基礎信(xin)息Product information

產品(pin)名稱(cheng)：微電子(zi)系統(tong)集成(cheng)電路(lu)教學(xue)實驗(yan)平臺(tai)

產品(pin)型號：

更(geng)新(xin)時(shi)間(jian)：2025-11-10

產品(pin)簡介(jie)：

微(wei)電子(zi)系統(tong)集成(cheng)電路(lu)教學(xue)實驗(yan)平臺(tai)支(zhi)持實(shi)驗(yan)
肖(xiao)特基勢壘(lei)特性及雜(za)質的測量(liang)
電阻(zu)式(shi)傳(chuan)感器(qi)
場效應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)
PN結(jie)
MOS器(qi)件(jian)特性測試
集成(cheng)運放特性分(fen)析測試

產品(pin)特性Product characteristics

“精"——上(shang)海市先(xian)JIN企業(ye)!

“專"——專註工業(ye)測試十(shi)六(liu)年!

“特"——德(de)國萊(lai)茵(yin)TUV認證供(gong)應商(shang)!

“新(xin)"——註冊資(zi)本實繳(jiao)壹(yi)仟萬元(yuan)!實(shi)繳(jiao)資(zi)金行業(ye)中(zhong)居前茅(mao)!抗(kang)金(jin)融風(feng)險能力(li)強(qiang)!

微電子(zi)系統(tong)集成(cheng)電路(lu)教學(xue)實驗(yan)平臺(tai)支(zhi)持實(shi)驗(yan)

 肖(xiao)特基勢壘(lei)特性及雜(za)質的測量(liang)

 電阻(zu)式(shi)傳(chuan)感器(qi)的工作(zuo)原(yuan)理(li)與(yu)測量(liang)

 場效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)直(zhi)流參數測試

 PN結(jie)直(zhi)流特性測試及PN結(jie)參數的(de)變溫測試

 雙(shuang)極型(xing)晶體(ti)管(guan)直(zhi)流參數的(de)測量(liang)

 MOS器(qi)件(jian)靜態特性測試分析(xi)

 MOS器(qi)件(jian)CV特性測試

 MOS器(qi)件(jian)動態開(kai)關特(te)性測試

 集成(cheng)運放特性分(fen)析測試（上、下(xia)）

應用(yong)

高(gao)校(xiao)集成(cheng)電路(lu)學院(yuan)

高(gao)校(xiao)微(wei)電子(zi)系

高(gao)校(xiao)物(wu)理(li)系(xi)

高(gao)校(xiao)電子(zi)電工(gong)系

簡介(jie)

順應科(ke)技發展，yin領人(ren)才教(jiao)育(yu)

科技(ji)是第(di)壹(yi)生(sheng)產力(li)，人(ren)才是(shi)第(di)壹(yi)資(zi)源。

教育(yu)的首要(yao)任務(wu)是(shi)快(kuai)速(su)提升(sheng)人(ren)才培養(yang)質量(liang)，順應新(xin)時(shi)代的發展步(bu)伐，從產業(ye)需求及國(guo)際形勢出發，我(wo)國(guo)急(ji)需培養(yang)出壹(yi)大(da)批能夠開(kai)展(zhan)理(li)論研(yan)究(jiu)、半導體(ti)設計(ji)、掌握工(gong)藝(yi)流程(cheng)以(yi)及研(yan)發管(guan)理(li)的(de)復(fu)合(he)型人(ren)才，這(zhe)就對(dui)高(gao)等(deng)教育的專業(ye)基礎實踐課程(cheng)提(ti)出了更(geng)高(gao)的要(yao)求。

同惠(hui)電子(zi)成(cheng)立以來壹(yi)直(zhi)專註於測量(liang)測試領域(yu)，結(jie)合(he)自身(shen)再(zai)微電子(zi)和半導體(ti)領域(yu)的(de)測量(liang)測試經驗，多年的產學(xue)研(yan)合(he)作經驗以及上(shang)下(xia)遊(you)廠(chang)商對(dui)於人(ren)才能(neng)力(li)的要(yao)求，針(zhen)對(dui)性的(de)設計(ji)了(le)微(wei)電子(zi)實驗(yan)系統(tong)，將實(shi)踐(jian)落(luo)實到(dao)教(jiao)學，測試理(li)念引入到(dao)教(jiao)學環節中(zhong)，為微電子(zi)和半導體(ti)實踐(jian)教學(xue)提供(gong)了新(xin)的方(fang)向(xiang)。

微電子(zi)教學(xue)平臺(tai)基本特點

豐富的實驗項(xiang)目

微電子(zi)教學(xue)實驗(yan)系統(tong)提供(gong)了多達(da)九種(zhong)實(shi)驗(yan)項(xiang)目，涵(han)蓋(gai)了(le)微電子(zi)學、集成(cheng)電路(lu)設計(ji)等(deng)方面。這些實驗(yan)項(xiang)目旨在(zai)幫助學生(sheng)全(quan)面了解(jie)微(wei)電子(zi)學的(de)基本原理(li)和(he)集成(cheng)電路(lu)設計(ji)的(de)方(fang)法(fa)。

靈活(huo)的實(shi)驗配(pei)置(zhi)

根(gen)據(ju)不(bu)同(tong)的(de)教(jiao)學(xue)需求和實(shi)驗(yan)課程(cheng)設置(zhi)，微(wei)電子(zi)教學(xue)實驗(yan)系統(tong)支持(chi)多種(zhong)不(bu)同(tong)的(de)實(shi)驗(yan)配(pei)置(zhi)。學(xue)生(sheng)可(ke)以(yi)根(gen)據(ju)自己(ji)的(de)興趣(qu)和(he)需求選擇(ze)合(he)適的(de)實(shi)驗項(xiang)目，進(jin)行(xing)個(ge)性化的(de)學(xue)習和(he)實踐。

實驗(yan)平臺(tai)采(cai)用(yong)模(mo)塊(kuai)化設計(ji)，可(ke)根(gen)據(ju)不(bu)同(tong)教(jiao)學(xue)需求、實驗(yan)課(ke)程(cheng)、方(fang)案(an)預(yu)算等(deng)進行任意(yi)配(pei)置(zhi)。*的(de)實驗設備(bei)

*的實(shi)驗設備(bei)

微電子(zi)教學(xue)實驗(yan)系統(tong)采(cai)用(yong)了*的實驗(yan)設備(bei)和技(ji)術(shu)，如(ru)新(xin)科技(ji)產品(pin)：半導體(ti)CV特性測試儀、數字(zi)示波器(qi)、雙(shuang)通道(dao)數字(zi)源表(biao)、信(xin)號源等(deng)，這些設備(bei)可(ke)以(yi)為學(xue)生(sheng)提(ti)供(gong)真實(shi)的現(xian)實微電子(zi)設計(ji)、制(zhi)造(zao)及測試環境(jing)，有利(li)於(yu)學生(sheng)畢(bi)業(ye)後更(geng)快(kuai)適應(ying)微(wei)電子(zi)行業(ye)環境(jing)。

易於(yu)操作(zuo)的學(xue)習(xi)平臺(tai)

根(gen)據(ju)不(bu)同(tong)的(de)教(jiao)學(xue)需求和實(shi)驗(yan)課程(cheng)設置(zhi)，微(wei)電子(zi)教學(xue)實驗(yan)系統(tong)支持(chi)多種(zhong)不(bu)同(tong)的(de)實(shi)驗(yan)配(pei)置(zhi)。學(xue)生(sheng)可(ke)以(yi)根(gen)據(ju)自己(ji)的(de)興微(wei)電子(zi)教學(xue)實驗(yan)系統(tong)采(cai)用(yong)了直(zhi)觀的(de)操(cao)作界(jie)面和(he)友(you)好(hao)的(de)人(ren)機交(jiao)互設計(ji)，圖文(wen)化教(jiao)學(xue)使(shi)學(xue)生(sheng)能(neng)夠輕松(song)地(di)學(xue)習(xi)到(dao)微(wei)電子(zi)、集成(cheng)電路(lu)、測試儀器(qi)的基本原理(li)及實(shi)驗(yan)操(cao)作(zuo)。同時(shi)，實驗(yan)臺(tai)還提供(gong)了詳細(xi)的實(shi)驗步(bu)驟和(he)故(gu)障(zhang)排(pai)除(chu)指(zhi)南，幫助學生(sheng)解(jie)決(jue)實驗(yan)過(guo)程(cheng)中(zhong)遇(yu)到(dao)的(de)問(wen)題(ti)。

技術(shu)參數

微電子(zi)教學(xue)實驗(yan)系統(tong)總(zong)體(ti)方案(an)

微電子(zi)系統(tong)集成(cheng)電路(lu)教學(xue)實驗(yan)平臺(tai)實(shi)驗內(nei)容(rong)

肖(xiao)特基勢壘(lei)特性及雜(za)質的測量(liang)

適用(yong)課程(cheng)

實驗(yan)目的(de)

測量(liang)儀器(qi)設備(bei)

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

掌握肖(xiao)特基二(er)極(ji)管(guan)的(de)結(jie)構(gou) 

TH511E半導體(ti)器(qi)件(jian)CV特性分(fen)析儀

固(gu)體(ti)物理(li)基礎

掌握肖(xiao)特基勢壘(lei)結(jie)的形(xing)成(cheng)原理(li)

TH1992B精密(mi)源/測量(liang)單元(yuan)

半導體(ti)材料(liao)基礎

掌握肖(xiao)特基二(er)極(ji)管(guan)的(de)整(zheng)流特性和(he)勢壘(lei)電容(rong)

TH26011D直(zhi)流偏置(zhi)夾(jia)具(ju)

電子(zi)薄膜(mo)材(cai)料(liao)與器(qi)件(jian)

學會(hui)測量(liang)肖(xiao)特基二(er)極(ji)管(guan)的(de)C-V特(te)性

半導體(ti)元(yuan)件(jian)實驗盒(he)

學會(hui)計算雜質濃度

電阻(zu)式(shi)傳(chuan)感器(qi)的工作(zuo)原(yuan)理(li)與(yu)測量(liang)        

適用(yong)課程(cheng)

實驗(yan)目的(de)

測量(liang)儀器(qi)設備(bei)

矽光(guang)測試實驗(yan)

掌握各(ge)種(zhong)不(bu)同(tong)電阻(zu)式(shi)傳(chuan)感器(qi)原理(li)

TH511E 半導體(ti)器(qi)件(jian)CV特性分(fen)析儀

掌握LCR測量(liang)阻(zu)抗(kang)方(fang)式(shi)

場效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)直(zhi)流參數測試

適用(yong)課程(cheng)

實驗(yan)目的(de)

測量(liang)儀器(qi)設備(bei)

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

掌握MOSFET基本結(jie)構(gou)與(yu)工作原理(li)

TH1992B精密(mi)源/測量(liang)單元(yuan)

固(gu)體(ti)物理(li)基礎

掌握MOSFET各(ge)參數的(de)定義(yi)

半導體(ti)元(yuan)件(jian)實驗盒(he)

半導體(ti)材料(liao)基礎

掌握測量(liang)MOSFET轉(zhuan)移特性曲(qu)線與輸(shu)出(chu)特(te)性曲(qu)線的方法(fa)

直(zhi)流特性測試軟(ruan)件(jian)

模(mo)擬(ni)集成(cheng)電路(lu)

PN結(jie)直(zhi)流特性測試及PN結(jie)參數的(de)變溫測試

適用(yong)課程(cheng)

實驗(yan)目的(de)

測量(liang)儀器(qi)設備(bei)

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

掌握穩壓(ya)二(er)極(ji)管(guan)工(gong)作(zuo)原(yuan)理(li)

TH1992B精密(mi)源/測量(liang)單元(yuan)

固(gu)體(ti)物理(li)基礎

掌握穩壓(ya)二(er)極(ji)管(guan)伏(fu)安(an)特(te)性和(he)參數定義(yi)

恒溫箱(xiang)

半導體(ti)材料(liao)基礎

學會(hui)使(shi)用(yong)TH1902B型源表(biao)和恒溫箱(xiang)測試二(er)極(ji)管(guan)溫度特(te)性

半導體(ti)元(yuan)件(jian)實驗盒(he)

雙(shuang)極型(xing)晶體(ti)管(guan)直(zhi)流參數的(de)測量(liang)

適用(yong)課程(cheng)

實驗(yan)目的(de)

測量(liang)儀器(qi)設備(bei)

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

掌握雙(shuang)極型(xing)晶體(ti)管(guan)的(de)基本結(jie)構(gou)及主要(yao)參數的(de)定義(yi)

TH1992B精密(mi)源/測量(liang)單元(yuan)

半導體(ti)材料(liao)基礎

掌握利(li)用(yong)源表(biao)進行雙(shuang)極型(xing)晶體(ti)管(guan)輸(shu)入特性和(he)輸(shu)出(chu)特(te)性曲(qu)線的測量(liang)方(fang)法(fa)

半導體(ti)元(yuan)件(jian)實驗盒(he)

模(mo)擬(ni)集成(cheng)電路(lu)

了解(jie)雙(shuang)極型(xing)晶體(ti)管(guan)輸(shu)出(chu)特(te)性的(de)常(chang)見缺陷(xian)及其產生(sheng)的(de)原因

MOS器(qi)件(jian)靜態特性測試分析(xi)

適用(yong)課程(cheng)

實驗(yan)目的(de)

測量(liang)儀器(qi)設備(bei)

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

掌握MOFFET飽(bao)和漏(lou)電流IDSS、閾值電壓(ya)VTH、跨導等(deng)測量(liang)方(fang)法(fa)

TH1992B精密(mi)源/測量(liang)單元(yuan)

半導體(ti)材料(liao)基礎

掌握測量(liang)MOSFET輸(shu)出(chu)特(te)性曲(qu)線的方法(fa)

半導體(ti)元(yuan)件(jian)實驗盒(he)

模(mo)擬(ni)集成(cheng)電路(lu)

直(zhi)流特性測試軟(ruan)件(jian)

MOS器(qi)件(jian)CV特性測試

適用(yong)課程(cheng)

實驗(yan)目的(de)

測量(liang)儀器(qi)設備(bei)

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

了解(jie)場(chang)效應管(guan)的(de)動態參數與(yu)寄生(sheng)電容(rong)

TH511E半導體(ti)器(qi)件(jian)CV特性分(fen)析儀

半導體(ti)材料(liao)基礎

熟悉(xi)動態參數中(zhong)Ciss 、Coss 、Crss 等(deng)的定義(yi)及危(wei)害

半導體(ti)元(yuan)件(jian)實驗盒(he)

模(mo)擬(ni)集成(cheng)電路(lu)

掌握動態參數中(zhong)Ciss 、Coss 、Crss 等(deng)的測量(liang)

掌握動態參數中(zhong)Ciss 、Coss 、Crss 曲(qu)線掃描

MOS器(qi)件(jian)動態開(kai)關特(te)性測試

適用(yong)課程(cheng)

實驗(yan)目的(de)

測量(liang)儀器(qi)設備(bei)

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

掌握MOSFET開(kai)啟(qi)過(guo)程(cheng)

數字(zi)存儲示波器(qi)

半導體(ti)材料(liao)基礎

掌握MOSFET開(kai)關時(shi)間(jian)定義(yi)

函數信(xin)號發生(sheng)器(qi)

模(mo)擬(ni)集成(cheng)電路(lu)

熟悉(xi)函(han)數信(xin)號發生(sheng)器(qi)使(shi)用(yong)

動態開(kai)關特(te)性分(fen)析軟(ruan)件(jian)

熟悉(xi)數字(zi)存儲示波器(qi)使(shi)用(yong)

半導體(ti)元(yuan)件(jian)實驗盒(he)

集成(cheng)運放特性分(fen)析測試（上、下(xia)）

適用(yong)課程(cheng)

實驗(yan)目的(de)

測量(liang)儀器(qi)設備(bei)

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

了解(jie)集成(cheng)電路(lu)的概(gai)念，熟悉(xi)集成(cheng)運放放大器(qi)的結(jie)構(gou)

TH1992B精密(mi)源/測量(liang)單元(yuan)

半導體(ti)材料(liao)基礎

熟悉(xi)集成(cheng)電路(lu)放大(da)器(qi)中(zhong)的各種(zhong)參數概(gai)念

TH1963A 數字(zi)多用(yong)表

數字(zi)集成(cheng)電路(lu)

掌握集成(cheng)電路(lu)放大(da)器(qi)的參數測量(liang)方(fang)法(fa)

數字(zi)存儲示波器(qi)

模(mo)擬(ni)集成(cheng)電路(lu)

函數信(xin)號發生(sheng)器(qi)

集成(cheng)電路(lu)實驗(yan)盒(he)

實驗(yan)課程(cheng)

序號

實驗(yan)名稱(cheng)

理(li)論課(ke)名(ming)稱

課程(cheng)體(ti)系

1肖(xiao)特基勢壘(lei)特性及雜(za)質的測量(liang)

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

固(gu)體(ti)物理(li)基礎

半導體(ti)材料(liao)基礎

電子(zi)薄膜(mo)材(cai)料(liao)與器(qi)件(jian)

半導體(ti)器(qi)件(jian)物理(li)

2電阻(zu)式(shi)傳(chuan)感器(qi)的工作(zuo)原(yuan)理(li)與(yu)測量(liang)

矽光(guang)測試實驗(yan)

3場效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)直(zhi)流參數測試

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

固(gu)體(ti)物理(li)基礎

半導體(ti)材料(liao)基礎

模(mo)擬(ni)集成(cheng)電路(lu)

半導體(ti)器(qi)件(jian)物理(li)

半導體(ti)器(qi)件(jian)可(ke)靠(kao)性

4、PN結(jie)直(zhi)流特性測試及PN結(jie)參數的(de)變溫測試

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

固(gu)體(ti)物理(li)基礎

半導體(ti)材料(liao)基礎

5、雙(shuang)極型(xing)晶體(ti)管(guan)直(zhi)流參數的(de)測量(liang)

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

半導體(ti)材料(liao)基礎

模(mo)擬(ni)集成(cheng)電路(lu)

6、MOS器(qi)件(jian)靜態特性測試分析(xi)

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

半導體(ti)材料(liao)基礎

模(mo)擬(ni)集成(cheng)電路(lu)

半導體(ti)器(qi)件(jian)物理(li)

半導體(ti)器(qi)件(jian)可(ke)靠(kao)性

集成(cheng)電路(lu)原理(li)與(yu)設計(ji)

7、MOS器(qi)件(jian)CV特性測試

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

半導體(ti)材料(liao)基礎

模(mo)擬(ni)集成(cheng)電路(lu)

8、MOS器(qi)件(jian)動態開(kai)關特(te)性測試

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

半導體(ti)材料(liao)基礎

模(mo)擬(ni)集成(cheng)電路(lu)

9、集成(cheng)運放特性分(fen)析測試（上、下(xia)）

半導體(ti)器(qi)件(jian)原理(li)

半導體(ti)材料(liao)基礎

數字(zi)集成(cheng)電路(lu)