)塊(kuai)電阻(zu)測試(shi)儀(yi)/電阻率/電導(dao)率(lv)儀

產品型號(hao)：

更新(xin)時(shi)間：2025-10-10

產品簡介(jie)：

方阻儀/方塊(kuai)電阻(zu)測試(shi)儀(yi)/電阻率/電導(dao)率(lv)儀應(ying)用(yong)領域
覆(fu)蓋膜、導(dao)電(dian)高分子(zi)膜、高低溫(wen)電熱(re)膜；隔(ge)熱(re)、導(dao)電(dian)窗(chuang)膜、導(dao)電(dian)(屏(ping)蔽)布(bu)、裝飾膜、裝飾紙(zhi)、金屬(shu)化標簽(qian)、合(he)金類(lei)箔膜；熔(rong)煉(lian)、燒(shao)結、濺(jian)射、塗(tu)覆(fu)、塗(tu)布(bu)層、電(dian)阻式、電(dian)容(rong)式觸(chu)屏(ping)薄膜、電(dian)極(ji)塗(tu)料(liao)；其他半(ban)導體(ti)材料(liao)、薄(bo)膜材料(liao)、矽晶塊(kuai)、晶片電阻(zu)率(lv)及擴散層、外延(yan)層(ceng)、ITO導電(dian)箔膜、導(dao)電(dian)橡(xiang)膠等材料(liao)方(fang)塊(kuai)電阻(zu)；半(ban)導體(ti)材料(liao)/晶圓(yuan)、太(tai)陽能電池(chi)、電(dian)子元器件(jian)、導電(dian)薄膜（ITO導(dao)電(dian)膜玻(bo)璃(li)等）

產品特(te)性(xing)Product characteristics

“精(jing)"——上海(hai)市先(xian)JIN企業(ye)!

“專(zhuan)"——專(zhuan)註工(gong)業(ye)測試(shi)十六(liu)年(nian)!

“特(te)"——德國(guo)萊茵TUV認證(zheng)供(gong)應(ying)商(shang)!

“新(xin)"——註冊資本實繳壹(yi)仟(qian)萬(wan)元(yuan)!實(shi)繳資金行(xing)業(ye)中(zhong)居前茅(mao)!抗金(jin)融(rong)風(feng)險能力強!

壹、方(fang)阻儀(yi)/方塊(kuai)電阻(zu)測試(shi)儀(yi)/電阻率/電導(dao)率(lv)儀應(ying)用(yong)領域

覆(fu)蓋膜、導(dao)電(dian)高分子(zi)膜、高低溫(wen)電熱(re)膜；隔(ge)熱(re)、導(dao)電(dian)窗(chuang)膜、導(dao)電(dian)(屏(ping)蔽)布(bu)、裝飾膜、裝飾紙(zhi)、金屬(shu)化標簽(qian)、合(he)金類(lei)箔膜；熔(rong)煉(lian)、燒(shao)結、濺(jian)射、塗(tu)覆(fu)、塗(tu)布(bu)層、電(dian)阻式、電(dian)容(rong)式觸(chu)屏(ping)薄膜、電(dian)極(ji)塗(tu)料(liao)；其他半(ban)導體(ti)材料(liao)、薄(bo)膜材料(liao)、矽晶塊(kuai)、晶片電阻(zu)率(lv)及擴散層、外延(yan)層(ceng)、ITO導電(dian)箔膜、導(dao)電(dian)橡(xiang)膠等材料(liao)方(fang)塊(kuai)電阻(zu)；半(ban)導體(ti)材料(liao)/晶圓(yuan)、太(tai)陽能電池(chi)、電(dian)子元器件(jian)、導電(dian)薄膜（ITO導(dao)電(dian)膜玻(bo)璃(li)等）、金屬(shu)膜、導(dao)電(dian)漆(qi)膜、蒸(zheng)發(fa)鋁膜、PCB銅(tong)箔膜、EMI塗(tu)層(ceng)等薄層(ceng)電阻(zu)與(yu)電(dian)阻(zu)率；導(dao)電性(xing)油(you)漆(qi)、導(dao)電(dian)性(xing)糊(hu)狀物、導電(dian)性(xing)塑(su)料(liao)、導(dao)電性(xing)橡(xiang)膠(jiao)、導(dao)電性(xing)薄(bo)膜、金(jin)屬(shu)薄(bo)膜、EMI防(fang)護材料(liao)、導(dao)電性(xing)纖(xian)維、導(dao)電(dian)性(xing)陶(tao)瓷(ci)等方阻(zu)測試(shi)。

二(er)、產品描述(shu)

采(cai)用(yong)四探針組合(he)雙電測(ce)量(liang)方法(fa)，液晶顯(xian)示(shi)，自(zi)動測(ce)量(liang)，自(zi)動量(liang)程(cheng)，自(zi)動系(xi)數補(bu)償(chang)。高集成電路系統(tong)、恒(heng)流輸(shu)出；PC軟件(jian)進(jin)行(xing)數據管理(li)和(he)處(chu)理(li)。

雙電測(ce)數字式四(si)探(tan)針測試(shi)儀(yi)是(shi)運(yun)用(yong)直線或方(fang)型四探針雙位測(ce)量(liang)。儀器設(she)計(ji)參(can)考(kao)國(guo)標單晶矽物理(li)測(ce)試(shi)方(fang)法及ASTM標準(zhun)。利用(yong)電流探針、電壓(ya)探(tan)針的(de)變換，進(jin)行(xing)兩(liang)次(ci)電測量(liang)，對數據進(jin)行(xing)雙電測(ce)分析(xi)，解決(jue)樣(yang)品(pin)幾何尺寸(cun)、邊界效(xiao)應(ying)以及探針不等距和(he)機械(xie)遊(you)移等因(yin)素(su)對(dui)測(ce)量(liang)結果的(de)影響。

三(san)、儀器特(te)性(xing)

1.電(dian)阻測(ce)量(liang)範圍0.1uΩ～10MΩ即(ji)10^-7～1×10⁷Ω（JR3545最大1000MΩ）

2.電(dian)阻率(lv)測量(liang)範圍0.1uΩ～10MΩ.cm即(ji)10^-7～1×10⁷Ω.cm（JR3545最大1000MΩ）

3.方(fang)塊(kuai)電阻(zu)測量(liang)範圍1uΩ～1MΩ/□即(ji)10^-6～2×10⁶Ω/□（JR3545最大100MΩ）

4.電(dian)阻精(jing)度0.01%，最小分辨率(lv)0.1uΩ

5.方(fang)阻精(jing)度2%，最小分辨率(lv)1uΩ

6.雙電測(ce)原理(li)，提(ti)⾼精(jing)度和(he)穩定性(xing)

7.測(ce)試(shi)探(tan)頭(tou)直排(pai)和(he)矩(ju)形可選(xuan)

8.標(biao)配RS232、LAN通訊(xun)接(jie)口(kou)

9.搭(da)配軟件(jian)可查看(kan)和記錄測試(shi)數據

四(si)、儀器應(ying)用(yong)

使⽤開(kai)爾⽂測(ce)試(shi)夾直接(jie)測試(shi)電(dian)阻器直(zhi)流電阻

使⽤四(si)探針治具(ju)測(ce)試(shi)⽚狀或塊(kuai)狀半(ban)導體(ti)材料(liao)、⾦屬(shu)塗(tu)層(ceng)以(yi)及導電(dian)薄膜等材料(liao)的(de)⽅阻(zu)和電(dian)阻率

五(wu)、方(fang)阻儀(yi)/方塊(kuai)電阻(zu)測試(shi)儀(yi)/電阻率/電導(dao)率(lv)儀指標參(can)數規格(ge)