基(ji)礎(chu)信(xin)息Product information

產品(pin)名(ming)稱(cheng)：TH512國(guo)產半(ban)導(dao)體參數(shu)分析(xi)儀

產品(pin)型(xing)號：

更新時間：2025-11-05

產品(pin)簡介：

TH512國(guo)產半(ban)導(dao)體參數(shu)分析(xi)儀應用(yong)
半導(dao)體元(yuan)件(jian)/功率元件(jian)： 二(er)極(ji)管、三(san)極(ji)管、MOSFET、IGBT、晶閘(zha)管、集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)、光(guang)電子(zi)芯(xin)片(pian)等寄生(sheng)電(dian)容測(ce)試(shi)、C-V特性分析(xi)
半導(dao)體材(cai)料(liao)：晶圓(yuan)切割(ge)、C-V特性分析(xi)
液(ye)晶材(cai)料(liao)：彈(dan)性常(chang)數(shu)分析(xi)
電容元(yuan)件(jian)：電容器(qi)C-V特性測試及(ji)分析(xi)，電容式(shi)傳感器(qi)測試(shi)分析(xi)

產品(pin)特性Product characteristics

“精(jing)"——上海市(shi)先JIN企業!

“專(zhuan)"——專(zhuan)註工(gong)業(ye)測(ce)試十六(liu)年!

“特"——德國(guo)萊茵(yin)TUV認證(zheng)供(gong)應商!

“新"——註冊(ce)資本實繳壹(yi)仟(qian)萬元(yuan)!實繳資金(jin)行(xing)業(ye)中(zhong)居前(qian)茅!抗(kang)金(jin)融(rong)風(feng)險能(neng)力強(qiang)!

TH512國(guo)產半(ban)導(dao)體參數(shu)分析(xi)儀應用(yong)

半(ban)導(dao)體元(yuan)件(jian)/功率元件(jian)： 二(er)極(ji)管、三(san)極(ji)管、MOSFET、IGBT、晶閘(zha)管、集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)、光(guang)電子(zi)芯(xin)片(pian)等寄生(sheng)電(dian)容測(ce)試(shi)、C-V特性分析(xi)

半(ban)導(dao)體材(cai)料(liao)：晶圓(yuan)切割(ge)、C-V特性分析(xi)

液(ye)晶材(cai)料(liao)：彈(dan)性常(chang)數(shu)分析(xi)

電(dian)容元(yuan)件(jian)：電容器(qi)C-V特性測試及(ji)分析(xi)，電容式(shi)傳感器(qi)測試(shi)分析(xi)

性(xing)能(neng)特點(dian)

 柵(zha)極(ji)電壓(ya)VGS：0 - ±40V

 漏(lou)極(ji)電壓(ya)VDS：0 - ±3000V

 四(si)寄生(sheng)參數(shu)(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg)同(tong)屏(ping)壹(yi)鍵(jian)測(ce)量(liang)及(ji)顯示(shi)

 壹(yi)體化(hua)設(she)計(ji)：LCR+VGS低壓(ya)源(yuan)+VDS高(gao)壓(ya)源(yuan)+通(tong)道(dao)切換(huan)+上位(wei)機(ji)軟件(jian)

 單(dan)管(guan)器(qi)件(jian)（點(dian)測(ce)）、模(mo)組(zu)器(qi)件(jian)（列(lie)表掃(sao)描）、曲(qu)線掃(sao)描(選(xuan)件(jian))三種(zhong)測試(shi)方式(shi)

 標配(pei)2通(tong)道(dao)，可擴(kuo)展(zhan)至(zhi)6通(tong)道(dao)，可測(ce)單管、多(duo)芯或模(mo)組(zu)器(qi)件(jian)（TH513僅1通(tong)道(dao)）

 CV曲(qu)線掃(sao)描、Ciss-Rg曲(qu)線掃(sao)描

 電(dian)容快速充電技術(shu)，實現快速測試

 接觸(chu)檢查Cont

 通(tong)斷測(ce)試(shi)OP_SH

 自動延時設置(zhi)

 Crss Plus功能(neng)：解(jie)決高(gao)頻下Crss負值(zhi)問題

 高(gao)壓(ya)擊(ji)穿(chuan)保(bao)護(hu)：DS瞬(shun)間短(duan)路(lu)，保(bao)護(hu)儀(yi)器(qi)

 Interlock安(an)全(quan)鎖(suo)功能(neng)：增加(jia)高(gao)壓(ya)防(fang)護(hu)墻（僅TH513）

 Cs-V功能(neng)：二(er)極(ji)管結電容CV特性測試分析(xi)

 等效(xiao)模(mo)式(shi)轉(zhuan)換(huan)功能(neng)，可選(xuan)Cs或Cp模(mo)式(shi)

 10檔(dang)分選(xuan)

簡介

TH510系(xi)列(lie)半導(dao)體C-V特性分析(xi)儀是常(chang)州同(tong)惠電子(zi)根(gen)據(ju)當前(qian)半導(dao)體功率器(qi)件(jian)發展(zhan)趨勢，針(zhen)對(dui)半導(dao)體材(cai)料(liao)及(ji)功率器(qi)件(jian)設計的分析(xi)儀器(qi)。

儀(yi)器(qi)采用(yong)了壹體化(hua)集(ji)成(cheng)設(she)計(ji)，二(er)極(ji)管、三(san)極(ji)管、MOS管(guan)及(ji)IGBT等半導(dao)體功率器(qi)件(jian)寄生(sheng)電(dian)容、CV特性可壹(yi)鍵測試(shi)，無需(xu)頻(pin)繁(fan)切換(huan)接線(xian)及(ji)設(she)置(zhi)參數(shu)，單管(guan)功率器(qi)件(jian)及(ji)模(mo)組(zu)功率器(qi)件(jian)均(jun)可壹(yi)鍵快速測試，適(shi)用(yong)於生(sheng)產線(xian)快速測試、自動化集(ji)成(cheng)。

CV曲(qu)線掃(sao)描分析(xi)能(neng)力亦(yi)能(neng)滿(man)足(zu)實驗(yan)室對(dui)半(ban)導(dao)體材(cai)料(liao)及(ji)功率器(qi)件(jian)的研發及(ji)分析(xi)（此(ci)功能(neng)為(wei)選(xuan)件(jian)）。

儀(yi)器(qi)設計(ji)頻率為(wei)1kHz-2MHz，Vgs電壓(ya)可達±40V，VDS電(dian)壓(ya)可達±200V/±1500V/±3000V，足(zu)以滿(man)足(zu)大多(duo)數(shu)功率器(qi)件(jian)測試。

功能(neng)特點(dian)

A.壹(yi)體化(hua)測(ce)試(shi)，集(ji)成(cheng)度(du)高(gao)、體積(ji)小、效(xiao)率高(gao)

    壹(yi)臺(tai)儀器(qi)內置(zhi)了LCR數(shu)字(zi)電(dian)橋、VGS電壓(ya)源(yuan)、VDS電壓(ya)源(yuan)、高(gao)低壓(ya)切換(huan)矩陣(zhen)以及(ji)上位(wei)機(ji)軟件(jian)，將復(fu)雜(za)的接線(xian)、繁(fan)瑣的(de)操作集(ji)成(cheng)在(zai)支(zhi)持(chi)電容式(shi)觸(chu)摸(mo)的(de)Linux系(xi)統(tong)內，操作更簡單。特別(bie)適合產線(xian)快速化、自動化測試(shi)。

B.單(dan)管(guan)器(qi)件(jian)測試，10.1寸(cun)大屏(ping)，四(si)種(zhong)寄生(sheng)參數(shu)同(tong)屏(ping)顯示(shi)，讓(rang)細節(jie)壹覽(lan)無遺(yi)

    MOSFET或IGBT最重要(yao)的(de)四個寄生(sheng)參數(shu)：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均(jun)可壹(yi)鍵測試(shi)，10.1寸(cun)大屏(ping)可同(tong)時將測量(liang)結果、等效(xiao)電路(lu)圖(tu)、分選(xuan)結果等重要(yao)參數(shu)同(tong)時顯示(shi)，壹(yi)目(mu)了然(ran)。

    壹(yi)鍵(jian)測(ce)試單(dan)管(guan)器(qi)件(jian)器(qi)件(jian)時，無需(xu)頻(pin)繁(fan)切換(huan)測(ce)試腳(jiao)位(wei)、測量參數(shu)、測量(liang)結果，大大提高(gao)了測試(shi)效(xiao)率。

C.列(lie)表測(ce)試(shi)，多(duo)個、多(duo)芯、模(mo)組(zu)器(qi)件(jian)測量參數(shu)同(tong)屏(ping)顯示(shi)

    TH510系(xi)列(lie)半導(dao)體C-V特性分析(xi)儀支(zhi)持(chi)最多(duo)6個單管(guan)器(qi)件(jian)、6芯器(qi)件(jian)或6模(mo)組(zu)器(qi)件(jian)測試，所有(you)測(ce)量參數(shu)通(tong)過(guo)列(lie)表掃(sao)描模(mo)式(shi)同(tong)時顯示(shi)測(ce)試結果及(ji)判(pan)斷(duan)結果。

D.曲(qu)線掃(sao)描功能(neng)（選(xuan)件(jian)）

    在(zai)MOSFET的(de)參數(shu)中(zhong)，CV特性曲(qu)線也(ye)是壹個非常(chang)重要(yao)的(de)指標，如(ru)下圖

    TH510系(xi)列(lie)半導(dao)體C-V特性分析(xi)儀支(zhi)持(chi)C-V特性曲(qu)線分析(xi)，可以以對(dui)數(shu)、線性(xing)兩種(zhong)方式(shi)實(shi)現曲(qu)線掃(sao)描，可同(tong)時顯示(shi)多(duo)條曲(qu)線：同(tong)壹參數(shu)、不同(tong)Vg的多(duo)條曲(qu)線；同(tong)壹Vg、不同(tong)參數(shu)多(duo)條曲(qu)線。

    TH510系(xi)列(lie)同(tong)時支持(chi)多(duo)種(zhong)曲(qu)線掃(sao)描模(mo)型(xing)

    曲(qu)線支(zhi)持(chi)散點(dian)標記(ji)及(ji)粗(cu)細(xi)調(tiao)節(jie)

    Ciss-Rg曲(qu)線掃(sao)描

E.Cs-V功能(neng),二(er)極(ji)管結電容CV特性測試分析(xi)

     得益於(yu)TH510系(xi)列(lie)功率器(qi)件(jian)CV特性分析(xi)儀內(nei)置(zhi)了2路(lu)直流(liu)電(dian)源(yuan)，使(shi)二(er)極(ji)管的(de)CV特性分析(xi)成(cheng)為(wei)可能(neng)，Cs-V功能(neng)可用(yong)於測(ce)試(shi)各(ge)種(zhong)二(er)極(ji)管的(de)結電容，並可分析(xi)二(er)極(ji)管的(de)CV特性。

F.等效(xiao)模(mo)式(shi)轉(zhuan)換(huan)

    TH510系(xi)列(lie)功率器(qi)件(jian)CV特性分析(xi)儀測(ce)試(shi)結果的(de)電(dian)容C均(jun)為(wei)串聯模(mo)式(shi)Cs，對(dui)於部(bu)分需(xu)求(qiu)測(ce)試(shi)並聯(lian)模(mo)式(shi)Cp需(xu)求(qiu)的(de)客(ke)戶(hu)，可自行(xing)切換(huan)

G. 多(duo)種(zhong)獨特技術(shu)，解決自動化配套(tao)測試(shi)痛(tong)點(dian)

        在(zai)配(pei)套(tao)自動化設備(bei)或者產線(xian)時，經常(chang)會(hui)遇到下列(lie)問題，同(tong)惠針對(dui)多(duo)種(zhong)情況進(jin)行(xing)了優化(hua)。

        1）獨特技術(shu)解決Ciss、Coss、Crss、Rg產線(xian)/自動化系(xi)統(tong)高(gao)速測試精(jing)度(du)

同(tong)惠電子(zi)在(zai)電(dian)容測(ce)試(shi)行(xing)業(ye)近30年的經驗積(ji)累，得以在(zai)產線(xian)、自動化測試(shi)等高(gao)速高(gao)精(jing)度(du)測試場合，都(dou)能(neng)保(bao)證(zheng)電(dian)容、電(dian)阻等測試精(jing)度(du)。

常(chang)規(gui)產線(xian)測(ce)試(shi)，提供(gong)標準0米測試夾具(ju)，直插(cha)器(qi)件(jian)可直接插(cha)入(ru)進行(xing)測(ce)試，Ciss、Coss、Crss、Rg測試(shi)精(jing)度(du)高(gao)。                   image.png        

針(zhen)對(dui)自動化測試(shi)，由於自動化設備(bei)測試(shi)工(gong)裝(zhuang)通(tong)常(chang)需(xu)要(yao)較(jiao)長連(lian)接線(xian)，大多(duo)自動化設備(bei)生(sheng)產商(shang)在(zai)延長測(ce)試(shi)線時會帶來很大的精(jing)度(du)偏(pian)差(cha)，為(wei)此(ci)，同(tong)惠設計(ji)了獨特的2米延長線(xian)並內(nei)置(zhi)了2米校(xiao)準，保(bao)證(zheng)Ciss、Coss、Crss、Rg測(ce)試精(jing)度(du)和0米測試夾具(ju)壹致。

        2）接觸(chu)檢查（Contact）功能(neng)，提(ti)前(qian)排(pai)除(chu)自動化測試(shi)隱(yin)患(huan)

在(zai)高(gao)速測試特別(bie)是自動化測試(shi)中(zhong)，經常(chang)會(hui)由於(yu)快速插(cha)拔或閉合，造成(cheng)測(ce)試(shi)治(zhi)具(ju)或工(gong)裝(zhuang)表面(mian)磨損(sun)、引線斷(duan)裂(lie)而(er)接觸(chu)不(bu)良，接觸(chu)不(bu)良的(de)造成(cheng)的(de)最(zui)直接後(hou)果是誤判(pan)測(ce)試(shi)結果而(er)難(nan)以發(fa)現(xian)，在廢品(pin)率突然(ran)增加(jia)或發出產品(pin)故(gu)障(zhang)原因(yin)退回(hui)時才會(hui)發(fa)現(xian)，因此(ci)是壹個極(ji)大的隱(yin)患(huan)。

同(tong)惠TH510系(xi)列(lie)半導(dao)體C-V特性分析(xi)儀采(cai)用(yong)了獨特的硬(ying)件(jian)測試方法(fa)，采(cai)用(yong)了四端測量(liang)法(fa)，每個腳(jiao)位(wei)均(jun)有(you)兩(liang)根(gen)線(xian)連(lian)接，若(ruo)任(ren)意壹根(gen)線(xian)斷(duan)裂(lie)或者接觸(chu)點(dian)接觸(chu)不(bu)良，均(jun)可及(ji)時發現(xian)並提(ti)供接觸(chu)不(bu)良點(dian)提(ti)示(shi)，儀(yi)器(qi)自動停止(zhi)測試，等待進壹步處(chu)理(li)。

保(bao)障(zhang)了結果的(de)準確(que)性，同(tong)時利於(yu)客(ke)戶(hu)及(ji)時發現(xian)問題，避(bi)免(mian)了不良(liang)品(pin)率提高(gao)及(ji)故(gu)障(zhang)品(pin)退回(hui)等帶來的損失。

        3）快速通(tong)斷測(ce)試(shi)（OP_SH）,排(pai)除(chu)損(sun)壞器(qi)件(jian)

在(zai)半(ban)導(dao)體器(qi)件(jian)特性測試時，由於(yu)半(ban)器(qi)件(jian)本身是損壞件(jian)，特別(bie)是多(duo)芯器(qi)件(jian)其中(zhong)壹個芯已(yi)經損壞的(de)情況下，測試雜(za)散電容仍有(you)可能(neng)被(bei)判(pan)斷(duan)為(wei)合格，而半導(dao)體器(qi)件(jian)的導(dao)通(tong)特性才是最重要(yao)的(de)特性。

因(yin)此(ci)，對(dui)於(yu)本(ben)身導(dao)通(tong)特性不良的(de)產品(pin)進行(xing)C-V特性測試是沒有(you)必要的(de)，不(bu)僅僅浪(lang)費了測量(liang)時間，同(tong)時會由(you)於(yu)C-V合格而混雜(za)在良(liang)品(pin)裏，導(dao)致成(cheng)品(pin)出貨(huo)後被(bei)退回(hui)帶來損失。

TH510系(xi)列(lie)半導(dao)體C-V特性分析(xi)儀提(ti)供(gong)了快速通(tong)斷測(ce)試(shi)（OP_SH）功能(neng),可用(yong)於直接判(pan)斷(duan)器(qi)件(jian)本身導(dao)通(tong)性能(neng)。

        4）Crss+Plus功能(neng)，解(jie)決自動化測試(shi)系(xi)統(tong)高(gao)頻下Crss負值(zhi)問題      

Crss電(dian)容通(tong)常(chang)在(zai)pF級(ji)，容量(liang)較(jiao)小，測(ce)試(shi)是個難題(ti)。

而(er)在(zai)自動化測試(shi)系(xi)統(tong)中(zhong)，由於過(guo)多(duo)的轉(zhuan)接開(kai)關(guan)、過(guo)長測(ce)測試引線等帶來的寄生(sheng)參數(shu)。

因(yin)此(ci)，測(ce)試(shi)Crss，特別(bie)是在高(gao)頻測試時通(tong)常(chang)會(hui)出現負(fu)值(zhi)，

同(tong)惠電子(zi)憑(ping)借(jie)在(zai)電容器(qi)測試(shi)行(xing)業(ye)30年的技術(shu)及(ji)經驗積(ji)累，采用(yong)獨特的算法(fa)的(de)Crss Plus模(mo)式(shi)，可保(bao)證(zheng)即(ji)使(shi)是在自動化測試(shi)系(xi)統(tong)中(zhong)、高(gao)頻下也能(neng)測(ce)的正確(que)的結果。

        5）漏(lou)源(yuan)高(gao)壓(ya)擊(ji)穿(chuan)保(bao)護(hu)技術(shu)，防(fang)止(zhi)損壞測(ce)試儀(yi)器(qi)

在(zai)測(ce)試(shi)功率器(qi)件(jian)電容時，漏(lou)極(ji)D通(tong)常(chang)會(hui)加(jia)上高(gao)壓(ya)，特別(bie)是第三代功率半導(dao)體器(qi)件(jian)，電壓(ya)甚(shen)至(zhi)可高(gao)達1000V-3000V，當(dang)漏(lou)源(yuan)瞬間擊(ji)穿(chuan)時，常(chang)會(hui)導(dao)致電容器(qi)瞬間短(duan)路(lu)放(fang)電，在漏(lou)源(yuan)電壓(ya)1500V時，放電(dian)電(dian)流(liu)可高(gao)達780A，如(ru)此(ci)大的瞬(shun)間電流(liu)，會(hui)反沖至(zhi)儀(yi)器(qi)內部(bu)電路(lu)，並導(dao)致損壞。

同(tong)惠高(gao)壓(ya)擊(ji)穿(chuan)保(bao)護(hu)技術(shu)，解決了此(ci)隱(yin)患(huan)，避(bi)免(mian)經常(chang)由(you)於高(gao)壓(ya)沖擊(ji)損(sun)壞儀(yi)器(qi)，降(jiang)低(di)了維修(xiu)成(cheng)本(ben)的(de)同(tong)時提高(gao)了自動化測試(shi)的效(xiao)率。

        6）Interlock互(hu)鎖(suo)功能(neng)，確(que)保高(gao)壓(ya)下操作環境安(an)全（僅TH513）

在(zai)測(ce)試(shi)功率器(qi)件(jian)需(xu)施加(jia)高(gao)壓(ya)，因(yin)此(ci)對(dui)於(yu)操作者(zhe)及(ji)其(qi)他設備(bei)的安(an)全(quan)隔(ge)離非常(chang)重要(yao)，特別(bie)是在自動化產線(xian)，通(tong)常(chang)會(hui)將高(gao)壓(ya)設(she)備(bei)放置(zhi)在(zai)壹個隔離(li)的(de)環境，並通(tong)過(guo)安全(quan)門開啟關(guan)閉來保(bao)證(zheng)操作者(zhe)的(de)安(an)全(quan)。

TH510系(xi)列(lie)功率器(qi)件(jian)CV特性分析(xi)儀配(pei)置(zhi)了Interlock接口(kou)，可與(yu)安全門(men)開(kai)關(guan)連接，在(zai)安(an)全門(men)開啟時切斷高(gao)壓(ya)輸(shu)出並禁(jin)止(zhi)儀器(qi)啟動，只有(you)關(guan)閉後才(cai)能(neng)正(zheng)常(chang)工(gong)作。確(que)保了操作者(zhe)和(he)設(she)備(bei)的安(an)全(quan)。

        7）模(mo)組(zu)式(shi)器(qi)件(jian)設置(zhi)，支(zhi)持(chi)定(ding)制(zhi)

針(zhen)對(dui)模(mo)組(zu)式(shi)器(qi)件(jian)如(ru)雙(shuang)路(lu)（Dual）MOSFET、多(duo)組式(shi)IGBT，有(you)些(xie)器(qi)件(jian)會有(you)不(bu)同(tong)類型(xing)芯片(pian)混合式(shi)封(feng)裝(zhuang)，TH510系(xi)列(lie)CV特性分析(xi)儀針(zhen)對(dui)此(ci)情況做了優化(hua)，常(chang)見(jian)模(mo)組(zu)式(shi)芯(xin)片(pian)Demo已內(nei)置(zhi)，特殊芯片(pian)支持(chi)定(ding)制(zhi)。

        8）10檔(dang)分選(xuan)及(ji)可編(bian)程HANDLER接口(kou)

儀(yi)器(qi)提供(gong)了10檔分選(xuan)，為(wei)客(ke)戶(hu)產品(pin)質量(liang)分級(ji)提供(gong)了可能(neng)，分選(xuan)結果直接輸(shu)出至(zhi)HANDLER接口(kou)

在(zai)與(yu)自動化設備(bei)連接時，怎麽(me)配置(zhi)HANDLER接口(kou)輸(shu)出，壹直是自動化客(ke)戶(hu)的(de)難(nan)題(ti)，TH510系(xi)列(lie)LCR將HANDLER接口(kou)腳(jiao)位(wei)、輸(shu)入輸(shu)出方式(shi)、對(dui)應信(xin)號、應答方式(shi)等可視化(hua)，讓自動化連接更簡單。

H.  簡單快捷(jie)設(she)置(zhi)

單(dan)測(ce)設(she)置(zhi)界面(mian)

列(lie)表掃(sao)描設置(zhi)界面(mian)

參數(shu)可以任(ren)意選(xuan)擇(ze)，可打(da)開及(ji)關(guan)閉，關(guan)閉參數(shu)可有(you)效(xiao)節約時間和數(shu)據(ju)傳輸(shu)；延時時間可自動設置(zhi)或自行(xing)設(she)置(zhi)；柵(zha)極(ji)電阻可選(xuan)漏(lou)源(yuan)短(duan)路(lu)或漏(lou)源(yuan)開路(lu)。

CV掃(sao)描設置(zhi)界面(mian)

采(cai)用(yong)圖形(xing)化(hua)設(she)置(zhi)界面(mian)，功能(neng)參數(shu)對應原理圖設(she)置(zhi)壹(yi)目(mu)了然(ran)。

I. 支(zhi)持(chi)定(ding)制(zhi)化(hua)，智能(neng)固件(jian)升級(ji)方式(shi)

同(tong)惠儀器(qi)對於(yu)客(ke)戶(hu)而(er)言(yan)是開放的(de)，儀器(qi)所有(you)接口(kou)、指令(ling)集(ji)均(jun)為(wei)開放設(she)計(ji)，客(ke)戶(hu)可自行(xing)編(bian)程集(ji)成(cheng)或進行(xing)功能(neng)定(ding)制(zhi)，定(ding)制(zhi)功能(neng)若(ruo)無硬(ying)件(jian)更改(gai)，可直接通(tong)過(guo)固件(jian)升級(ji)方式(shi)更新。

儀(yi)器(qi)本身功能(neng)完(wan)善(shan)、BUG解決、功能(neng)升級(ji)等，都(dou)可以通(tong)過(guo)升級(ji)固件(jian)(Firmware)來進行(xing)更新，而無需(xu)返(fan)廠進(jin)行(xing)。

固件(jian)升級(ji)非常(chang)智(zhi)能(neng)，可以通(tong)過(guo)系(xi)統(tong)設置(zhi)界面(mian)或者文件(jian)管理界面(mian)進行(xing)，智(zhi)能(neng)搜(sou)索儀器(qi)內存、外接優(you)盤(pan)甚(shen)至(zhi)是局(ju)域網(wang)內升級(ji)包，並自動進行(xing)升級(ji)。

J.   半(ban)導(dao)體元(yuan)件(jian)寄生(sheng)電(dian)容知(zhi)識(shi)

在(zai)高(gao)頻電路(lu)中(zhong)，半導(dao)體器(qi)件(jian)的寄生(sheng)電(dian)容往(wang)往(wang)會(hui)影(ying)響半導(dao)體的(de)動態特性，所以在(zai)設(she)計半導(dao)體元(yuan)件(jian)時需(xu)要(yao)考(kao)慮(lv)下列(lie)因素(su)：

在(zai)高(gao)頻電路(lu)設(she)計中(zhong)往往需(xu)要(yao)考(kao)慮(lv)二(er)極(ji)管結電容帶來的影(ying)響；

MOS管(guan)的(de)寄生(sheng)電(dian)容會(hui)影(ying)響管子(zi)的(de)動作時間、驅動能(neng)力和(he)開(kai)關(guan)損耗等多(duo)方面(mian)特性；

寄生(sheng)電(dian)容的(de)電(dian)壓(ya)依(yi)賴性(xing)在電路(lu)設(she)計中(zhong)也是至(zhi)關(guan)重要(yao)，以MOSFET為(wei)例(li)

漏(lou)源(yuan)短(duan)接，用(yong)交流(liu)信(xin)號測(ce)得的(de)柵(zha)極(ji)和源(yuan)極(ji)之(zhi)間的電(dian)容，Ciss = Cgs   +Cgd

影(ying)響延遲(chi)時間；Ciss越大，延遲(chi)時間越長(chang)

Coss

輸(shu)出電容

柵(zha)源(yuan)短(duan)接，用(yong)交流(liu)信(xin)號測(ce)得的(de)漏(lou)極(ji)和源(yuan)極(ji)之(zhi)間的電(dian)容，Coss = Cds   +Cgd

Crss越(yue)大，漏(lou)極(ji)電流(liu)上升特性越差(cha)，這(zhe)不利(li)於(yu)MOSFET的(de)損耗。高(gao)速驅動需(xu)要(yao)低(di)電(dian)容。

Crss

反(fan)向(xiang)傳輸(shu)電容

源(yuan)極(ji)接地，用(yong)交流(liu)型(xing)號測(ce)得的(de)漏(lou)極(ji)和柵(zha)極(ji)之(zhi)間的電(dian)容，也(ye)稱(cheng)米勒電容

反(fan)向(xiang)傳輸(shu)電容等同(tong)於柵(zha)漏(lou)電(dian)容。Crss = Cgd

影(ying)響關(guan)斷特性和輕(qing)載時的損(sun)耗(hao)。如(ru)果Coss較(jiao)大，關(guan)斷dv／dt減小(xiao)，這(zhe)有(you)利(li)於噪聲(sheng)。但(dan)輕(qing)載時的損(sun)耗(hao)增加(jia)。

Rg

柵(zha)極(ji)輸(shu)入電(dian)阻

Rg被(bei)定(ding)義漏(lou)源(yuan)短(duan)接，偶(ou)爾(er)也被(bei)定(ding)義為(wei)漏(lou)極(ji)開路(lu)

K.   標配(pei)附(fu)件(jian)

CV測(ce)試(shi)夾具(ju)TH513-1

USB轉(zhuan)RC232通(tong)訊線(xian)纜TH26071C

TH512國(guo)產半(ban)導(dao)體參數(shu)分析(xi)儀規(gui)格參數(shu)指標